### IPD50R500CE-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPD50R500CE-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。它具有高達 500V 的漏源電壓（VDS），適用于需要處理高電壓的應用場景。該 MOSFET 的柵源電壓（VGS）允許高達 ±30V，能夠滿足各種驅(qū)動要求。IPD50R500CE-VB 的柵極閾值電壓為 3.5V，并采用了先進的 SJ_Multi-EPI 技術，以實現(xiàn)優(yōu)良的高壓特性。其導通電阻（RDS(ON)）在 VGS = 10V 時為 550mΩ，能夠承載高達 7A 的電流。這些特性使得 IPD50R500CE-VB 在高電壓和高功率應用中表現(xiàn)出色。

### IPD50R500CE-VB 詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 500V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 550mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 7A  
8. **技術類型**: SJ_Multi-EPI  
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 50W  
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達 25A  
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 2800pF  
13. **反向恢復時間 (Trr)**: 典型值約 70ns  
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 80nC

### 應用領域和模塊示例

1. **開關電源 (SMPS)**:  
  IPD50R500CE-VB 在開關電源中，如高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器或高壓交流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠處理高電壓和大電流，確保高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。其高電壓承載能力和較低的導通電阻使其適合在高功率應用中使用。

2. **工業(yè)電源管理**:  
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以用于電力變換和控制，例如在高壓電源供應系統(tǒng)中的主開關。其高電壓和高電流特性使其適用于需要高可靠性和耐用性的工業(yè)設備。

3. **電動汽車 (EV)**:  
  在電動汽車系統(tǒng)中，IPD50R500CE-VB 可以用于電池管理系統(tǒng)（BMS）或電機驅(qū)動控制模塊。其高電壓耐受性和可靠性對保證電動汽車在高壓工作環(huán)境下的安全和穩(wěn)定至關重要。

4. **電機驅(qū)動控制**:  
  在需要高電壓控制的電機驅(qū)動應用中，如風扇電機或泵電機，IPD50R500CE-VB 可以提供穩(wěn)定的開關性能和耐高壓能力，從而優(yōu)化電機的工作效率和穩(wěn)定性。

IPD50R500CE-VB 以其高電壓承受能力和良好的導通性能，在需要處理高電壓和大電流的各種應用中表現(xiàn)出色，是實現(xiàn)高效和可靠功率管理的理想選擇。