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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD70N04S3-07-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD70N04S3-07-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package Package
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD70N04S3-07-VB 產(chǎn)品簡介  
IPD70N04S3-07-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET專為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有40V的最大漏源電壓和85A的高電流承載能力。其柵源電壓范圍為±20V,柵極閾值電壓為2.5V,導(dǎo)通電阻低至5mΩ(在VGS=10V時(shí))。采用Trench技術(shù),該MOSFET在開關(guān)速度和導(dǎo)電性能方面表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合用于要求高效能和低功耗的應(yīng)用場合。

### 二、IPD70N04S3-07-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:40V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ@VGS=4.5V
 - 5mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:85A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))  
- **其他特性**:低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力、低柵極電荷,適合高頻率和高功率應(yīng)用。

### 三、IPD70N04S3-07-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  
1. **電源開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器**:IPD70N04S3-07-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適用于電源開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。它能夠有效地管理電源中的高電流負(fù)載,提升電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想的選擇。它可以處理電動(dòng)汽車電機(jī)中的高功率需求,并提高系統(tǒng)的整體效率和性能。

3. **高功率LED驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET在高功率LED照明系統(tǒng)中的應(yīng)用也很廣泛。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,它能夠有效控制LED的功率輸出和亮度,確保穩(wěn)定的照明效果并提高能效。

4. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,IPD70N04S3-07-VB 可用作電源開關(guān)和負(fù)載控制。其高電流承載能力和低功耗特性使其適合各種工業(yè)應(yīng)用中的電源管理,確保設(shè)備的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

這些應(yīng)用充分發(fā)揮了IPD70N04S3-07-VB 的高效率和高開關(guān)性能,使其在高功率和高效能的場合中表現(xiàn)出色。

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