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DRV5012 超低功耗數(shù)字鎖存器霍爾效應傳感器

數(shù)據(jù):

描述

DRV5012器件是可通過引腳選擇采樣率的超低功耗數(shù)字鎖存器霍爾效應傳感器。™

當南磁極靠近封裝頂部并且超出B OP 閾值時,該器件會驅(qū)動低電壓。輸出會保持低電平,直到應用北極并且超出B RP 閾值, B OP 和B RP 以提供可靠切換。 p>

通過使用內(nèi)部振蕩器,DRV5012器件對磁場進行采樣,并根據(jù)SEL引腳以20Hz或2.5kHz的速率更新輸出。這種雙帶寬特性可讓系統(tǒng)在使用最小功率的情況下監(jiān)控移動變化。

此器件通過1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封裝。

特性

  • 行業(yè)領先的低功耗特性
  • 可通過引腳選擇的采樣率:
    • SEL =低電平:使用1.3μA(1.8V)時為20Hz
    • SEL =高電平:使用142μA(1.8V)時為2.5kHz
  • V CC 工作電壓范圍為1.65V至5.5V
  • 高磁性靈敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滯: 4mT(典型值)
  • 推挽式CMOS輸出
  • 小型纖薄X2SON封裝
  • 運行溫度范圍:-40°C至+ 85°C < /li>

所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 霍爾效應鎖存器和開關

 
Type
Supply Voltage (Vcc) (Min) (V)
Supply Voltage (Vcc) (Max) (V)
Operate Point (Max) (mT)
Release Point (Min) (mT)
Output
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Pin/Package
DRV5012 DRV5011 DRV5013
Latch     Latch     Latch    
1.65     2.5     2.5    
5.5     5.5     38    
3.3     3.8     3.4
5
9
18    
-3.3     -3.8     -3.4
-5
-9
-18    
Push-pull output driver     Push-pull output driver     Open drain    
-40 to 85     -40 to 135     -40 to 125    
X2SON     SOT-23
X2SON    
SOT-23    
4X2SON     3SOT-23
4X2SON    
3SOT-23    

方框圖 (1)


技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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