Corporation,簡稱“東芝”)推出了150V N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
4562 
MIC4414YFT EV,MIC4414評估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動器,設(shè)計用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET的區(qū)別N 溝道和 P 溝道 MOSFET 之間的主要區(qū)別在于,N 溝道通常連接到負(fù)載(被供電的器件)的接地 (-) 側(cè),而 P 溝道連接到 VCC (+)側(cè)。為什么你必須將一個與消極聯(lián)系起來
2023-02-02 16:26:45
180度。 高端驅(qū)動器 高端驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動浮動低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC,提供兩個輸出,用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動器,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動
2018-03-03 13:58:23
150V 高壓 MOSFET 的 DC-DC 控制器。
SL3160 內(nèi)置高壓啟動和自供電功能,可滿足快速啟動和低待機(jī)功耗要求。具有自適應(yīng)降頻功能,可進(jìn)一步優(yōu)化輕載條件下的轉(zhuǎn)換效率。芯片內(nèi)置軟啟動功能
2025-05-24 10:29:37
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動器可通過低至1.8V電源的廉價低RDS(ON)N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號; HC085N10L N溝道場效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-09-23 11:38:52
5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號; HC085N10L N溝道場效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-10-14 15:18:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個通道完全獨立,其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2:用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
50A 150V PWM直流驅(qū)動電路
2009-02-09 12:43:16
1096 
輸出150V,50A的伺服驅(qū)動電路
2009-02-17 20:20:27
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IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開
2009-08-18 12:00:51
1624 MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動器,用于HB LED驅(qū)動器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動器,高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:04
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安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:09
2023 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:00
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10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:27
1392 
近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:43
1517 
同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3895,該器件可驅(qū)動一個全 N 溝道 MOSFET 電源級。其 4V 至 140V (150V 絕對最大值) 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作,從而無需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:38
4206 ,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7003,該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:51
2577 ,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:58
5268 
LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲,容易地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:38
5836 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路:
2017-10-19 16:02:37
23 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,該器件包含一個內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:00
4623 
LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:00
3821 
快速150V保護(hù)高側(cè)Driver_zh
2019-08-16 06:08:00
5677 達(dá)拉斯, 2月。 1,2016 //PRNewswire/- 德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)今日推出首款用于高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高端FET驅(qū)動器,提供先進(jìn)的功率保護(hù)
2019-08-07 15:12:18
4707 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:11
3 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
11 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:08
1 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:48
2 LTC4444 - 100V 高速同步 N 溝道 3A MOSFET 驅(qū)動器用于高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 11:25:07
3 LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:31
6 LTC4449:高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:57
7 LTC3894:150V低IQ降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊
2021-05-11 08:13:18
11 LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:14
6 LT1336:帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:34
1 LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:07
5 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:19
4 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:54
5 LTC3639演示電路-高效、150V同步降壓轉(zhuǎn)換器(4-150V至3.3V@100 mA)
2021-06-08 08:44:23
47 本演示電路是一款面向一般應(yīng)用的 N 溝道半橋。該半橋可用 TTL/CMOS 電平信號驅(qū)動至負(fù)責(zé)驅(qū)動 N 溝道 MOSFET 的 LT?1336 中。獨立式高端驅(qū)動器穩(wěn)壓器可實現(xiàn) 100% 占空比
2021-06-17 21:21:15
7 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,其中
2022-04-01 09:12:42
3969 MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器,可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對
2022-10-25 09:19:34
2413 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX100UNE
2023-02-09 21:20:40
0 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX100UN
2023-02-15 18:43:46
0 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:31
0 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:43
0 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:56
0 30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:00
0 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:05
0 N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS
2023-02-22 18:47:15
0 N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS
2023-02-22 18:47:43
0 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:24
1 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB150UNE
2023-02-27 19:01:55
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA
2023-03-03 19:35:43
0 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45
2121 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32
2107 小,但在某些應(yīng)用領(lǐng)域,P溝道MOSFET因其本身的電性特點,有其不可替代性,目前驪微電子可提供-30~-150V,-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案,封裝
2022-11-11 16:00:46
4663 
在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時,有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹,將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34
2087 
強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:49
2165 
鎮(zhèn)流器。HOTCHIP系列高壓MOSFET因其卓越的電氣特性,在眾多領(lǐng)域顯得尤為重要。這些特性使得華芯邦HOTCHIP高壓MOSFET在開關(guān)電源、PWM電機(jī)控制、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器、電機(jī)驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器和橋接電路等應(yīng)用中非常適用,為各種高壓應(yīng)用提供了理想的電源管理解決方案。
2024-08-21 18:07:52
1412 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:40:56
0 LM5109B-Q1 是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-19 15:50:53
607 
LM5109B 器件是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動的 高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 10:16:27
870 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 10:47:03
623 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:03:26
709 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:18:26
799 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 13:37:44
622 
LM5109A 是一款經(jīng)濟(jì)高效的高壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過 TTL
2025-05-21 14:03:18
651 
LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:13
1049 
LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 14:49:34
640 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 14:57:44
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LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 15:25:58
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LM5104 高壓柵極驅(qū)動器旨在驅(qū)動高側(cè)和 采用同步降壓配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高邊驅(qū)動器可以 可在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器由 單個 input。狀態(tài)
2025-05-21 16:47:51
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LM5102 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨立控制的。每個輸出的上升沿可以
2025-05-21 16:59:12
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LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58
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Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器,在高達(dá)150V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16
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Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動器是一款柵極驅(qū)動器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49
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Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
2025-08-15 15:03:49
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Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動器提供三個器件,每個器件均能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8329驅(qū)動器使用內(nèi)部電荷泵生成
2025-09-08 10:38:54
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Texas Instruments DRV8231 33V H橋驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動來提高效率。
2025-09-24 11:20:49
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Texas Instruments DRV8231A 33V H橋驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動來提高效率。
2025-09-24 11:30:52
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DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。這些器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓,并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07
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DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓,而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20
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DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該
2025-10-14 15:30:54
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DRV8305-Q1器件是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個高精度半橋驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動器支持100%占空比和冷啟動情況下的低壓作。該器件可承受高達(dá)45V的負(fù)載突降電壓。
2025-10-16 16:13:46
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DRV8305器件是用于三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個高精度和溫度補(bǔ)償?shù)陌霕?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動器支持100%占空比和低壓工作。該
2025-10-17 10:01:14
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該DRV8303是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個半橋驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。該器件支持高達(dá) 1.7A 的源極電流和 2.3A 的峰值電流能力。該
2025-10-17 14:36:51
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150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù),成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件,為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關(guān)解決方案。
2025-10-31 11:03:47
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以及電流檢測禁用等功能。NCV84160 MOSFET驅(qū)動器包括兼容CMOS (3V/5V) 的控制輸入。該MOSFET驅(qū)動器的工作溫度范圍為-40°C至150°C,電壓范圍為4.5V至28V。NCV84160 MOSFET驅(qū)動器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-25 11:02:48
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威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20
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威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 14:34:23
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