?？其J是碳化硅（SiC）半導(dǎo)體全球領(lǐng)先企業(yè)，德?tīng)柛？萍际?b class="flag-6" style="color: red">汽車(chē)動(dòng)力推進(jìn)技術(shù)全球供應(yīng)商，雙方的此次合作將通過(guò)采用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件技術(shù)，為未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)（EV）提供更快、更小、更輕、更強(qiáng)勁的電子系統(tǒng)。 科銳碳化硅（SiC）基金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)與德
2019-09-10 11:05:40
8290 下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19737 
` 本帖最后由 Elecfans--Jelly 于 2015-3-20 15:20 編輯
在經(jīng)濟(jì)全球化汽車(chē)零組件產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的潮浪下，開(kāi)拓?zé)o限的創(chuàng)新技術(shù)不是不可能！怎樣掌控車(chē)用微控制器集成化
2015-03-20 15:15:20
詳情見(jiàn)附件50KW/85KHz全SiC車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)新能源電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航以及環(huán)保受到越來(lái)越多的質(zhì)疑，但我自己的觀點(diǎn)是，電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展是必須要進(jìn)行的，不管受到多少質(zhì)疑。充電樁的裝機(jī)量不能滿足現(xiàn)在
2021-04-19 21:42:44
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
的上限。SiC晶體管的出現(xiàn)幾乎消除了IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，以實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的導(dǎo)通損耗（實(shí)際上，在輕載時(shí)更低）和電壓阻斷能力，除了降低系統(tǒng)的總重量和尺寸外，還能實(shí)現(xiàn)前所未有的效率?！ ∪欢c大多數(shù)顛覆性技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
。SiC-SBD可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速性和高耐壓，與PND/FRD相比Err（恢復(fù)損耗）顯著降低，開(kāi)關(guān)頻率也可提高，因此可使用小型變壓器和電容器，有助于設(shè)備小型化。以下是1200V耐壓SiC-SBD技術(shù)規(guī)格的一部分。后續(xù)將針對(duì)主要特性進(jìn)行介紹。 ＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDFRD
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
WInSiC4AP的主要目標(biāo)是什么？SiC技術(shù)在WInSiC4AP中有什么應(yīng)用？
2021-07-15 07:18:06
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
實(shí)現(xiàn)“充電5分鐘，續(xù)航超200公里?！睒O氪智能旗下威睿電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術(shù)，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，據(jù)稱(chēng)可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車(chē)發(fā)布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
文章內(nèi)容本文將介紹有關(guān)OLED的有關(guān)知識(shí)，包括幾個(gè)部分，分別如下：OLED介紹相關(guān)設(shè)置步驟部分代碼的理解總結(jié)OLED介紹OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting
2021-08-09 06:10:38
介紹一種汽車(chē)LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案
2021-05-13 06:52:48
本文介紹了一種汽車(chē)無(wú)線接入技術(shù)的解決方案。
2021-05-12 06:40:56
介紹一種高效的汽車(chē)電子測(cè)試方案
2021-05-19 06:58:20
本文以汽車(chē)線束為中心，并對(duì)車(chē)載通信技術(shù)的現(xiàn)狀與今后發(fā)展動(dòng)向作概要介紹。
2021-05-14 06:51:56
有關(guān)BLE 4.2的隱私保護(hù)的分析介紹
2021-05-19 06:15:03
有關(guān)DLP光顯電視的簡(jiǎn)單介紹
2021-06-07 06:32:05
有關(guān)TSP-Link的相關(guān)介紹
2021-05-11 06:17:55
汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)是如何定義的？汽車(chē)GPS技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展如何？
