它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達(dá)2 GHz的小信號(hào)到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護(hù)了晶體管，使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13
410 在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04237 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:01:11259 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的表現(xiàn)。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12435 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備，專為通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹(shù)脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標(biāo)準(zhǔn)；其引腳經(jīng)成型處理
2025-11-25 11:38:42505 安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
選型手冊(cè)：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52207 【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AEC）汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052813 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動(dòng)集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481310 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
LM195 是一款快速、單片功率集成電路，具有完全過(guò)載 保護(hù)。該器件充當(dāng)高增益功率晶體管，在芯片上包含 電流限制、功率限制和熱過(guò)載保護(hù)使其幾乎不可能 從任何類型的過(guò)載中銷毀。
包含熱限制，這是
2025-09-09 11:19:21605 
選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開(kāi)關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223273 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
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2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
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2025-07-04 18:31:18
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2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
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2025-06-30 18:33:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，860
2025-06-27 18:31:05
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
的過(guò)渡步驟。
不過(guò)2017 年提出的叉片設(shè)計(jì)初始版本似乎過(guò)于復(fù)雜，無(wú)法以可接受的成本和良率進(jìn)行制造?，F(xiàn)在，Imec 推出了其叉片晶體管設(shè)計(jì)的改進(jìn)版本，該設(shè)計(jì)有望更易于制造，同時(shí)仍能為下一代工藝技術(shù)提供功率
2025-06-20 10:40:07
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2025-06-12 18:32:26
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2025-06-06 18:32:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-06-06 18:32:31
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，902
2025-06-06 18:31:53
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494 
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412510 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開(kāi)關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。
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2025-05-15 14:24:23
LM195/LM395 是具有完全過(guò)載保護(hù)的快速單片電源集成電路。這些器件充當(dāng)高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過(guò)載保護(hù)，使其幾乎不可能因任何類型的過(guò)載而損壞。在標(biāo)準(zhǔn) TO-3 晶體管功率封裝中，LM195 將提供超過(guò) 1.0A 的負(fù)載電流，并可在 500 ns 內(nèi)切換 40V。
2025-05-15 10:41:11781 
LP395 是一款具有完全過(guò)載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過(guò)載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過(guò)載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹(shù)脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-14 17:21:59
0 晶體管的性能得到了顯著提升，開(kāi)啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜，有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
2025-04-16 16:42:262 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計(jì)，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì)，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
2025-04-14 16:07:46
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJE13005D高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-21 16:52:420 MAX2601/MAX2602是針對(duì)便攜式蜂窩和無(wú)線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管，采用三節(jié)鎳鎘/鎳氫電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當(dāng)針對(duì)恒定包絡(luò)應(yīng)用（例如FM或FSK）進(jìn)行偏置時(shí)，這些晶體管可使
2025-03-19 11:38:14862 
MAX2601/MAX2602是針對(duì)便攜式蜂窩和無(wú)線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管，采用三節(jié)NiCd/NiMH電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當(dāng)針對(duì)恒定包絡(luò)應(yīng)用（例如FM或FSK）進(jìn)行偏置時(shí)，這些晶體管可使
2025-03-19 11:33:39854 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 設(shè)計(jì)展現(xiàn)出MC9S12ZVML128微控制器對(duì)于電機(jī)控制的適用性和優(yōu)勢(shì)。這是一個(gè)使用飛思卡爾16位S12 MagniV混合信號(hào)MCU設(shè)計(jì)BLDC控制的示例。
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2025-03-12 17:47:37
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
成為高頻放大器和混頻器應(yīng)用的理想選擇。這兩個(gè)陣列都是匹配的高頻晶體管對(duì)。匹配簡(jiǎn)化了直流偏置問(wèn)題，并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高fT使UHF放大器的設(shè)計(jì)具有卓越的穩(wěn)定性.
2025-02-26 09:29:07866 
的 fT 為 7GHz。兩種類型都具有低噪聲特性，是高頻放大器和混頻器應(yīng)用的理想選擇。兩個(gè)陣列都是匹配的高頻晶體管對(duì)。這種匹配簡(jiǎn)化了 DC 偏置問(wèn)題，并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高 fT 使 UHF 放大器的設(shè)計(jì)具有卓越的穩(wěn)定性。
2025-02-25 17:26:35897 
和 HFA3127 都是 NPN 陣列，而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個(gè)晶體管的每個(gè)端子提供訪問(wèn)，以實(shí)現(xiàn)最大的應(yīng)用靈活性。這些晶體管陣列的單片結(jié)構(gòu)提供了五個(gè)晶體管的緊密電氣和熱匹配。應(yīng)用說(shuō)明 AN9315 說(shuō)明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3102 是一個(gè)全 NPN 晶體管陣列，配置為帶有尾部晶體管的雙差分放大器。該陣列基于 Intersil 鍵合晶圓 UHF-1 SOI 工藝，可實(shí)現(xiàn)非常高的 fT （10GHz），同時(shí)在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持出色的 hFE 和 VBE 匹配特性。集電極漏電流保持在 0 以下。
2025-02-25 16:42:56940 
和 HFA3127 都是 NPN 陣列，而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個(gè)晶體管的每個(gè)端子提供訪問(wèn)，以實(shí)現(xiàn)最大的應(yīng)用靈活性。這些晶體管陣列的單片結(jié)構(gòu)提供了五個(gè)晶體管的緊密電氣和熱匹配。應(yīng)用說(shuō)明 AN9315 說(shuō)明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:15:33859 
和 HFA3127 都是 NPN 陣列，而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個(gè)晶體管的每個(gè)端子提供訪問(wèn)，以實(shí)現(xiàn)最大的應(yīng)用靈活性。這些晶體管陣列的單片結(jié)構(gòu)提供了五個(gè)晶體管的緊密電氣和熱匹配。應(yīng)用說(shuō)明 AN9315 說(shuō)明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:05:09826 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69系列PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 15:37:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 15:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69;BC869;BC69PA PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 15:36:190 CTMICRO兆龍科技推出直流輸入4針長(zhǎng)小型平面光電晶體管光耦
2025-02-17 16:49:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:21:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:19:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP52系列晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:36:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4480X晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS5350PAS晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:09:070 由格拉斯哥大學(xué)研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一項(xiàng)具有里程碑意義的進(jìn)展可能有助于創(chuàng)造用于大功率電子產(chǎn)品的新一代金剛石基晶體管。 該團(tuán)隊(duì)找到了一種新方法，將金剛石作為晶體管的基礎(chǔ)，該晶體管在默認(rèn)情況下保持關(guān)閉狀態(tài)，這對(duì)
2025-02-09 17:38:42748 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123ET晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTC123EMB晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 16:58:190 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271021
我用普通的飛思卡爾單片機(jī)與ADS8344通信采集電壓，寫程序讀不出電壓值，請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有例程代碼？
2025-01-13 07:01:46
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