CP200臺階儀主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量，是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀器。它采用了線性可變差動(dòng)電容傳感器LVDC，具備超微力調(diào)節(jié)的能力和亞埃級的分辨率，同時(shí)，其集成了超低噪聲信號采集、超精細(xì)運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù)，使得儀器具備超高的測量精度和測量重復(fù)性。
CP200臺階儀應(yīng)用場景適應(yīng)性強(qiáng)，其對被測樣品的反射率特性、材料種類及硬度等均無特殊要求，能夠廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、太陽能光伏、光學(xué)加工、LED、MEMS器件、微納材料制備等各行業(yè)領(lǐng)域內(nèi)的工業(yè)企業(yè)與高校院所等科研單位，其對表面微觀形貌參數(shù)的準(zhǔn)確表征，對于相關(guān)材料的評定、性能的分析與加工工藝的改善具有重要意義。
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)測量：探針式表面輪廓測量技術(shù)
樣品觀測：光學(xué)導(dǎo)航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機(jī)，F(xiàn)oV，1700*1400μm
平臺移動(dòng)范圍X/Y：電動(dòng)X/Y（100mm*100mm）（可手動(dòng)校平）
最大樣品厚度：50mm
載物臺最大晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）
臺階高度重復(fù)性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）
垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時(shí)）
儀器尺寸: 640*626*534(mm)
儀器總重量：<50kg
參數(shù)測量功能
1）臺階高度：能夠測量納米到330μm甚至1000μm的臺階高度，可以準(zhǔn)確測量蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料；
2）粗糙度與波紋度：能夠測量樣品的粗糙度和波紋度，分析軟件通過計(jì)算掃描出的微觀輪廓曲線，可獲取粗糙度與波紋度相關(guān)的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余項(xiàng)參數(shù)；
3）翹曲與形狀：能夠測量樣品表面的2D形狀或翹曲，如在半導(dǎo)體晶圓制造過程中，因多層沉積層結(jié)構(gòu)中層間不匹配所產(chǎn)生的翹曲或形狀變化，或者類似透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。
性能特點(diǎn)
1.亞埃級位移傳感器
CP200臺階儀具有亞埃級分辨率，結(jié)合單拱龍門式設(shè)計(jì)降低環(huán)境噪聲干擾，確保儀器具有良好的測量精度及重復(fù)性；
2.超微力恒力傳感器
1-50mg可調(diào)，以適應(yīng)硬質(zhì)或軟質(zhì)樣品表面，采用超低慣量設(shè)計(jì)和微小電磁力控制，實(shí)現(xiàn)無接觸損傷的接觸式測量；
3.超平掃描平臺
系統(tǒng)配有超高直線度導(dǎo)軌，杜絕運(yùn)動(dòng)中的細(xì)微抖動(dòng)，真實(shí)地還原掃描軌跡的輪廓起伏和樣件微觀形貌。
典型應(yīng)用
1、半導(dǎo)體應(yīng)用
(1)沉積薄膜的臺階高度
(2)抗蝕劑（軟膜材料）的臺階高度
(3)蝕刻速率測定
(4)化學(xué)機(jī)械拋光（腐蝕、凹陷、彎曲)
2、大型基板應(yīng)用
(1)印刷電路板（突起、臺階高度）
(2)窗口涂層
(3)晶片掩模
(4)晶片卡盤涂料
(5)拋光板
3、玻璃基板及顯示器應(yīng)用
(1)AMOLED
(2)液晶屏研發(fā)的臺階步級高度測量
(3)觸控面板薄膜厚度測量
(4)太陽能涂層薄膜測量
4、柔性電子器件薄膜應(yīng)用
(1)有機(jī)光電探測器
(2)印于薄膜和玻璃上的有機(jī)薄膜
(3)觸摸屏銅跡線