2021-05-14 06:11:51
汽車(chē)以太網(wǎng)在未來(lái)駕駛技術(shù)中的應(yīng)用
2021-01-04 06:46:42
識(shí)別技術(shù)的汽車(chē)防盜系統(tǒng)具有無(wú)接觸，工作距離大，進(jìn)度高，信息搜集處理快捷及較好的環(huán)境適應(yīng)性等特點(diǎn)。本文重點(diǎn)介紹一種基于ARM射頻識(shí)別防盜系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)，在硬件系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，移植了嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，使得系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)更加靈活。此系統(tǒng)能夠很好的克服市場(chǎng)上使用的電池遙控裝置的弱點(diǎn)，有效的達(dá)到汽車(chē)防盜的目的。
2019-09-26 07:34:18
我是汽車(chē)電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)剛畢業(yè)的學(xué)生，希望大家多多幫忙，共同進(jìn)步
2012-09-01 20:05:43
汽車(chē)電子技術(shù)的未來(lái)如何發(fā)展？網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在汽車(chē)中有哪些應(yīng)用？
2021-05-14 06:47:25
。這對(duì)從事汽修行業(yè)的人來(lái)說(shuō)挑戰(zhàn)也越來(lái)越大，這就衍生和加速了很多汽車(chē)電子的測(cè)量?jī)x器的發(fā)展。下面我介紹一款金涵電子針對(duì)汽修市場(chǎng)推出的一款汽車(chē)專(zhuān)用示波器ADO102/104，這款示波器對(duì)汽修的點(diǎn)火、傳感器、執(zhí)行器、總線都進(jìn)行了分類(lèi)，有雙通道和四通道兩款，可以對(duì)測(cè)試對(duì)象進(jìn)行對(duì)比，有萬(wàn)用表功能自由切換。`
2016-10-14 16:16:29
汽車(chē)電子行業(yè)是將電子信息技術(shù)應(yīng)用到汽車(chē)所形成的新興行業(yè)。從廣義上講，汽車(chē)電子從基礎(chǔ)元器件、電子零部件、車(chē)載電子整機(jī)、機(jī)電一體化的電子控制系統(tǒng)（ECU）、整車(chē)分布式電子控制系統(tǒng)、與汽車(chē)電子有關(guān)的車(chē)外電子系統(tǒng)等軟硬件。從系統(tǒng)看包括零部件系統(tǒng)、車(chē)內(nèi)、車(chē)際網(wǎng)絡(luò)。
2019-07-10 06:34:22
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
請(qǐng)問(wèn)各位老鳥(niǎo)我是新手汽車(chē)自動(dòng)駕駛技術(shù)是怎么回事，是用什么板子開(kāi)發(fā)的需要應(yīng)用哪些技術(shù)和知識(shí)。提問(wèn)題提得不是很好請(qǐng)各位見(jiàn)諒
2016-04-14 20:44:03
汽車(chē)藍(lán)牙OBD應(yīng)用介紹1.介紹汽車(chē)檢測(cè)現(xiàn)狀“十二五”期間，我國(guó)汽車(chē)保有量將達(dá)到1.5億輛，到2015年，保守估計(jì)我國(guó)汽車(chē)檢測(cè)量將達(dá)到1500萬(wàn)輛。值得注意的是，每到汽車(chē)年審時(shí)，不少車(chē)主都為愛(ài)車(chē)的檢測(cè)
2014-01-06 15:48:51
面對(duì)的問(wèn)題。在CDMA直放站建設(shè)中，使用的幾種主要直放站類(lèi)型有：無(wú)線同頻直放站、光纖直放站和移頻直放站。這里結(jié)合工程實(shí)際，簡(jiǎn)要介紹一下現(xiàn)階段在CDMA直放站工程設(shè)計(jì)中需要考慮的幾個(gè)重點(diǎn)問(wèn)題。
2019-06-14 06:19:20
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
本文重點(diǎn)是介紹HDMI1.4基礎(chǔ)技術(shù)及測(cè)試需求。
2021-06-04 06:21:51
項(xiàng)目名稱(chēng)：應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的基于 SiC 器件雙向諧振型 DC/DC 變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：本人一直從事電源領(lǐng)域的學(xué)習(xí)與研究，并在前一段時(shí)間對(duì)于寬禁帶SiC器件進(jìn)行了深入的調(diào)研，準(zhǔn)備開(kāi)展其在
2020-04-24 18:11:27
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是汽車(chē)總線技術(shù)？汽車(chē)總線技術(shù)有哪些特點(diǎn)？客車(chē)對(duì)總線技術(shù)有什么要求？
2021-05-14 06:13:37
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
本文介紹了汽車(chē)電子產(chǎn)品的前景、組成及影響因素;重點(diǎn)在技術(shù)研發(fā)、器件供應(yīng)體系、生產(chǎn)管理以及對(duì)電子產(chǎn)品投入的認(rèn)識(shí)方面具體分析了制約我國(guó)汽車(chē)電子產(chǎn)品發(fā)展的因素。
