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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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前烘就是在一定溫度下,使膠膜里的溶劑緩慢地?fù)]發(fā)出來,使膠膜干燥,并增加其粘附性和耐磨性。
晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì),叫Shuttle (班車),到點(diǎn)即發(fā)車,是不是非常形象不同公司拼Wafer,得有個(gè)規(guī)則,MPW按SEAT來鎖定面積...
2023-10-10 標(biāo)簽:MPW芯片設(shè)計(jì)光刻 2813 0
電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡單的圖文介紹。
2024-04-30 標(biāo)簽:光刻電子束半導(dǎo)體制造 2807 0
加工技術(shù):IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如,采用新型的晶圓制備技術(shù),...
硬烘培溫度的上限以光刻膠流動(dòng)點(diǎn)而定。光刻膠有像塑料的性質(zhì),當(dāng)加熱時(shí)會(huì)變軟并可流動(dòng)。當(dāng)光刻膠流動(dòng)時(shí),圖案尺寸便會(huì)改變。當(dāng)在顯微鏡下觀察光刻膠流動(dòng)時(shí),將會(huì)明...
集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果,包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求,以及新應(yīng)用的推動(dòng),為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。
電子束加工(Electron Beam Machining 簡稱EBM)起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...
2023-12-07 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)光刻電子束 2381 0
光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類
光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過優(yōu)化的光源,通過光刻...
2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2336 0
助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限,極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn),EUV 光刻...
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
套刻計(jì)量(Overlay metrology)工具可提高精度,同時(shí)提供可接受的吞吐量,解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。
2023-07-10 標(biāo)簽:內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2246 0
根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
2023-04-25 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2213 0
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