半導體光刻的工藝過程（3）

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...

2022-08-29 標簽：半導體工藝光刻 1040 0

全面解析***結(jié)構(gòu)及工作原理

光刻與光刻機 ?對準和曝光在光刻機(Lithography Tool)內(nèi)進行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(Track)上進行。 光刻機結(jié)...

2023-12-19 標簽：控制系統(tǒng)IC設(shè)計測量系統(tǒng) 1039 0

[半導體前端工藝：第三篇] 光刻——半導體電路的繪制

[半導體前端工藝：第三篇] 光刻——半導體電路的繪制

2023-11-29 標簽：電路半導體光刻 1015 0

抗蝕劑涂層方法的詳細說明

　　在基材上涂上光刻膠。這是一種具有很高的吞吐量和潛力同質(zhì)性。旋涂的原理是典型地，幾毫升光刻膠被分配到以1000轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)的基板(通常4000 r...

2022-07-26 標簽：光刻硅片涂層 1006 0

有源區(qū)工藝的制造過程

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標簽：晶圓工藝光刻 991 0

CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究

化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標簽：半導體光刻蝕刻 964 0

研究人員制造出直徑近30厘米的光學超表面

再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...

2023-08-07 標簽：光刻電子束 956 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 926 0

詳解無臭氧抗蝕劑剝離工藝

近年來，光掩?？刮g劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過從這些過程中消除硫酸和氫氧化銨來防止表面霧霾的形成。因此，傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 +...

2022-03-30 標簽：工藝參數(shù)光刻 894 0

用于高分辨率制造的低成本顯微投影光刻系統(tǒng)

集成光信號分配、處理和傳感網(wǎng)絡(luò)需要小型化基本光學元件，如波導、分光器、光柵和光開關(guān)。為了實現(xiàn)這一目標，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。

2023-12-04 標簽：mems高分辨率光刻 892 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標簽：晶圓工藝光刻 841 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標簽：晶圓工藝光刻 837 0

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

光刻是半導體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應(yīng)而形成耐...

2024-06-27 標簽：芯片半導體激光 823 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學計量可重復性，然后將該光學配準數(shù)據(jù)與最終的電氣配準數(shù)據(jù)進行比較，來仔細檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 798 0

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長透明光學元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...

2023-08-25 標簽：光刻掩模 743 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機上進行的，這些機器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標簽：光刻EUV光刻膠 711 0

電子束曝光與顯影工藝解讀

EBL就像是納米世界里的精密畫筆，能夠在極其微小的尺度上"畫"出任何你想要的二維圖案。

2025-07-09 標簽：納米光刻電子束 621 0

面向光刻的設(shè)計規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術(shù)的理解，本學期集成電路學院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標簽：集成電路光刻微電子 555 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬億...

2025-05-25 標簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 243 0