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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

文章:288個(gè) 瀏覽:30668 帖子:5個(gè)

光刻技術(shù)

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

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勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們在勻膠時(shí),是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

2023-12-15 標(biāo)簽:晶圓光刻光刻膠 2929 0

光刻技術(shù)介紹 幾種常見的光刻方法

前烘就是在一定溫度下,使膠膜里的溶劑緩慢地?fù)]發(fā)出來,使膠膜干燥,并增加其粘附性和耐磨性。

2022-12-16 標(biāo)簽:mems光刻 2836 0

聊聊芯片設(shè)計(jì)、流片那些事

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晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì),叫Shuttle (班車),到點(diǎn)即發(fā)車,是不是非常形象不同公司拼Wafer,得有個(gè)規(guī)則,MPW按SEAT來鎖定面積...

2023-10-10 標(biāo)簽:MPW芯片設(shè)計(jì)光刻 2813 0

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

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電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡單的圖文介紹。

2024-04-30 標(biāo)簽:光刻電子束半導(dǎo)體制造 2807 0

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

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非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類,第一類能夠自由形成任意圖案,主要包括掃描探針刻?。⊿PL)和噴墨打印;第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材...

2023-06-21 標(biāo)簽:傳感器光刻噴墨打印 2620 0

了解衍射的來源和含義

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本文從來源和含義以及計(jì)算光刻方面講了衍射的來源。

2024-01-19 標(biāo)簽:衍射光源光刻 2483 0

IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

加工技術(shù):IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如,采用新型的晶圓制備技術(shù),...

2023-02-20 標(biāo)簽:晶圓光刻igbt芯片 2448 0

掩模工藝中硬烘培的操作方法及顯影檢驗(yàn)

硬烘培溫度的上限以光刻膠流動(dòng)點(diǎn)而定。光刻膠有像塑料的性質(zhì),當(dāng)加熱時(shí)會(huì)變軟并可流動(dòng)。當(dāng)光刻膠流動(dòng)時(shí),圖案尺寸便會(huì)改變。當(dāng)在顯微鏡下觀察光刻膠流動(dòng)時(shí),將會(huì)明...

2020-02-29 標(biāo)簽:晶圓光刻 2395 0

集成電路為什么越做越小 集成電路電阻怎么識(shí)別

集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果,包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求,以及新應(yīng)用的推動(dòng),為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。

2023-09-05 標(biāo)簽:集成電路電阻電容 2391 0

電子束加工與離子束加工工藝比較

電子束加工與離子束加工工藝比較

電子束加工(Electron Beam Machining 簡稱EBM)起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...

2023-12-07 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)光刻電子束 2381 0

Bumping工藝流程工作原理 光刻工藝原理和流程

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Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝,而Sputter是Bumping工藝的第一道工序,其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping...

2023-10-23 標(biāo)簽:超聲波光刻封裝工藝 2365 0

光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式

光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式

本Inseto知識(shí)庫文檔介紹了光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式。

2022-07-21 標(biāo)簽:曝光模式光刻晶片 2346 0

光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類

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光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過優(yōu)化的光源,通過光刻...

2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2336 0

助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限,極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn),EUV 光刻...

2019-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻EUV 2329 0

光刻掩膜技術(shù)介紹

光刻掩膜技術(shù)介紹

?? 光刻掩膜簡介 ?? ? 光刻掩膜(Photomask)又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等,通常簡稱“mask”,是半導(dǎo)體制造過程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...

2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻掩膜 2288 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...

2022-07-12 標(biāo)簽:光刻蝕刻晶片 2286 0

Overlay如何與EUV圖案保持同步

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計(jì)量(Overlay metrology)工具可提高精度,同時(shí)提供可接受的吞吐量,解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。

2023-07-10 標(biāo)簽:內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2246 0

光刻技術(shù)的種類介紹

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

2023-04-25 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2213 0

光刻技術(shù)簡述

光刻技術(shù)簡述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程

2023-04-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻光刻工藝 2176 0

SPM光刻工藝的研究報(bào)告

SPM光刻工藝的研究報(bào)告

在這篇文章中,我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設(shè)備,以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對(duì)其進(jìn)行表征。

2022-02-08 標(biāo)簽:電極光刻光刻機(jī) 2172 0

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