--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 2個N溝道
- 額定電壓(VDS) 60V
- 額定電流(ID) 6A
- (RDS(ON)) 27mΩ@10V, 32mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 1.5V
- 封裝類型 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SI9945BDYT1E3絲印 VBA3638品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 2個N溝道 額定電壓(VDS) 60V 額定電流(ID) 6A 開通電阻(RDS(ON)) 27mΩ@10V, 32mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1.5V 封裝類型 SOP8應(yīng)用簡介 這款SI9945BDYT1E3 MOSFET是一款雙通道N溝道MOSFET,適用于需要雙通道功率開關(guān)和控制的應(yīng)用。它具有較高的額定電壓和額定電流能力,適用于中高功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電源管理模塊 用于高功率開關(guān)電源、DCDC變換器、逆變器等功率轉(zhuǎn)換模塊。 電機控制模塊 用于雙通道直流電機驅(qū)動、步進電機驅(qū)動等中高功率電機控制。 汽車電子模塊 用于汽車電池管理、照明控制、電動車控制等中高功率汽車電子模塊。 通信設(shè)備模塊 用于雙通道功率放大、開關(guān)模塊等中高功率通信設(shè)備模塊。總之,SI9945BDYT1E3 MOSFET適用于需要雙N溝道MOSFET進行中高功率雙通道開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的各種應(yīng)用場景,提供穩(wěn)定可靠的電流控制和功率轉(zhuǎn)換功能。
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