### 一、IPP048N04N G-VB 產(chǎn)品簡介

IPP048N04N G-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，封裝形式為TO220。該MOSFET 設(shè)計用于高電流應(yīng)用，具有40V的最大漏源電壓（VDS）和110A的漏極電流（ID）能力。其柵源電壓范圍為±20V，柵極閾值電壓為2.5V。該型號MOSFET在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6mΩ，采用Trench技術(shù)，這使得它在開關(guān)性能和導(dǎo)電性能上均表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在各種高功率和高效能的應(yīng)用中都能提供卓越的表現(xiàn)。

### 二、IPP048N04N G-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO220  
- **配置**：單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**：40V  
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - 7mΩ@VGS=4.5V
 - 6mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**：110A  
- **技術(shù)**：Trench（溝槽技術(shù)）  
- **特性**：低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力、優(yōu)秀的開關(guān)性能，適合高功率應(yīng)用。

### 三、IPP048N04N G-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**：在電源管理系統(tǒng)中，IPP048N04N G-VB 能夠作為高電流開關(guān)使用，適用于高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力提高了電源系統(tǒng)的效率，減少了能量損耗，并提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**：在電動汽車的電池管理和電機驅(qū)動系統(tǒng)中，IPP048N04N G-VB 的高電流處理能力和低能量損耗有助于電池和電機的高效運行。其低導(dǎo)通電阻提升了電動汽車的能效和續(xù)航能力，同時確保了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

3. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**：在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中，該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想的功率開關(guān)元件。它可以高效地進行功率轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用于大功率電子設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等場景，滿足高功率和高效率的需求。

4. **工業(yè)電源模塊**：在工業(yè)電源模塊中，IPP048N04N G-VB 可以處理高電流和高電壓應(yīng)用。其高電流承載能力和優(yōu)異的開關(guān)性能使其適用于工業(yè)電力管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能，滿足各種工業(yè)控制和電力管理需求。

IPP048N04N G-VB 在高功率和高效能應(yīng)用中提供了卓越的性能，其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在多個領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異，成為高效能電源管理和功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。