### IPD60R520CP-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD60R520CP-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。它具有 650V 的漏源電壓（VDS）和 ±30V 的柵源電壓（VGS），能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的柵極閾值電壓為 3.5V，采用先進(jìn)的 SJ_Multi-EPI 技術(shù)以提高高電壓特性和性能。IPD60R520CP-VB 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS = 10V 時(shí)為 500mΩ，能夠承載高達(dá) 9A 的電流。這些特性使得 IPD60R520CP-VB 適用于需要高電壓、高功率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。

### IPD60R520CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 500mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 9A  
8. **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI  
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 60W  
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 30A  
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 3500pF  
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值約 80ns  
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 120nC

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:  
  IPD60R520CP-VB 在高壓開(kāi)關(guān)電源中，如高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器或交流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠處理高達(dá) 650V 的電壓，適用于高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)電源管理**:  
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以用于高壓電源供應(yīng)系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)模塊。其高電壓和高電流能力使其能夠處理工業(yè)環(huán)境中的高功率需求，同時(shí)保持高效的能量轉(zhuǎn)換和熱管理。

3. **電動(dòng)汽車 (EV)**:  
  在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中，IPD60R520CP-VB 適用于電池管理系統(tǒng)（BMS）和電動(dòng)機(jī)控制模塊。其高電壓耐受性和穩(wěn)定性對(duì)于電動(dòng)汽車在高電壓和高功率環(huán)境下的安全和性能至關(guān)重要。

4. **照明控制**:  
  該 MOSFET 也適用于高電壓照明控制系統(tǒng)，例如用于高壓燈具或光源的開(kāi)關(guān)和調(diào)光模塊。其穩(wěn)定的性能和高電壓承受能力使其能夠在要求苛刻的照明應(yīng)用中保持可靠運(yùn)行。

IPD60R520CP-VB 以其高電壓承受能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能，在多種高功率、高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色，提供了可靠的解決方案。