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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)的過程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開發(fā)的,現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技...
其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng),再到光掩模,再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),再到晶圓載物臺(tái),再到光刻膠化學(xué)成分,再到鍍膜機(jī)和顯影劑,再到計(jì)量學(xué),再到單個(gè)晶圓。
隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小,掩模版制造難度日益增加,耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬(wàn)到上億,呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...
聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟:1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間,通過控制放電對(duì)玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融;2)通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力,引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。
從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對(duì)于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來越重要。近年來,先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加,以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本...
該專利提供一種光刻裝置,該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣,使得照明視場(chǎng)在曝光時(shí)間內(nèi)的累積光強(qiáng)均勻化,從而達(dá)到勻光的目的,進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)...
昂圖科技的極大尺寸照射場(chǎng)高分辨率光刻系統(tǒng)克服了FOPLP圖形形變挑戰(zhàn)
異構(gòu)集成技術(shù)集成了多個(gè)來自不同制程與功能各異的芯片來達(dá)到更優(yōu)越的效能。在大尺寸的面板級(jí)封裝中,現(xiàn)存的步進(jìn)式曝光機(jī)有著最大單一照射場(chǎng)(Exposure F...
淺談背面供電網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)
BPR 是一種技術(shù)縮放助推器,可進(jìn)一步縮放標(biāo)準(zhǔn)單元高度并減少 IR 壓降。它是埋在晶體管下方的金屬線結(jié)構(gòu)——部分在硅襯底內(nèi),部分在淺溝槽隔離氧化物內(nèi)。
極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析
歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長(zhǎng)為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
交錯(cuò)的孔會(huì)引入寄生電阻和寄生電容,除非是設(shè)計(jì)本來就有的,否則寄生效應(yīng)會(huì)對(duì)電路性能構(gòu)成不利的影響,會(huì)增加后仿真中調(diào)整參數(shù)的工作量。
集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如,硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學(xué)過程。通常,用于制造 IC 的各種工藝分為三類:薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)...
計(jì)算光刻技術(shù)有多重要?計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造?
光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程,是芯片制造過程的起始階段,包括兩個(gè)階段——光掩膜制造和圖案投影。
在PCB的制造和設(shè)計(jì)過程中,可能會(huì)出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對(duì)電路性能的影響以及解決方法。
2023-06-05 標(biāo)簽:電路pcbPCB設(shè)計(jì) 1559 0
本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理,并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻(Photoresist,PR)的...
2025-02-13 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體制造 1559 0
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