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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

TSV制造工藝概述

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。

2025-10-13 標(biāo)簽：制造工藝 TSV 先進(jìn)封裝 1.7k 0

詳解先進(jìn)封裝中的混合鍵合技術(shù)

在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號(hào)完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平...

2025-09-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體鍵合先進(jìn)封裝 491 0

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過(guò)光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 2k 0

從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

在先進(jìn)封裝技術(shù)向超大型、晶圓級(jí)系統(tǒng)集成深化演進(jìn)的過(guò)程中，InFO 系列（InFO-MS、InFO-3DMS）與 CoWoS-L、InFO_SoW 等技術(shù)...

2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓存儲(chǔ)芯片 info 585 0

先進(jìn)Interposer與基板技術(shù)解析

傳統(tǒng)封裝方法已無(wú)法滿足人工智能、高性能計(jì)算和下一代通信技術(shù)的需求。晶體管尺寸已縮小至個(gè)位數(shù)納米量級(jí)，但傳統(tǒng)印刷線路板技術(shù)仍局限于20到30微米的線寬。這...

2025-08-22 標(biāo)簽：線路板基板先進(jìn)封裝 3.4k 0

TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域

2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整，涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、T...

2025-08-05 標(biāo)簽：封裝技術(shù)TSV 先進(jìn)封裝 2k 0

先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而，逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制程，已引發(fā)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮集成工藝方法和系統(tǒng)縮...

2025-08-05 標(biāo)簽：集成電路 3D封裝先進(jìn)封裝 1.9k 0

先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝，今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線（RDL）。

2025-07-09 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 2k 0

先進(jìn)封裝中的TSV分類及工藝流程

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝，今天分享一下先進(jìn)封裝中先進(jìn)性最高的TSV。

2025-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSV 封裝工藝 2.4k 0

從DIP到Chiplet，聊聊凸點(diǎn)制作和錫膏適配的進(jìn)化史

凸點(diǎn)制作是芯片與外部互連的前端關(guān)鍵環(huán)節(jié)。從插裝時(shí)代配角地位，到面陣封裝成為主角，再到晶圓級(jí)封裝和Chiplet時(shí)代的高精度要求，其材料從錫鉛合金發(fā)展到銅...

2025-07-05 標(biāo)簽：DIP封裝錫膏 3D封裝 1.2k 0

從焊料工程師視角揭秘先進(jìn)封裝里凸點(diǎn)制作那些事兒?

先進(jìn)封裝中，凸點(diǎn)作為芯片互連的 “微型橋梁”，材料選擇需匹配場(chǎng)景：錫基焊料（SAC系列、SnBi）性價(jià)比高，適用于消費(fèi)電子；銅基凸點(diǎn)適合高頻場(chǎng)景；金錫合...

2025-07-05 標(biāo)簽：汽車電子錫膏助焊劑 1.1k 0

XSR芯片間互連技術(shù)的定義和優(yōu)勢(shì)

XSR 即 Extra Short Reach，是一種專為Die to Die之間的超短距離互連而設(shè)計(jì)的芯片間互連技術(shù)?？梢酝ㄟ^(guò)芯粒互連（NoC）或者中...

2025-06-06 標(biāo)簽：芯片計(jì)算機(jī)互連技術(shù) 1.2k 0

面向HDAP設(shè)計(jì)的LVS/LVL驗(yàn)證

高密度先進(jìn)封裝 (HDAP) 設(shè)計(jì)如今已成為真實(shí)的產(chǎn)品。過(guò)去十年里，HDAP 技術(shù)的所有變化形式都承諾通過(guò)集成使用不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)構(gòu)建的多個(gè)集成電路 (IC...

2025-06-05 標(biāo)簽：芯片集成電路 LVS 1.3k 0

淺談玻璃通孔加工成型方法

TGV技術(shù)是近年來(lái)在先進(jìn)封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領(lǐng)域備受關(guān)注的關(guān)鍵工藝。

2025-05-23 標(biāo)簽：玻璃基板硅通孔先進(jìn)封裝 782 0

芯片晶圓堆疊過(guò)程中的邊緣缺陷修整

使用直接晶圓到晶圓鍵合來(lái)垂直堆疊芯片，可以將信號(hào)延遲降到可忽略的水平，從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時(shí)有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前，晶圓堆...

2025-05-22 標(biāo)簽：處理器堆疊芯片晶圓 1k 0

分享兩種前沿片上互連技術(shù)

隨著臺(tái)積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺(tái) CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個(gè)使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(chǔ)(HBM...

2025-05-22 標(biāo)簽：芯片互連技術(shù)先進(jìn)封裝 618 0

射頻系統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)研究進(jìn)展

通信、雷達(dá)和微波測(cè)量等領(lǐng)域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對(duì)射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。先進(jìn)封裝技術(shù)可以將不同材料、不同工藝和不同功能的器件...

2025-05-21 標(biāo)簽：封裝技術(shù)射頻系統(tǒng)先進(jìn)封裝 1.4k 0

詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）...

2025-05-15 標(biāo)簽：集成電路三星先進(jìn)封裝 1.1k 0

晶揚(yáng)電子超低電容ESD保護(hù)器件TT0501SZ產(chǎn)品介紹

晶揚(yáng)電子推出一款用于高速信號(hào)線和高頻天線的超低電容ESD保護(hù)器件—TT0501SZ。該產(chǎn)品使用最新的超低電容平臺(tái)和先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)超高速線路和高頻天...

2025-05-14 標(biāo)簽：ESD 保護(hù)器件先進(jìn)封裝 496 0

封裝工藝中的晶圓級(jí)封裝技術(shù)

我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。

2025-05-14 標(biāo)簽：晶圓級(jí)封裝先進(jìn)封裝 1.2k 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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