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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD60R380C6-VB一款TO252封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPD60R380C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD60R380C6-VB 產(chǎn)品簡介

IPD60R380C6-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝。這款 MOSFET 設計用于處理高電壓應用,具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 11A 的漏極電流 (ID) 處理能力。它利用 SJ_Multi-EPI 技術,以提高其耐壓性能和開關效率。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 370mΩ (VGS=10V),適合高電壓和中等電流的應用場合。門極閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使得它在標準柵極驅(qū)動電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)可靠的開關操作。

### 二、IPD60R380C6-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術**:SJ_Multi-EPI 技術  
- **熱阻 (Rth)**:依據(jù)具體散熱條件而定,通常設計用于高壓應用中的有效散熱需求

### 三、應用領域與模塊示例

1. **高壓電源開關**  
  IPD60R380C6-VB 的高漏源電壓能力使其非常適合用于高壓電源開關應用。這包括工業(yè)電源、開關電源 (SMPS) 和其他需要處理高電壓的電源轉換器。它能提供可靠的開關性能,并在高壓操作下保持穩(wěn)定。

2. **電機驅(qū)動和控制**  
  在電機驅(qū)動應用中,尤其是需要高電壓的驅(qū)動系統(tǒng),IPD60R380C6-VB 可以用于電動機的功率開關和保護電路。它能夠處理高電壓,同時提供穩(wěn)定的電流控制,適用于工業(yè)電動機和高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)。

3. **能源管理系統(tǒng)**  
  該 MOSFET 適用于能源管理系統(tǒng)中的高壓功率開關和保護電路。它的高電壓耐受性和穩(wěn)定的開關性能使其適合用于太陽能逆變器、電池管理系統(tǒng)和其他能源轉換與存儲應用中。

4. **高壓電氣設備**  
  IPD60R380C6-VB 可以用于各種高壓電氣設備,如高壓繼電器、保護開關和高壓轉換器。這些應用需要在高電壓條件下可靠地開關電流,而該 MOSFET 的高電壓承受能力和低導通電阻使其成為理想選擇。

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