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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
2023-04-25 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.4k 0
激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案
光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一,極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...
聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟:1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間,通過控制放電對玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融;2)通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力,引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。
其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng),再到光掩模,再到對準(zhǔn)系統(tǒng),再到晶圓載物臺,再到光刻膠化學(xué)成分,再到鍍膜機(jī)和顯影劑,再到計(jì)量學(xué),再到單個(gè)晶圓。
極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析
歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)的過程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開發(fā)的,現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技...
隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小,掩模版制造難度日益增加,耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬到上億,呈指數(shù)級增長,同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...
昂圖科技的極大尺寸照射場高分辨率光刻系統(tǒng)克服了FOPLP圖形形變挑戰(zhàn)
異構(gòu)集成技術(shù)集成了多個(gè)來自不同制程與功能各異的芯片來達(dá)到更優(yōu)越的效能。在大尺寸的面板級封裝中,現(xiàn)存的步進(jìn)式曝光機(jī)有著最大單一照射場(Exposure F...
從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來越重要。近年來,先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加,以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本...
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