推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來(lái)15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3754 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見(jiàn)下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917458 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:476929 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333276 
本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾與未來(lái)發(fā)展方向。
2025-04-30 11:00:073832 
全國(guó)首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)電子束光刻機(jī)問(wèn)世，精度比肩國(guó)際主流 ? 近日，全國(guó)首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)電子束光刻機(jī)"羲之"在浙大余杭量子研究院完成研發(fā)并進(jìn)入應(yīng)用測(cè)試階段。該設(shè)備精度達(dá)到0.6nm，線寬
2025-08-15 10:15:172938 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
時(shí))。EUV光刻和X光光刻則可以達(dá)到更高的分辨率。然而, 它們存在的掩膜制造困難，且掩膜易被強(qiáng)光損傷等缺陷限制了它們的工業(yè)化生產(chǎn)。而電子束光刻膠極有可能在集成電路線寬降至納米級(jí)時(shí)大顯身手，目前國(guó)外電子束膠
2018-08-23 11:56:31
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
電子直寫(xiě)光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對(duì)電子顯微鏡的精度要求越來(lái)越高。電子直寫(xiě)光刻機(jī)的精度與電子波長(zhǎng)和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān)，電子波長(zhǎng)可通過(guò)增加加速電極電壓來(lái)減小波長(zhǎng)，而電子束聚焦后
2025-05-07 06:03:45
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
都按指數(shù)規(guī)律變化,實(shí)際電子束自發(fā)輻射的總輻射功率與金屬-介質(zhì)多層膜的空間周期成反比?！娟P(guān)鍵詞】：激光技術(shù);;史密斯-帕塞爾效應(yīng);;金屬-介質(zhì)多層膜;;光柵【DOI】：CNKI:SUN
2010-04-26 16:15:43
各位朋友請(qǐng)問(wèn)下:電子束的概念是什么?
2013-03-26 11:02:59
UMS的CHA3688aQDG是款三級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術(shù)、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產(chǎn)
2024-03-06 15:46:20
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒(méi)有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
失效分析實(shí)驗(yàn)室中，我們檢查了電阻對(duì)比成像(RCI)和電子束感應(yīng)電流(EBIC)，并成功將其用作失效點(diǎn)隔離技術(shù)。從這些技術(shù)獲得的結(jié)果得到了其它失效分析方法的支持，例如光學(xué)顯微鏡和曲線軌跡分析等。最后
2018-10-22 16:44:07
過(guò)程中焊接深度以及焊接寬度之間的比值較高，第四是電子束焊接技術(shù)在應(yīng)用的過(guò)程中不僅僅局限在導(dǎo)電材料的焊接工藝中，第五是電子束焊接技術(shù)受到磁場(chǎng)的影響較小，再次是電子束焊接在應(yīng)用的過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn) X 射線
2018-03-15 11:18:40
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個(gè)很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
根據(jù)電子束焊機(jī)的控制系統(tǒng)的要求，提出用三菱公司的FX 系列的可編程邏輯控制器對(duì)電子束焊機(jī)進(jìn)行數(shù)字量控制和模擬量控制。結(jié)合電子束焊機(jī)焊接工藝需要，分別對(duì)控制軟件的
2009-05-26 11:04:23
48 價(jià)格貨期電議電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 E-beam Evaporation System電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對(duì)比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結(jié)合石英震蕩片的反饋信號(hào), 可
2022-11-04 11:01:13
隨著納米科技的迅速發(fā)展，下一代光刻技術(shù)在微細(xì)加工領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。作為復(fù)雜半導(dǎo)體加工主要手段之一的電子束曝光系統(tǒng)，需要穩(wěn)定完善的控制軟件來(lái)保證其正常
2009-06-29 08:58:0319 大面積均勻電子束產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)研究:在電子束泵浦氣體激光實(shí)驗(yàn)中，大面積均勻電子束是獲得高效能激光輸出的必要條件。介紹了利用SPG-200脈沖功率源產(chǎn)生大面積均勻電子
