安森美發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。
2021-12-08 11:46:03
1871 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141126 
`深圳市三佛科技有限公司 供應 10N10 100V 10A 香薰機MOS管 ,原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù)： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應管
2020-07-31 14:50:51
惠海半導體 供應 4N10 100V MOS，替代型號HN0501，mos原廠，庫存現(xiàn)貨熱銷 4N10 ：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管 HC0551010參數(shù)：100V
2020-11-20 14:48:03
SOT-89 N溝道MOS管/場效應管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管HN0801產(chǎn)品應用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅動器以及一個用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
Ω, 30A, 雙N溝道WLCSP8該N溝道功率MOSFET采用安森美半導體的溝槽技術制造，專為充分減少門極電荷和超低導通阻抗而設計。該器件適用于無人機或筆記本電腦應用。KAI-08052: Interline
2018-10-22 09:08:52
1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導體的N溝道 NTNS3193NZ及P溝道 NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導線架平面網(wǎng)格陣列（XLLGA）亞芯片級
2018-09-29 16:50:56
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接?！ GBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:321221 安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列
2010-01-13 11:32:40811 安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用
2010-02-03 10:13:151453 安森美半導體推出高壓MOSFET系列
應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:561075 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源等.
2011-12-15 09:24:201053 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發(fā)布新的600 V SUPERFET? V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80
2022-01-07 17:33:471946 NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、29 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、27.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX100UNE
2023-02-09 21:20:400 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX100UN
2023-02-15 18:43:460 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 雙 N 溝道 100 V、24.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K29-100E
2023-02-21 19:37:170 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、34 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M34-100E
2023-02-21 19:43:380 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、120 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M120-100E
2023-02-21 19:50:320 雙 N 溝道 100 V、159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E
2023-02-21 19:54:070 專為 PoE 應用設計的 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、71 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN075-100MSE
2023-02-22 18:39:401 雙 N 溝道 100 V、37.6 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E
2023-02-22 18:41:040 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 N 溝道 100 V、16.3 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS
2023-02-22 18:45:470 N 溝道 100 V、5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:360 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN039-100YS
2023-02-22 18:47:150 N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN069-100YS
2023-02-22 18:47:430 N 溝道 100 V、7.8 mΩ 標準電平 MOSFET，具有改進的 SOA，采用 TO220 封裝-PSMN7R8-100PSE
2023-02-22 18:49:170 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、13 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN013-100YSE
2023-02-22 18:49:430 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 溝道 100 V、5 mΩ 標準電平 MOSFET，具有改進的 SOA，采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE
2023-02-22 18:54:230 N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS
2023-02-22 18:59:520 N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 N 溝道 100 V、16 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS
2023-02-22 19:04:160 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標準電平 MOSFET。-PSMN013-100ES
2023-02-22 19:05:000 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 T0220 中的 N 溝道 100 V、9.6 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN9R5-100PS
2023-02-22 19:05:320 N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS
2023-02-22 19:05:460 TO220 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS
2023-02-22 19:06:570 N 溝道 100 V、5.6 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN5R6-100PS
2023-02-23 18:35:510 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS
2023-02-23 18:40:210 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 LFPAK 中的 N 溝道 100 V、20.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN020-100YS
2023-02-23 18:44:180 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 TO220 封裝的 N 溝道 100 V、34.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN034-100PS
2023-02-23 18:53:170 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA
2023-03-03 19:35:430 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標準電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:44:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:42:090 安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ，可最大限度降低驅動器損耗和導通損耗。MOSFET符合AEC-Q101標準，適用于汽車48V系統(tǒng)
2025-11-24 09:29:21320 
在電子工程領域，功率 MOSFET 作為關鍵元件，其性能直接影響著各類電子設備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFS3D0N08X 這款 N 溝道功率 MOSFET，剖析其特性、參數(shù)及應用場景。
2025-11-28 09:35:55330 在電子設備設計中，MOSFET作為關鍵的功率開關元件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-02 09:23:56514 
在電子工程師的日常設計工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFWS1D5N08X 這款高性能 N 溝道功率 MOSFET，為大家詳細解析其特點、參數(shù)及應用場景。
2025-12-03 11:30:32422 
在電子設計領域，功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件，它廣泛應用于電源管理、電機驅動等眾多領域。今天就來詳細探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47337 
威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型
2025-12-23 11:22:46175 
威兆半導體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06115 
威兆半導體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓超大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-30 15:04:3895
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