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電子發(fā)燒友網(wǎng)>工業(yè)控制>伺服與控制>快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

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30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000

N 溝道 LFPAK 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050

N 溝道 LFPAK 100V,39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS
2023-02-22 18:47:150

N 溝道 LFPAK 100V,72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS
2023-02-22 18:47:430

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)

側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:241

20V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB150UNE

20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB150UNE
2023-02-27 19:01:550

30V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA

30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA
2023-03-03 19:35:430

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:452121

東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107

p型mos管-30V/-100V/-150V選型,士蘭微mos管代理

小,但在某些應(yīng)用領(lǐng)域,P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn),有其不可替代性,目前驪微電子可提供-30~-150V,-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案,封裝
2022-11-11 16:00:464663

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)器

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對這個(gè)過程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:342087

強(qiáng)茂推出最新的60V、100V150V車規(guī)級MOSFET

強(qiáng)茂推出最新的60V、100V150V車規(guī)級MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165

高壓MOSFET功率器件4A-500V N溝道MOSFET半導(dǎo)體提供平面條紋和DMOS技術(shù)

鎮(zhèn)流器。HOTCHIP系列高壓MOSFET因其卓越的電氣特性,在眾多領(lǐng)域顯得尤為重要。這些特性使得華芯邦HOTCHIP高壓MOSFET在開關(guān)電源、PWM電機(jī)控制、開關(guān)轉(zhuǎn)換、高效率DC-DC轉(zhuǎn)換、開關(guān)穩(wěn)壓、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和橋接電路等應(yīng)用中非常適用,為各種高壓應(yīng)用提供了理想的電源管理解決方案。
2024-08-21 18:07:521412

ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:40:560

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5109B-Q1 是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-19 15:50:53607

LM5109B 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5109B 器件是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 10:16:27870

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 10:47:03623

LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:03:26709

LM5100C 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:18:26799

LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 13:37:44622

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5109A 是一款經(jīng)濟(jì)高效的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過 TTL
2025-05-21 14:03:18651

LM5109系列 100V / 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131049

LM5107系列 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 14:49:34640

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 14:57:44696

LM5100A 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 15:25:58698

LM5104系列 具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5104 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在驅(qū)動(dòng)側(cè)和 采用同步降壓配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高邊驅(qū)動(dòng)器可以 可在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由 單個(gè) input。狀態(tài)
2025-05-21 16:47:51686

LM5102系列 具有 8V UVLO 和可編程延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5102 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨(dú)立控制的。每個(gè)輸出的上升沿可以
2025-05-21 16:59:12646

LM5101系列 高壓高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58890

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動(dòng)器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)150V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16716

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49913

LM2103 107V半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動(dòng)器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
2025-08-15 15:03:49918

?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供三個(gè)器件,每個(gè)器件均能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8329驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部電荷泵生成
2025-09-08 10:38:542670

DRV8231 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8231 33V H橋驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動(dòng)來提高效率。
2025-09-24 11:20:49738

德州儀器DRV8231A H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8231A 33V H橋驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動(dòng)來提高效率。
2025-09-24 11:30:52807

?DRV8329 三相無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07529

?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,而 GVDD 驅(qū)動(dòng)側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20528

?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該
2025-10-14 15:30:54804

?DRV8305-Q1 三相汽車智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8305-Q1器件是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件提供三個(gè)高精度半橋驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動(dòng)器支持100%占空比和冷啟動(dòng)情況下的低壓作。該器件可承受高達(dá)45V的負(fù)載突降電壓。
2025-10-16 16:13:46522

?DRV8305三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8305器件是用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件提供三個(gè)高精度和溫度補(bǔ)償?shù)陌霕?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動(dòng)器支持100%占空比和低壓工作。該
2025-10-17 10:01:14566

?DRV8303三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該DRV8303是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件提供三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。該器件支持高達(dá) 1.7A 的源極電流和 2.3A 的峰值電流能力。該
2025-10-17 14:36:51662

ZK150G002TP:SGT技術(shù)賦能的150V高壓大電流MOSFET標(biāo)桿

150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù),成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件,為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關(guān)解決方案。
2025-10-31 11:03:47205

NCV84160自保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

以及電流檢測禁用等功能。NCV84160 MOSFET驅(qū)動(dòng)器包括兼容CMOS (3V/5V) 的控制輸入。該MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作溫度范圍為-40°C至150°C,電壓范圍為4.5V至28V。NCV84160 MOSFET驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-25 11:02:48322

選型手冊:VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207

選型手冊:VST009N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 14:34:23226

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