[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

2023-11-29 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體光刻 1.4k 0

《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》

從封裝的角度來(lái)看，要提高帶寬，需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層（RDL）中實(shí)...

2023-07-05 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 1.4k 0

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標(biāo)簽：MOSFET光刻 1.4k 0

抗蝕劑涂層方法的詳細(xì)說(shuō)明

　　在基材上涂上光刻膠。這是一種具有很高的吞吐量和潛力同質(zhì)性。旋涂的原理是典型地，幾毫升光刻膠被分配到以1000轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)的基板(通常4000 r...

2022-07-26 標(biāo)簽：光刻硅片涂層 1.3k 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過(guò)程（3）

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...

2022-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1.3k 0

樂(lè)趣探索不一樣的計(jì)算光刻

之前的小講堂有介紹過(guò)，光刻過(guò)程就好比用照相機(jī)拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計(jì)版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機(jī)的鏡片組使用極其精密的加...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻微電路ASML 1.3k 0

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片pcb芯片制造 1.3k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

全面解析***結(jié)構(gòu)及工作原理

光刻與光刻機(jī) ?對(duì)準(zhǔn)和曝光在光刻機(jī)(Lithography Tool)內(nèi)進(jìn)行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(jī)(Track)上進(jìn)行。 光刻機(jī)結(jié)...

2023-12-19 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)IC設(shè)計(jì)測(cè)量系統(tǒng) 1.3k 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

用于高分辨率制造的低成本顯微投影光刻系統(tǒng)

集成光信號(hào)分配、處理和傳感網(wǎng)絡(luò)需要小型化基本光學(xué)元件，如波導(dǎo)、分光器、光柵和光開(kāi)關(guān)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。

2023-12-04 標(biāo)簽：mems高分辨率光刻 1.1k 0

用于3D封裝的穿硅通過(guò)最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對(duì)包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲(chǔ)器在內(nèi)的消費(fèi)產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動(dòng)使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 1.1k 0

研究人員制造出直徑近30厘米的光學(xué)超表面

再見(jiàn)鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學(xué)系統(tǒng)在未來(lái)變得更薄，同時(shí)增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實(shí)現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...

2023-08-07 標(biāo)簽：光刻電子束 1.1k 0

CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究

化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來(lái)繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻蝕刻 1.1k 0

詳解無(wú)臭氧抗蝕劑剝離工藝

近年來(lái)，光掩?？刮g劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過(guò)從這些過(guò)程中消除硫酸和氫氧化銨來(lái)防止表面霧霾的形成。因此，傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 +...

2022-03-30 標(biāo)簽：工藝參數(shù)光刻 996 0

用于3D封裝的穿硅通過(guò)最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過(guò)檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計(jì)量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來(lái)仔細(xì)檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 955 0

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長(zhǎng)透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長(zhǎng)，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長(zhǎng)尺度收縮。這對(duì)用入射場(chǎng)代替掩模開(kāi)口上的場(chǎng)的基爾霍夫邊界條件...

2023-08-25 標(biāo)簽：光刻掩模 926 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來(lái)，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻EUV光刻膠 815 0

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...

2025-07-30 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 785 0