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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝，今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線（RDL）。

2025-07-09 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 609 0

先進(jìn)封裝中的TSV分類及工藝流程

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2025-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSV 封裝工藝 1064 0

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從焊料工程師視角揭秘先進(jìn)封裝里凸點(diǎn)制作那些事兒?

先進(jìn)封裝中，凸點(diǎn)作為芯片互連的 “微型橋梁”，材料選擇需匹配場(chǎng)景：錫基焊料（SAC系列、SnBi）性價(jià)比高，適用于消費(fèi)電子；銅基凸點(diǎn)適合高頻場(chǎng)景；金錫合...

2025-07-05 標(biāo)簽：汽車電子錫膏助焊劑 326 0

XSR芯片間互連技術(shù)的定義和優(yōu)勢(shì)

XSR 即 Extra Short Reach，是一種專為Die to Die之間的超短距離互連而設(shè)計(jì)的芯片間互連技術(shù)?？梢酝ㄟ^芯?；ミB（NoC）或者中...

2025-06-06 標(biāo)簽：芯片計(jì)算機(jī)互連技術(shù) 459 0

面向HDAP設(shè)計(jì)的LVS/LVL驗(yàn)證

高密度先進(jìn)封裝 (HDAP) 設(shè)計(jì)如今已成為真實(shí)的產(chǎn)品。過去十年里，HDAP 技術(shù)的所有變化形式都承諾通過集成使用不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)構(gòu)建的多個(gè)集成電路 (IC...

2025-06-05 標(biāo)簽：芯片集成電路 LVS 946 0

淺談玻璃通孔加工成型方法

TGV技術(shù)是近年來在先進(jìn)封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領(lǐng)域備受關(guān)注的關(guān)鍵工藝。

2025-05-23 標(biāo)簽：玻璃基板硅通孔先進(jìn)封裝 292 0

芯片晶圓堆疊過程中的邊緣缺陷修整

使用直接晶圓到晶圓鍵合來垂直堆疊芯片，可以將信號(hào)延遲降到可忽略的水平，從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時(shí)有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前，晶圓堆...

2025-05-22 標(biāo)簽：處理器堆疊芯片晶圓 624 0

分享兩種前沿片上互連技術(shù)

隨著臺(tái)積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺(tái) CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個(gè)使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(chǔ)(HBM...

2025-05-22 標(biāo)簽：芯片互連技術(shù)先進(jìn)封裝 290 0

射頻系統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)研究進(jìn)展

通信、雷達(dá)和微波測(cè)量等領(lǐng)域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對(duì)射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。先進(jìn)封裝技術(shù)可以將不同材料、不同工藝和不同功能的器件...

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詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）...

2025-05-15 標(biāo)簽：集成電路三星先進(jìn)封裝 607 0

晶揚(yáng)電子超低電容ESD保護(hù)器件TT0501SZ產(chǎn)品介紹

晶揚(yáng)電子推出一款用于高速信號(hào)線和高頻天線的超低電容ESD保護(hù)器件—TT0501SZ。該產(chǎn)品使用最新的超低電容平臺(tái)和先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)超高速線路和高頻天...

2025-05-14 標(biāo)簽：ESD 保護(hù)器件先進(jìn)封裝 232 0

封裝工藝中的晶圓級(jí)封裝技術(shù)

我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。

2025-05-14 標(biāo)簽：晶圓級(jí)封裝先進(jìn)封裝 659 0

晶圓級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)

圓片級(jí)封裝（WLP），也稱為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問...

2025-05-08 標(biāo)簽：封裝晶圓級(jí)封裝先進(jìn)封裝 645 0

Chiplet與先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)中EDA工具面臨的挑戰(zhàn)

Chiplet和先進(jìn)封裝通常是互為補(bǔ)充的。Chiplet技術(shù)使得復(fù)雜芯片可以通過多個(gè)相對(duì)較小的模塊來實(shí)現(xiàn)，而先進(jìn)封裝則提供了一種高效的方式來將這些模塊集...

2025-04-21 標(biāo)簽：處理器 eda chiplet 1182 0

淺談Chiplet與先進(jìn)封裝

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，尤其是摩爾定律的放緩，芯片設(shè)計(jì)和制造商們逐漸轉(zhuǎn)向了更為靈活的解決方案，其中“Chiplet”和“先進(jìn)封裝”成為了熱門的概念。

2025-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 eda chiplet 539 0

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下，先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢(shì)，使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。

2025-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體先進(jìn)制程先進(jìn)封裝 462 0

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及，電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下，封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝，MOS...

2025-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管先進(jìn)封裝 695 0

IC封裝產(chǎn)線分類詳解：金屬封裝、陶瓷封裝與先進(jìn)封裝

在集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)中，封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片，還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和...

2025-03-26 標(biāo)簽：IC封裝半導(dǎo)體設(shè)備先進(jìn)封裝 1017 0

將2.5D/3DIC物理驗(yàn)證提升到更高水平

高密度先進(jìn)封裝 (HDAP) 在各種最終用戶應(yīng)用中的采用率持續(xù)攀升。使用中介層（硅或有機(jī)）的 2.5D 集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)通常針對(duì)高端應(yīng)用，如軍事...

2025-02-20 標(biāo)簽：集成電路 eda 3DIC 744 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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