### 產(chǎn)品簡介

IPD60R600CP-VB 是一款高電壓、高電流承載能力的單N溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。它具有650V 的漏源電壓（VDS），±30V 的柵源電壓（VGS），以及3.5V 的閾值電壓（Vth）。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為500mΩ @ VGS=10V，最大漏極電流（ID）達(dá)到9A。IPD60R600CP-VB 使用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，設(shè)計(jì)用于高電壓和高功率應(yīng)用，具有優(yōu)良的電壓耐受性和穩(wěn)定性。這使得它非常適合用于高電壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，能夠在苛刻的環(huán)境下提供可靠的性能。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO252  
2. **配置**：單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：650V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±30V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：  
  - 500mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：9A  
8. **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI  
9. **柵極電荷 (Qg)**：適中，適合高電壓開關(guān)  
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具有良好的散熱性能

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**：IPD60R600CP-VB 在高電壓開關(guān)電源和功率逆變器中表現(xiàn)出色。例如，在高壓直流到交流（DC-AC）逆變器中，該 MOSFET 能夠承受高電壓，并有效控制電流流動(dòng)，從而提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性，適用于太陽能逆變器和高壓變頻器等應(yīng)用。

2. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源供應(yīng)和功率轉(zhuǎn)換模塊中，如變頻器和高壓電源適配器，IPD60R600CP-VB 能夠處理高電壓和高電流負(fù)載，確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定和可靠。這使其在需要高電壓保護(hù)和功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)設(shè)備中非常適用。

3. **家電產(chǎn)品**：該 MOSFET 適用于高電壓家電產(chǎn)品，如電動(dòng)工具和高壓電熱器。其高漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻使其在這些高電壓負(fù)載中能有效控制功率，提高設(shè)備的整體性能和可靠性。

4. **汽車電子**：在電動(dòng)汽車的高壓電源管理系統(tǒng)中，IPD60R600CP-VB 能夠作為功率開關(guān)使用，提供高電壓耐受能力和穩(wěn)定的性能。這有助于提升電動(dòng)汽車充電器和電池管理系統(tǒng)的效率，增強(qiáng)車輛的整體安全性和性能。