### IPI100N08N3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPI100N08N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝，專為需要高電流和高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 80V 的漏源電壓（VDS），并支持 ±20V 的柵源電壓（VGS）。其柵極閾值電壓（Vth）為 3V，采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，以提供極低的導(dǎo)通電阻。在 VGS = 10V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為 6mΩ，能夠處理高達(dá) 85A 的漏極電流。這使得 IPI100N08N3 G-VB 適用于各種高功率電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用中。

### IPI100N08N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類型**: TO262  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 80V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 6mΩ @ VGS = 10V  
  - 10mΩ @ VGS = 4.5V  
7. **漏極電流 (ID)**: 85A  
8. **技術(shù)類型**: Trench  
9. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 250W  
10. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 200A  
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 5000pF  
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 250nC  
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值為 50ns  
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:  
  IPI100N08N3 G-VB 適用于高功率直流-直流轉(zhuǎn)換器，其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠在高頻開關(guān)和高負(fù)載條件下提供高效的電源轉(zhuǎn)換，減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動(dòng)汽車 (EV) 電源管理**:  
  在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于電池管理、功率開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了能量的高效傳輸，提高了電動(dòng)汽車系統(tǒng)的整體性能和電池使用壽命。

3. **工業(yè)電源模塊**:  
  IPI100N08N3 G-VB 適用于工業(yè)電源模塊，如電源調(diào)節(jié)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其優(yōu)異的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定，保證了系統(tǒng)的高效性和可靠性。

4. **大功率開關(guān)和電源保護(hù)**:  
  該 MOSFET 也適用于大功率開關(guān)和電源保護(hù)電路中。它能夠處理高電流，提供高效的開關(guān)控制和過(guò)流保護(hù)，確保系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。

IPI100N08N3 G-VB 以其高電流能力和低導(dǎo)通電阻，在各種高功率和高效率應(yīng)用中提供了可靠的性能，確保了電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。