2009-10-26 21:53:4716 電子束輻照對(duì)玻璃微球儲(chǔ)氚性能的影響:以研究氚衰變?chǔ)?b class="flag-6" style="color: red">電子對(duì)玻璃微球保氣性能為目標(biāo)，利用ＸＰＳ在線測(cè)量技術(shù)研究了電子束照射下堿式硼硅酸鹽玻璃中Ｋ＋ 離子的遷移以及由此
2009-10-31 14:20:2912 強(qiáng)流短脈沖電子束束剖面測(cè)量技術(shù) 摘 要: 束流剖面信息的獲得對(duì)于加速器的研究有著重要的意義。對(duì)強(qiáng)流短脈沖電子加速器束剖面測(cè)量技術(shù)作了評(píng)述。目
2010-06-10 16:26:557 隨著納米科技的迅速發(fā)展，下一代光刻技術(shù)在微細(xì)加工領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。作為復(fù)雜半導(dǎo)體加工主要手段之一的電子束曝光系統(tǒng)，需要穩(wěn)定完善的控制軟件來(lái)保證其正常運(yùn)
2010-07-14 14:34:5613 電子束管
2006-04-16 23:34:542633 
澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備，專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍，結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且
2025-08-15 15:14:01
電子束焊機(jī)用高壓電源中的PLC控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
摘要：介紹了電子束焊機(jī)用高壓電源及其控制系統(tǒng)的要求，根據(jù)PLC控制技術(shù)的
2009-07-07 11:04:371147 
電子束爐變壓器的故障檢查研究
引言 EBCHR2/50/500電子束爐是西北有色金屬研究院從德國(guó)ALD 公司進(jìn)口的大型設(shè)備，適用于熔煉和
2009-12-12 09:41:21843 英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者
2010-02-25 10:17:551136 
超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題，因
2010-03-30 16:43:082052 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 研究了低能電子束輻照對(duì)發(fā)光二極管(Light emitting diode，LED)發(fā)光性能的影響。利用實(shí)驗(yàn)室加速器提供的電子束模擬空間電子輻射，分別對(duì)發(fā)不同顏色的光的LED進(jìn)行不同劑量的輻照，并對(duì)比
2011-04-16 15:30:3122 電子束加工原理和應(yīng)用以及電子束加工特點(diǎn)。
2011-05-22 12:46:1124808 
隨著 納米加工 技術(shù)的發(fā)展,納米結(jié)構(gòu)器件必將成為將來(lái)的集成電路的基礎(chǔ). 本文介紹了幾種用電子束光刻、反應(yīng)離子刻蝕方法制備硅量子線、量子點(diǎn)和用電子束光刻、電子束蒸發(fā)以及剝
2011-06-20 16:16:0936 麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫(xiě)入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸
2011-07-12 09:01:371956 焊接技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。在我國(guó)的焊接領(lǐng)域，電子束焊接技術(shù)主要有七個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)，首先是電子束焊接技術(shù)在焊接的過(guò)程中產(chǎn)生的焊接變形較小，其次是電子束焊接技術(shù)產(chǎn)生的熱量影響區(qū)域較小，第三是電子束焊接技術(shù)在焊接過(guò)程
2018-01-26 17:01:102 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:404245 本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級(jí)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計(jì)算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過(guò)程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機(jī)制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對(duì)計(jì)算精度
2018-12-05 11:20:266 實(shí)際上，電子束固化技術(shù)一種是捕獲一些自然存在的電子形式的電子束，然后將其在較短的距離內(nèi)加速到接近光速的工具，該過(guò)程產(chǎn)生巨大的能量，然后將這種能量應(yīng)用于涂、油墨和粘合劑的固化過(guò)程中，這就是電子束固化技術(shù)。簡(jiǎn)言之，電子束固化就是使用由電子加速器產(chǎn)生的高能電子束來(lái)引發(fā)樹(shù)脂的聚合或交聯(lián)。
2019-04-07 09:04:001613 PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的，無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5236634 石墨烯層可以作為電子束的鏡子，這是物理學(xué)家Dani l Geelen和同事使用一種新型電子顯微鏡發(fā)現(xiàn)的，其研究結(jié)果發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》期刊上。這種新技術(shù)稱為“eV-TEM”，這是電子顯微鏡的一種新變體，它能將電子束對(duì)準(zhǔn)樣品，以便對(duì)其成像。
