SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
LTC4446 - High Side Micropower MOSFET Driver Fully Enhances N-Channel Power MOSFETs - Linear Technology
2022-11-04 17:22:44
N溝道MOSFET驅(qū)動電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅(qū)動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計與柵極驅(qū)動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4447資料下載內(nèi)容包括：LTC4447引腳功能LTC4447內(nèi)部方框圖LTC4447典型應(yīng)用電路LTC4447極限參數(shù)
2021-03-26 07:14:06
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
N8322 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動器可通過低至1.8V電源的廉價低RDS（ON）N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
LTC1155雙高端柵極驅(qū)動器的典型應(yīng)用允許使用低成本N溝道FET用于高端開關(guān)應(yīng)用
2020-04-16 10:14:10
The LTC®4446 is a high frequency high voltage gate driver that drives two N-channel MOSFETs
2008-06-30 10:39:04
16 LTC?4446 是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器，可利用一個 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中
2023-04-21 11:28:09
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級新版本，該器件是一個高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅(qū)動器，以在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動高端和
2008-12-09 02:33:47
2132 
Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:161135 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。
2010-02-04 08:40:551641 
安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271392 
，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運行。
2017-07-07 15:00:374028 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7003，該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:512576 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:585259 
LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:385833 MCP14700是一個高速同步MOSFET驅(qū)動器，最適合用
來驅(qū)動一個高端和低端 N 溝道 MOSFET。 MCP14700
有兩個 PWM 輸入，可用來獨立地控制外部 N 溝道
MOSFET
2018-06-28 11:00:008 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC4446相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC4446的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC4446真值表，LTC4446管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 14:37:34
達(dá)拉斯， 2月。 1,2016 //PRNewswire/- 德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日推出首款用于高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高端FET驅(qū)動器，提供先進(jìn)的功率保護(hù)
2019-08-07 15:12:184705 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出的高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率
2020-11-13 11:49:373609 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:1211 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器具有強大的柵極驅(qū)動
2021-03-19 07:15:032 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器為高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供 5A 電流
2021-03-20 20:09:435 LTC4444 - 100V 高速同步 N 溝道 3A MOSFET 驅(qū)動器用于高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 11:25:073 LTC3780/LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動器(8-48V至12V@3A)的同步降壓-升壓控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4440A-5：高速、高壓、高端柵極驅(qū)動器產(chǎn)品手冊
2021-04-16 10:05:557 LTC1154：高端微功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-19 20:49:336 LTC4440-5：高速、高壓、高端柵極驅(qū)動器產(chǎn)品手冊
2021-04-24 20:23:4610 LTC4444：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:577 LTC1155：雙高端微功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-09 09:23:405 LTC1163/LTC1165：三重1.8V至6V高端MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-09 19:44:091 LTC4444-5：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 LTC1157：3.3V雙微功耗高端/低端MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 20:13:345 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 LTC4446演示電路-快速通斷直流開關(guān)(0-100V輸入)
2021-06-08 14:04:441 LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動器的同步降壓-升壓控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4313 NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 雙 N 溝道 100 V、24.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K29-100E
2023-02-21 19:37:170 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 雙 N 溝道 100 V、159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E
2023-02-21 19:54:070 雙 N 溝道 100 V、37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E
2023-02-22 18:41:040 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 N 溝道 100 V、16.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS
2023-02-22 18:45:470 N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:360 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS
2023-02-22 18:47:150 N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS
2023-02-22 18:47:430 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE
2023-02-22 18:49:430 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS
2023-02-22 18:59:520 N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 N 溝道 100 V、16 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS
2023-02-22 19:04:160 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES
2023-02-22 19:05:000 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS
2023-02-22 19:05:460 TO220 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS
2023-02-22 19:06:570 N 溝道 100 V、5.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN5R6-100PS
2023-02-23 18:35:510 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS
2023-02-23 18:40:210 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 LFPAK 中的 N 溝道 100 V、20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS
2023-02-23 18:44:180 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 TO220 封裝的 N 溝道 100 V、34.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100PS
2023-02-23 18:53:170 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:452120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:44:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:42:090 MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動器，用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件：MP2797 中文數(shù)據(jù)手冊.pdf
2025-03-01 15:41:061649 
LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131046 
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動器是一款柵極驅(qū)動器，在高達(dá)100V的輸入電壓下工作，具有獨立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49911 
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該
2025-10-14 15:30:54801 
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