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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD60R450E6-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD60R450E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD60R450E6-VB 產(chǎn)品簡介  
IPD60R450E6-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。這款MOSFET設(shè)計用于高電壓環(huán)境,具備650V的最大漏源電壓和11A的漏極電流能力。其柵源電壓范圍為±30V,柵極閾值電壓為3.5V,導(dǎo)通電阻為370mΩ(在VGS=10V時)。該器件使用了SJ_Multi-EPI技術(shù),以提供卓越的耐壓性能和熱穩(wěn)定性,非常適合高壓電源開關(guān)和其他要求高電壓承載能力的應(yīng)用場合。

### 二、IPD60R450E6-VB 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **其他特性**:高耐壓、良好的熱穩(wěn)定性和高功率處理能力,適合高壓和高功率應(yīng)用。

### 三、IPD60R450E6-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  
1. **高壓電源開關(guān)**:IPD60R450E6-VB 由于其650V的高耐壓能力,適用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。這種MOSFET能夠穩(wěn)定地管理高電壓電源,減少能量損耗并提高效率。

2. **逆變器**:在太陽能逆變器、UPS(不間斷電源)和其他高功率逆變器應(yīng)用中,該MOSFET的高電壓承載能力和熱穩(wěn)定性使其成為理想的選擇。它能夠有效地承受逆變器中的高電壓應(yīng)力,確保系統(tǒng)的可靠性和長壽命。

3. **工業(yè)電源模塊**:在工業(yè)設(shè)備和電源系統(tǒng)中,IPD60R450E6-VB 可用作高壓電源模塊的開關(guān)元件。其優(yōu)越的耐壓性能能夠滿足工業(yè)應(yīng)用中對高壓穩(wěn)定性的要求,提高整體系統(tǒng)的可靠性和安全性。

4. **電動工具**:在高電壓電動工具中,如電動鉆和電鋸,IPD60R450E6-VB 可以用作開關(guān)控制器。它的高耐壓和穩(wěn)定性確保了工具的安全運行,即使在高功率應(yīng)用中也能保持高效能。

這些應(yīng)用領(lǐng)域充分利用了IPD60R450E6-VB 的高電壓處理能力和穩(wěn)定性,使其在高功率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。

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