2019-08-26 15:43:324368 本文首先闡述了電子束焊原理，其次介紹了電子束焊技術(shù)指標(biāo)，最后介紹了電子束焊特點(diǎn)。
2019-12-10 10:18:2616754 至今，電子束焊經(jīng)過(guò)不斷發(fā)展已經(jīng)成為一種成熟的加工技術(shù)，無(wú)論是汽車(chē)制造，還是航空航天，都起著舉足輕重的作用。而40多年來(lái)，激光加工已從實(shí)驗(yàn)室走向了實(shí)用化階段，并進(jìn)入了原來(lái)由電子束加工的各個(gè)領(lǐng)域，大有
2019-12-10 10:28:4321014 本文首先介紹了電子束焊優(yōu)缺點(diǎn)，其次闡述了電子束焊接工藝。最后闡述了電子束焊的基本工藝流程。
2019-12-10 10:37:3837081 冰膠電子束光刻（簡(jiǎn)稱冰刻）是一種新型加工方法。
2020-01-26 10:27:003161 電子束焊是指利用加速和聚焦的電子束轟擊置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化實(shí)現(xiàn)焊接。真空電子束焊是應(yīng)用最廣的電子束焊。
2020-09-02 16:42:3010084 本文首先介紹了電子束焊的焊接參數(shù)，其次闡述了電子束焊的技術(shù)要求，最后介紹了電子束焊的特點(diǎn)。
2020-09-02 16:50:2214137 本文首先闡述了電子束焊分類，其次介紹了電子束焊主要用途，最后介紹了電子束焊的技術(shù)指標(biāo)。
2020-09-03 16:36:0610228 本文主要闡述了電子束曝光原理及結(jié)構(gòu)。
2020-11-27 15:21:3911776 技術(shù)研究開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，研制成功了我國(guó)第一條國(guó)產(chǎn)雙金屬鋸帶生產(chǎn)線設(shè)備。其中高壓電源是雙金屬鋸帶焊接設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)之一，它主要為電子槍提供加速電壓，其性能好壞直接決定電子束焊接工藝和焊接質(zhì)量。
2021-03-03 17:12:187717 電子束是從電子槍中產(chǎn)生的。通常電子是以熱發(fā)射或場(chǎng)致發(fā)射的方式從發(fā)射體（陰極）逸出。在25-300kV加速電壓的作用下，電子被加速到0.3-0.7倍的光速，具有一定的動(dòng)能，經(jīng)電子槍中靜電透鏡和電磁透鏡的作用，電子會(huì)聚成功率密度很高的電子束。
2021-03-04 14:43:0623756 
電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用高能量密度的電子束對(duì)材料進(jìn)行工藝處理的方法統(tǒng)。
2021-03-10 14:25:3324209 
電子束加工和離子束加工是近年來(lái)得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來(lái)說(shuō)，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0922720 根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:534814 
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過(guò)非常簡(jiǎn)單的儀器實(shí)現(xiàn)原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學(xué)有效地聚焦低能電子和振動(dòng)加熱方法，以產(chǎn)生高度非線性（多電子）的曝光機(jī)制。
2022-09-27 10:39:543586 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:511455 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:056458 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾樱蛟试S它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:323268 雖然激光焊接（LBW）以及電子束焊接（EBW）的擁護(hù)者們分別對(duì)其青睞的技術(shù)大加贊揚(yáng)，但在許多情況下用戶的最佳選擇可能是同時(shí)采用這兩種技術(shù)，尤其是在焊接復(fù)雜結(jié)構(gòu)以及滿足高品質(zhì)冶金需要的情況下更是如此
2022-03-19 09:59:593916 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-07-07 11:21:321451 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
上海伯東客戶某光刻機(jī)生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機(jī) Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:401604 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:141088 
在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無(wú)源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:052517 
電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用高能量密度的電子束對(duì)材料進(jìn)行工藝處理的方法統(tǒng)。
2023-12-07 11:31:233256 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