2021-05-19 06:01:46
影響導(dǎo)致相關(guān)的故障。GaN現(xiàn)在越來(lái)越為市場(chǎng)所接受。這有過(guò)幾次技術(shù)迭代，從“D-Mode”到Cascode，和現(xiàn)在最終的“E-Mode”(常關(guān)型)器件。GaN是一種超快的器件，需要重點(diǎn)關(guān)注PCB布板和優(yōu)化門(mén)極
2018-10-30 08:57:22
本文介紹了電動(dòng)汽車(chē)在快速充電與非接觸充電技術(shù)下是如何發(fā)展的？
2021-05-13 06:00:40
本文將介紹基于射頻識(shí)別技術(shù)的汽車(chē)防盜裝置的設(shè)計(jì)。這一系統(tǒng)克服了市場(chǎng)上使用的電池遙控裝置的弱點(diǎn)，能夠有效地達(dá)到汽車(chē)防盜的目的。
2021-05-12 06:03:11
有大蝦知道國(guó)內(nèi)外汽車(chē)噴油器的檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r嗎？求介紹、求資料。。
2013-04-19 14:33:04
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，它必將扮演舉足輕重的角色。今天要介紹的是--新型汽車(chē)天線系統(tǒng)。感謝電子通訊技術(shù)的發(fā)展，如今的汽車(chē)天線，已經(jīng)脫離了當(dāng)年筆直的外觀限制，“進(jìn)化”出了各種不同的外形和功能，它們也不再局限于
2019-06-12 08:01:26
的重點(diǎn)。然而，由于其應(yīng)用范圍極為廣泛，在使用中由功率MOSFET失效造成的系統(tǒng)故障數(shù)不勝數(shù)。可靠性是產(chǎn)品的重要指標(biāo)，汽車(chē)工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格，這使SiC MOSFET可靠性問(wèn)題成為亟待解決的重要問(wèn)題。本文
2018-11-02 16:25:31
作者：Marvell公司連接業(yè)務(wù)部技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān) Avinash Ghirnikar雖然以往的數(shù)代汽車(chē)車(chē)型以及未來(lái)的汽車(chē)都仍然可歸類(lèi)為汽車(chē)，但它們之間卻存在著巨大差異。 而且，可以肯定的是，未來(lái)這種
2019-07-18 07:08:57
到各自重點(diǎn)發(fā)展的智能交通系統(tǒng)當(dāng)中。本文主要介紹智能汽車(chē)的發(fā)展概況及簡(jiǎn)要介紹智能汽車(chē)的導(dǎo)航系統(tǒng)原理，并分析智能汽車(chē)的發(fā)展前景以及其意義。 關(guān)鍵詞：智能汽車(chē)，發(fā)展概況，導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展前景
2016-04-11 16:56:51
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
電路的內(nèi)部單元，可以有重點(diǎn)地予以介紹，指明發(fā)展方向。重點(diǎn)放在各主要技術(shù)指標(biāo)的含義和使用注意事項(xiàng)，以便于在設(shè)計(jì)電路時(shí)，正確選擇型號(hào)。由于工藝水平的提高，實(shí)際的集成運(yùn)放我與理想運(yùn)放接近，故在分析運(yùn)算電路
2017-08-11 10:32:02
如今汽車(chē)電路圖分析可有詳細(xì)點(diǎn)的介紹介紹，感謝各位大神了
2015-05-05 16:55:12
求助！誰(shuí)有關(guān)于汽車(chē)儀表的程序，用LABVIEW做的。最好界面好看點(diǎn)得，本人用的是labview8.5，希望能把版本降低到labview8.5。各位大神HELP。請(qǐng)發(fā)郵箱451290891@qq.com。不勝感激。
2011-12-19 09:09:01
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
得的研究成果，系統(tǒng)地介紹了IEEE 802.11b、802.15.1（藍(lán)牙）、ZigBee三種無(wú)線通信技術(shù)的原理、設(shè)計(jì)方法與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)技術(shù)。下面我們就來(lái)看看有關(guān)《測(cè)量與控制用無(wú)線通信技術(shù)》的相關(guān)介紹
2009-11-18 17:56:11
深?lèi)?ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
，LeapersSemiconductor使用其專(zhuān)利的電弧鍵合?技術(shù)（圖2）。 與許多汽車(chē)級(jí)功率半導(dǎo)體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同，電弧鍵合?專(zhuān)利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車(chē)應(yīng)用要求的SiC模塊的可靠性，同時(shí)顯著降低寄生電阻
2023-02-20 16:26:24
功率開(kāi)關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價(jià)格已與硅開(kāi)關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下。 隨著電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商
2021-03-11 08:01:56
