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采用實時電阻測量方法實現(xiàn)了金屬鎳誘導(dǎo)晶化制備多晶硅薄膜的實時監(jiān)控， 實驗中使用了兩種樣品，一種采用電場增強側(cè)向晶化；另一種采用金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化。 結(jié)果表明薄膜電阻值在高溫下隨晶化時間呈指數(shù)衰減，且具有很強的溫度依賴關(guān)系。采用晶粒邊界勢壘模型解釋了阻值衰減行為， 分析計算了兩種樣品的阻值衰減規(guī)律。 電場增強方式的時間常數(shù)比非電場增強方式小，表明加電場有促進(jìn)晶化的作用。實時電阻測量方法可以用于金屬誘導(dǎo)晶化動力學(xué)的研究，是一種簡單實用的實時監(jiān)控手段。
電阻測量
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