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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

先進(jìn)封裝廠關(guān)于Bump尺寸的管控

BumpMetrologysystem—BOKI_1000在半導(dǎo)體行業(yè)中，Bump、RDL、TSV、Wafer合稱先進(jìn)封裝的四要素，其中Bump起著界面...

2023-09-06 標(biāo)簽：封裝測(cè)量儀器先進(jìn)封裝 4119 0

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

2023-09-06 標(biāo)簽：封裝電鍍 TSV 1459 0

先進(jìn)封裝技術(shù)：BGA的焊球布線結(jié)構(gòu)圖

BGA的焊球分布有全陣列和部分陣列兩種方法。全陣列是焊球均勻地分布在基板整個(gè)底面;部分陣列是焊球分布在基板的周邊、中心部位，或周邊和中心部位都有。

2023-09-06 標(biāo)簽：單芯片封裝技術(shù)BGA 1591 0

傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的區(qū)別在哪

? 半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級(jí)封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再...

2023-08-28 標(biāo)簽：芯片 3D 封裝 2170 0

什么是先進(jìn)封裝？和傳統(tǒng)封裝有什么區(qū)別？

半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級(jí)封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到S...

2023-08-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電路板封裝 2288 0

深入了解臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)—3DFabric

進(jìn)入2010年代后，線寬接近原子的尺寸，微細(xì)化的速度開始放緩；隨著前沿制造技術(shù)的使用成本越來越高，設(shè)計(jì)方法正在轉(zhuǎn)向多芯片模塊。

2023-08-11 標(biāo)簽：TSMC 單芯片 SoC芯片 1602 0

什么是先進(jìn)封裝？先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝區(qū)別先進(jìn)封裝工藝流程

2023-08-11 標(biāo)簽：三極管 PCB板芯片設(shè)計(jì) 4184 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商，市場(chǎng)格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1092 0

先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)的交叉區(qū)域先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路芯片封裝 TSV 2687 0

什么是先進(jìn)封裝技術(shù)的核心

半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bu...

2023-08-05 標(biāo)簽：封裝技術(shù)晶圓級(jí)封裝 3D封裝 834 0

CoWoS先進(jìn)封裝是什么？

隨著chatGPT橫空出世，生成式AI紅遍全球，帶動(dòng)AI芯片的需求強(qiáng)勁，英偉達(dá)（NVIDIA）的H100、A100全部由臺(tái)積電代工，并使用臺(tái)積電的CoW...

2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電 cpu 4466 0

CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 CoWoS-R技術(shù)主要特點(diǎn)分析

CoWoS-R 技術(shù)的主要特點(diǎn)包括： 1）RDL interposer 由多達(dá) 6L 銅層組成，用于最小間距為 4um 間距（2um 線寬/間距）的布線...

2023-07-26 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律封裝技術(shù) 2.0萬 0

一文解析Chiplet中的先進(jìn)封裝技術(shù)

Chiplet技術(shù)是一種利用先進(jìn)封裝方法將不同工藝/功能的芯片進(jìn)行異質(zhì)集成的技術(shù)。這種技術(shù)設(shè)計(jì)的核心思想是先分后合，即先將單芯片中的功能塊拆分出來，再通...

2023-07-17 標(biāo)簽：封裝技術(shù)光通信 HPC 5974 0

先進(jìn)封裝技術(shù)匯總：晶圓級(jí)芯片封裝&倒裝芯片封裝

What's C4 Flip Chip? ▼C4 is: Controlled Collapsed Chip Connection受控折疊芯...

2023-07-15 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)芯片封裝 2946 1

盤點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語

先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際，工程師們將多個(gè)芯片...

2023-07-12 標(biāo)簽：fpga 晶圓封裝 1339 0

何謂先進(jìn)封裝？一文全解先進(jìn)封裝Chiplet優(yōu)缺點(diǎn)

1. 先進(jìn)制程受限，先進(jìn)封裝/Chiplet提升算力，必有取舍。

2023-07-07 標(biāo)簽：微處理器晶體管 SoC芯片 2476 0

先進(jìn)封裝中凸點(diǎn)技術(shù)的研究進(jìn)展

隨著異構(gòu)集成模塊功能和特征尺寸的不斷增加，三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。凸點(diǎn)之間的互連是實(shí)現(xiàn)芯片三維疊層的關(guān)鍵，制備出高可靠性的微凸點(diǎn)對(duì)微電子封裝技術(shù)的進(jìn)一步...

2023-07-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝 4050 0

百家爭鳴：Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)？

Chiplet俗稱“芯粒”或“小芯片組”，通過將原來集成于同一 SoC 中的各個(gè)元件分拆，獨(dú)立為多個(gè)具特定功能的 Chiplet，分開制造后再通過先進(jìn)...

2023-06-25 標(biāo)簽：封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 chiplet 2821 0

先進(jìn)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以6.9%的復(fù)合年增長率增長

隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

2023-06-21 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 426 0

先進(jìn)封裝技術(shù)是Chiplet的關(guān)鍵？

先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝既不是常規(guī)操作，目前成本也是相當(dāng)高的。但如果可以實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?，那么該行業(yè)可能會(huì)觸發(fā)一場(chǎng)chiplet革命，使IP供應(yīng)商可以銷售芯片，顛覆半...

2023-06-21 標(biāo)簽：soc ASIC設(shè)計(jì)半導(dǎo)體封裝 507 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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