和光通信領(lǐng)域的客戶制造高精度微型光學(xué)元件。制造商是位于德國(guó)耶拿的電子束技術(shù)專家Vistec Electron Beam GmbH。該系統(tǒng)將于2025年初交付。 以最高精度創(chuàng)建最小的結(jié)構(gòu) 這種類型的電子束光刻系統(tǒng)可以在直徑達(dá)300毫米的襯底上以10納米范圍（約為頭發(fā)絲的1/2,000）精度
2024-01-15 17:33:161649 電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無(wú)掩膜光刻的一種，它利用波長(zhǎng)極短的聚焦電子直接作用于對(duì)電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:284196 
本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見(jiàn)問(wèn)題。
2024-03-17 14:33:522862 
光刻材料一般特指光刻膠，又稱為光刻抗蝕劑，是光刻技術(shù)中的最關(guān)鍵的功能材料。這類材料具有光（包括可見(jiàn)光、紫外光、電子束等）反應(yīng)特性，經(jīng)過(guò)光化學(xué)反應(yīng)后，其溶解性發(fā)生顯著變化。
2024-03-31 16:27:187398 
電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。
2024-04-30 14:32:414155 
電子束焊接是一種高能電子束加熱并熔化工件以實(shí)現(xiàn)焊接的方法。在電子束焊中，通過(guò)利用一個(gè)電子槍發(fā)射一個(gè)高速電子束，將電子束照射到工件焊縫處，使焊縫瞬間被加熱并熔化，隨后快速冷卻并凝固形成焊接。電子束焊接
2024-05-17 18:32:141651 生物學(xué)和醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的研究發(fā)生了革命性的變化。 隨著電子束技術(shù)的發(fā)展，掃描透射電子顯微鏡被研制出來(lái)，使得各種材料內(nèi)部的顯微結(jié)構(gòu)清晰的展現(xiàn)在人們面前。 ? 1933年，德國(guó)人Ruska設(shè)計(jì)制造了第一臺(tái)電子顯微鏡，此后人們研發(fā)出了能放大3萬(wàn)倍的透射電
2024-05-18 17:42:292304 
? 基于掩膜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)，其成本正呈指數(shù)級(jí)攀升。而無(wú)掩膜的電子束光刻技術(shù)提供了補(bǔ)充性選項(xiàng)，可以幫助芯片制造商更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。電子束光刻技術(shù)采用電子束在硅晶圓上生成圖案，無(wú)需等待掩膜制造過(guò)程
2024-05-22 18:41:413965 在萬(wàn)物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開(kāi)光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識(shí)光刻工藝的基本知識(shí)。
2024-08-26 10:10:073247 
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光照條件，以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行 。
2024-10-18 15:11:472854 
電子束光刻技術(shù)使得對(duì)構(gòu)成多種納米技術(shù)基礎(chǔ)的納米結(jié)構(gòu)特征實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制成為可能。納米結(jié)構(gòu)制造與測(cè)量的研究人員致力于提升納米尺度下的光刻精度，并開(kāi)發(fā)了涵蓋從光學(xué)到流體等多個(gè)物理領(lǐng)域、用以制造創(chuàng)新器件和標(biāo)準(zhǔn)的工藝流程。
2024-10-18 15:23:261801 
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
2024-10-22 13:52:103498 納米科技是當(dāng)前科學(xué)研究的前沿領(lǐng)域，納米測(cè)量學(xué)和納米加工技術(shù)在其中扮演著至關(guān)重要的角色。電子束和離子束等工藝是實(shí)現(xiàn)納米尺度加工的關(guān)鍵手段。特別是聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)，通過(guò)結(jié)合高強(qiáng)度的離子束和實(shí)時(shí)
2024-11-14 23:24:131435 
某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，其電子束光刻設(shè)備在芯片制造的光刻工藝中起著關(guān)鍵作用。然而，企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠，日常生產(chǎn)活動(dòng)產(chǎn)生復(fù)雜的振動(dòng)源，包括重型機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)、車(chē)輛行駛以及建筑物內(nèi)部的機(jī)電設(shè)備運(yùn)行等，這些振動(dòng)嚴(yán)重影響了電子束光刻設(shè)備的精度與穩(wěn)定性。
2025-01-07 15:13:211321 
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162129 電子束光刻（EBL）是一種無(wú)需掩模的直接寫(xiě)入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過(guò)聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級(jí)圖案直寫(xiě)。
2025-08-14 10:07:212555 
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
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