PCB上的死銅對(duì)電路性能的影響

在PCB的制造和設(shè)計(jì)過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問(wèn)題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對(duì)電路性能的影響以及解決方法。

2023-06-05 標(biāo)簽：電路pcbPCB設(shè)計(jì) 1565 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（2）

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...

2022-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1533 0

摩爾定律究竟所言何物？摩爾定律的誕生史

摩爾定律究竟所言何物？它何以如此成功？它是否論證了不可阻擋的科技發(fā)展趨勢(shì)？或者，它是否只是反映了工程學(xué)歷史上的一段獨(dú)特時(shí)期？正是在這段時(shí)間里，憑借硅晶的...

2022-12-02 標(biāo)簽：繼電器邏輯電路摩爾定律 1449 0

芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程

單片設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 30 個(gè)好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 79 個(gè)好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒(méi)有芯片良率收...

2022-07-22 標(biāo)簽：cpu晶圓光刻 1372 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1355 0

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理???...

2025-01-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻 1353 0

芯片架構(gòu)計(jì)算任務(wù)改變對(duì)計(jì)算架構(gòu)的需求

漸進(jìn)式改進(jìn)與性能的巨大飛躍相結(jié)合，雖然這些改進(jìn)將計(jì)算和分析能力提升到全新水平，但也需要全新的權(quán)衡考慮。這些變革的核心在于高度定制的芯片架構(gòu)，芯片是在最先...

2023-09-27 標(biāo)簽：傳感器芯片內(nèi)存 1333 0

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會(huì)

第六屆進(jìn)博會(huì)于近日在上海國(guó)家會(huì)展中心正式收官，ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來(lái)，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案...

2023-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1327 0

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 1326 0

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢(shì)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路光刻光刻技術(shù) 1296 0

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標(biāo)簽：MOSFET光刻 1197 0

一文詳解電子束光刻技術(shù)

本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...

2025-04-30 標(biāo)簽：工藝光刻電子束 1194 0

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片pcb芯片制造 1164 0

樂(lè)趣探索不一樣的計(jì)算光刻

之前的小講堂有介紹過(guò)，光刻過(guò)程就好比用照相機(jī)拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計(jì)版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機(jī)的鏡片組使用極其精密的加...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻微電路ASML 1118 0

《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》

從封裝的角度來(lái)看，要提高帶寬，需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層（RDL）中實(shí)...

2023-07-05 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 1096 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1093 0

這可能最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體工藝流程

共讀好書(shū) 你即使從來(lái)沒(méi)有學(xué)過(guò)物理，從來(lái)沒(méi)學(xué)過(guò)數(shù)學(xué)也能看懂，但是有點(diǎn)太簡(jiǎn)單了，適合入門(mén)，如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容，就要看這一期的內(nèi)容了，因?yàn)橹挥辛私?..

2023-12-08 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體光刻 1050 0