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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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Silvaco TCAD工藝技術(shù)參數(shù)及其說(shuō)明
?OPTOLITH模塊可對(duì)成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進(jìn)行精確定義
光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過(guò)程開(kāi)始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X...
淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 6k 0
淺談Micro OLED生產(chǎn)環(huán)節(jié)
OLED制程。①OLED陽(yáng)極。②蒸鍍OLED器件。蒸鍍和傳統(tǒng)OLED不一樣，沒(méi)有這么密的mask，需要先白光，再加濾光。③封裝，即薄膜封裝層。④CF彩色...
2023-12-04 標(biāo)簽：OLED光刻Micro OLED 5.3k 0
回顧半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)及其對(duì)光刻的影響分析與應(yīng)用
應(yīng)用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the s...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
光伏電池測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有哪些 光伏電池的分類(lèi)有哪些
光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進(jìn)行分類(lèi)。以下是一些常見(jiàn)的光伏電池分類(lèi)： 1. 硅晶體太陽(yáng)能電池：硅晶體太陽(yáng)能電池是最常見(jiàn)和廣泛應(yīng)用的光伏電池類(lèi)型...
2023-08-28 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光伏電池光伏 5k 0
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...
如何加快5nm芯片良率 ，EUV光刻或是關(guān)鍵要素
先進(jìn) 5nm 器件或先進(jìn)封裝的良率提升需要識(shí)別和去除從光刻到封裝材料的關(guān)鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級(jí)檢測(cè)必不可少。
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)光刻EUV 4.5k 0
黃光的波長(zhǎng)遠(yuǎn)離UV范圍，因此不會(huì)引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類(lèi)似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來(lái)源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...
?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱(chēng)光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱(chēng)“mask”，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...
EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋(píng)果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來(lái)的，其中又有哪...
電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。
2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 3.7k 0
共讀好書(shū) 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過(guò)程。
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