優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 電荷注入：小于1 pC（整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)）
• 1 pF關(guān)斷電容
• 電源電壓范圍：33 V
• 導(dǎo)通電阻：120 Ω
• 額定電源電壓：±15 V/+12 V

• 3 V邏輯兼容輸入
• 軌到軌工作
• 先開后合式開關(guān)動(dòng)作
• 采用16引腳TSSOP、16引腳LFCSP_WQ和16引腳SOIC封裝
• 典型功耗：<0.03 μW

產(chǎn)品詳情

ADG1208和ADG1209均為單芯片iCMOS? 模擬多路復(fù)用器，分別內(nèi)置8個(gè)單通道和4個(gè)差分通道。ADG1208根據(jù)3位二進(jìn)制地址線A0、A1和A2所確定的地址，將8路輸入之一切換至公共輸出。ADG1209根據(jù)2位二進(jìn)制地址線A0和A1所確定的地址，將4路差分輸入之一切換至公共差分輸出。兩款器件均提供EN輸入，用來使能或禁用器件。禁用時(shí)，所有通道均關(guān)斷。接通時(shí)，各通道在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。

iCMOS （工業(yè)CMOS）是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS 器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

這些多路復(fù)用器具有超低電容和極低的電荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立時(shí)間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應(yīng)用的理想解決方案。數(shù)據(jù)手冊(cè)中的圖2顯示，在器件的整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)電荷注入極小。同時(shí)， iCMOS 結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

應(yīng)用

數(shù)據(jù)手冊(cè), Rev. A, 4/07

方框圖