飛思卡爾針對TD-SCDMA無線網(wǎng)絡(luò)推出RF功率器件和參考設(shè)計:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N

飛思卡爾半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設(shè)計人員提供介于分離式和集成式電路解決方案之間的選擇。此選擇隨同提供兩個參考設(shè)計，為設(shè)計人員帶來更好的靈活性，并且有助于縮短上市時間。新晶體管經(jīng)過優(yōu)化，用于基于時分同步碼分多址技術(shù)（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA則是目前中國國內(nèi)廣泛部署的第三方無線標準，同時其他市場也正在考慮使用該技術(shù)。

飛思卡爾新型的高效器件包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器IC。它同時還推出基于Doherty 架構(gòu)的兩款參考設(shè)計，從而提高了生產(chǎn)商為TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建緊湊型經(jīng)濟高效的、高性能基站收發(fā)器產(chǎn)品的能力。

飛思卡爾副總裁兼 RF部門總經(jīng)理 Gavin Woods 表示，“飛思卡爾為中國使用 TD-SCDMA無線技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的客戶提供高性能的解決方案，并繼續(xù)保持在LDMOS RF技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。飛思卡爾利用其在RF功率技術(shù)方面的知識和領(lǐng)先地位，支持TD-SCDMA的特定需求。目前整個中國都在迅速部署TD-SCDMA技術(shù)?！?

整體設(shè)計的靈活性

飛思卡爾最新的RF LDMOS 器件使構(gòu)建RF 功率放大器成為可能，這些放大器經(jīng)過優(yōu)化后適合選定的設(shè)計。設(shè)計人員可以在分離式三級PA配置中選擇 MRF7P20040H作為最終的放大器，或者在兩級PA配置中選擇MD7IC2050N IC（包括驅(qū)動和末級放大器）。兩個器件都能很好地滿足 在Doherty放大器的使用需求，并且通常部署在現(xiàn)有的基站收發(fā)器里。Doherty放大器包括在不同發(fā)射信號條件下運行的兩臺放大器，并且它通常需要為每個放大器分別提供單獨的晶體管。

不過，飛思卡爾MRF7P20040H和MD7IC2050N 支持雙路徑配置，這樣在末級放大器中用單個器件（而不是兩個）就能安裝 Doherty 放大器。此外，既然兩個器件都是寬帶，它們可以在為TD-SCDMA (1880 -1920 MHz， 2010 - 2025 MHz)分配的兩個頻帶中運行，因此使用同一個器件可以在兩個頻帶里實現(xiàn)RF功率。這些優(yōu)勢能大大減少 TD-SCDMA 放大器的尺寸、計費單以及電路的復雜程度，同時還能簡化清單管理。

Doherty放大器參考設(shè)計

飛思卡爾引入兩款Doherty放大器參考設(shè)計，能夠大幅縮短放大器的設(shè)計周期。第一款設(shè)計采用飛思卡爾MMG3014N通用放大器驅(qū)動MD7IC2050N，以生成基于兩級IC的陣列，RF平均輸出功率為10W時交付35%的效率和45dB的總增益。第二款設(shè)計將飛思卡爾MMG3014N 作為預驅(qū)動，MW6S004N LDMOS FET作為驅(qū)動，MRF7P20040H作為末級放大器。由此生成三級分離式陣列，RF平均輸出功率為10W時交付38%的效率和50dB的總增益。

這兩款器件包括用6載頻 2025 MHz TD-SCDMA測出的Doherty常見性能，其他重要特性則包括：

· MRF7P20040HS：RF輸出功率峰值為50W ；平均輸出功率為10W時漏極效率為43%，增益是18dB。氣孔陶瓷封裝帶內(nèi)部匹配件，便于使用方便。

· MD7IC2050N：RF輸出功率峰值為70W;平均輸出功率為10W時漏極效率是35%，增益是29 dB。片上靜態(tài)電流溫度補償，提供與225°C超模壓塑料封裝匹配的50歐姆片上輸入。

兩款RoHS兼容的器件都是在對稱的Doherty放大器配置中測試后再生產(chǎn)的，以提供具有保證的RF功率輸出。同時它們組合靜電放電（ESD）保護，防止由于組裝線上雜散能量導致的破壞。

定價和供貨

如需了解取樣和定價信息，請您與飛思卡爾半導體公司、當?shù)劁N售辦事處或授權(quán)的經(jīng)銷商聯(lián)系。