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電子發(fā)燒友網(wǎng)>通信網(wǎng)絡(luò)>通信芯片>恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

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半導體(NXP Semiconductors N.V.)(Nasdaq: NXPI)日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管,與采用任何技術(shù)或在任何頻率下的產(chǎn)品相比,都具有最強大的性能
2016-05-09 11:53:051173

發(fā)布Airfast 3射頻功率晶體管

半導體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產(chǎn)品,首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點 LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術(shù)上達到了新的里程碑,在
2016-11-25 16:16:471320

突破固態(tài)射頻能量極限

全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652

耐用型大功率LDMOS晶體管介紹

  本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517

采用LDMOS晶體管設(shè)計AB類功率放大器

Nitride) 晶體管設(shè)計了一款1.3 GHZ 用于雷達的AB 類功率放大器;采用LDMOS 技術(shù)在集成電路中實現(xiàn)了工作頻率為3.8 GHZ 的AB類功率放大
2017-10-31 11:06:4317

射頻功率晶體管耐用性的驗證

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738

射頻功率晶體管耐用性的驗證

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884

如何驗證RF功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08622

檢驗RF功率晶體管耐用性測試方案

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:161791

安譜隆半導體推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管

安譜隆半導體(Ampleon)宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為
2018-05-02 14:44:004397

快速了解小型射頻功放晶體管可為射頻能量應(yīng)用提供600W功率

安譜隆半導體(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878

安譜隆半導體宣布推出600W功率放大器晶體管

安譜隆半導體(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912

貿(mào)澤電子即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 (RF
2018-05-08 18:36:001524

半導體推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管

半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW),比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066

BLC8G24LS-240AV LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載

240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應(yīng)用的不對稱多爾蒂功率晶體管,其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019

BLF6G22-180PN LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載

180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:0012

BLF6G38-10和BLF6G38-10G WiMAX功率LDMOS晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費下載

10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007

BLF7G22L-130N LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載

130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:005

BLF7G26L—140和BLF7G27LS-140LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊

140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:008

BLF8G19LS-170BV LDMOS功率晶體管的詳細資料免費下載

170 W LDMOS功率晶體管,具有改善的視頻帶寬,用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007

Ampleon推出功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管

埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管,用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:003381

GHz技術(shù) UltraRF在RF功率晶體管中形成聯(lián)盟

無線應(yīng)用的射頻(RF功率晶體管的橫向擴散MOS技術(shù)。 對于某些高性能應(yīng)用,今天的LDMOS器件不足, 圣克拉拉的GHz技術(shù)營銷和銷售副總裁Mike Mallinger說。 通過采用UltraRF的硅
2020-02-12 12:17:042466

Nexperia公司推出了一款全新功率汽車雙極晶體管

總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管(符合 AEC-Q101 標準
2019-12-03 09:32:353351

如何驗證射頻功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS晶體管
2020-08-20 18:50:000

如何提高RF功率晶體管的耐用性和驗證方案詳細說明

眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2020-08-14 18:51:000

如何才能提高RF功率晶體管的耐用性

 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2020-08-12 18:52:001

5G手機網(wǎng)絡(luò)晶體管RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國正式投入運營

據(jù)報道,斥資1億美元,用于擴建5G手機網(wǎng)絡(luò)晶體管RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國亞利桑那州錢德勒工廠(Chandlerfactory)日前正式投入運營。
2020-10-11 10:02:012370

功率晶體管的工作原理 功率晶體管的特點

  功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會影響功率晶體管的性能,因此在選擇功率晶體管時,應(yīng)該根據(jù)實際應(yīng)用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373681

MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書

MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書,這些設(shè)備被設(shè)計用于HF和VHF通信,工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)以及廣播和航空航天應(yīng)用程序。這些設(shè)備非常堅固,表現(xiàn)出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:471

晶體管功率繼電器的基本介紹

晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關(guān)元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關(guān)特性
2024-06-28 09:13:591665

羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命

產(chǎn)品類型。 隨著市場技術(shù)的快速迭代,基于先進技術(shù)的應(yīng)用創(chuàng)新極具挑戰(zhàn),客戶需要長期供貨支持。針對擁有長壽命系統(tǒng)的客戶,羅徹斯特電子與Ampleon合作支持延長產(chǎn)品生命周期。 羅徹斯特電子的Ampleon庫存包含已停產(chǎn)ICN8系列LDMOS功率射頻晶體管,適用于移動寬帶領(lǐng)域的基站應(yīng)用
2024-08-12 10:03:501688

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