藍(lán)牙技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？藍(lán)牙技術(shù)在汽車(chē)中的應(yīng)用有哪些？
2021-05-19 07:03:36
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專(zhuān)案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專(zhuān)案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26
隨著汽車(chē)攝像頭技術(shù)的發(fā)展，其分辨率、動(dòng)態(tài)范圍和幀速率越來(lái)越高，電源架構(gòu)需要根據(jù)具體的用例需求進(jìn)行調(diào)整。在本文中，我將回顧三種可用于為汽車(chē)攝像頭模塊供電的策略：全離散全集成部分集成本文重點(diǎn)介紹小外形
2022-11-07 06:40:29
綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:21
0 汽車(chē)總線的研究重點(diǎn)和關(guān)鍵技術(shù)介紹
汽車(chē)總線系統(tǒng)的研究與發(fā)展可以分為三個(gè)階段：第一階段是研究汽車(chē)的基本控制系統(tǒng)（也稱(chēng)舒適
2010-03-19 10:40:011347 有關(guān)GPU相關(guān)算法的重點(diǎn)論文
2017-08-29 16:44:499 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 安森美半導(dǎo)體很高興與SiC材料領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)袖合作。隨著對(duì)SiC的需求不斷增加，擴(kuò)展產(chǎn)能、擁有多個(gè)供應(yīng)源以及提升器件性能非常重要。安森美半導(dǎo)體正擴(kuò)展生態(tài)系統(tǒng)以保證供應(yīng)，并不斷改善成本結(jié)構(gòu)，使客戶(hù)能夠采用SiC技術(shù)。
2020-06-17 08:50:492176 介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)高10倍、電子飽和速度高2倍、能帶隙高3倍和熱導(dǎo)率高3倍。 正因如此，SiC功率器件能夠提供Si半導(dǎo)體無(wú)法達(dá)到的革命性性能，特別適合新能源、汽車(chē)、5G通信應(yīng)用中對(duì)于高功率密度、高電、高頻率、高效率、以及高導(dǎo)熱率的應(yīng)用需求。 隨著外延工藝
2020-10-26 10:12:252654 
該模塊符合AQG 324汽車(chē)功率模塊標(biāo)準(zhǔn)。B2 SiC模塊結(jié)合燒結(jié)技術(shù)用于裸片連接和銅夾，壓鑄模工藝用于實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的封裝。其SiC芯片組采用安森美的M1 SiC技術(shù)，從而提供高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，在EV主驅(qū)應(yīng)用中帶來(lái)領(lǐng)先同類(lèi)的性能。
2022-05-06 09:27:27944 
以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí)，包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
2022-08-17 17:11:011546 
Wolfspeed 先進(jìn)碳化硅（SiC）技術(shù)將在汽車(chē)逆變器中重點(diǎn)采用，管理從電池到電機(jī)的功率傳輸。首批采用 Wolfspeed 先進(jìn)碳化硅（SiC）技術(shù)的路虎?攬勝汽車(chē)將于 2024 年推出，次年推出的新型全電動(dòng)捷豹品牌也將同步引入該技術(shù)。
2022-11-03 10:53:38483 IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車(chē)智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車(chē)型用量來(lái)看，單車(chē)使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術(shù)更優(yōu)），MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體，基本可以結(jié)論，Sic和IGBT會(huì)是未來(lái)的重點(diǎn)方向。
2023-03-24 10:18:36631 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22850 
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車(chē)行駛里程）和 SiC過(guò)沖（影響可靠性）。
2023-07-04 10:34:17358 
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車(chē)行駛里程）和 SiC 過(guò)沖（影響可靠性）。
2023-07-10 09:28:53236 
上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車(chē)為什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期，我們相對(duì)放大一下，聊聊SiC在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用。
2024-01-02 13:43:17574 
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