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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPF10N03LA-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPF10N03LA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPF10N03LA-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPF10N03LA-VB 是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,封裝形式為 TO252。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理 30V 的漏源電壓 (VDS) 和高達(dá) 70A 的漏極電流 (ID)。它采用了 Trench 技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻,分別為 9mΩ (VGS=4.5V) 和 7mΩ (VGS=10V)。其門極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的開關(guān)性能。這使得 IPF10N03LA-VB 在需要高電流和低功耗的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 二、IPF10N03LA-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:30V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 9mΩ @ VGS=4.5V  
 - 7mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:70A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **最大功耗**:根據(jù)具體的散熱條件而定,適用于高電流應(yīng)用中的有效散熱設(shè)計(jì)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  IPF10N03LA-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。它能夠在低電壓條件下提供高效的開關(guān)性能,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于電源管理模塊、計(jì)算機(jī)電源和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**  
  在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為電機(jī)控制電路中的功率開關(guān),提供穩(wěn)定的電流控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠保證電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的高效能和可靠性,適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

3. **電源開關(guān)和負(fù)載控制**  
  IPF10N03LA-VB 適用于各種電源開關(guān)和負(fù)載控制應(yīng)用。它的高電流能力和低功耗特性使其成為高效的負(fù)載開關(guān)解決方案,適合用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、電池管理系統(tǒng)和通信設(shè)備中的負(fù)載控制。

4. **汽車電子應(yīng)用**  
  在汽車電子系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于功率開關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠滿足汽車電源模塊和驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)對(duì)高效能和可靠性的要求。

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