刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

碳化硅量子點(diǎn)的制備及應(yīng)用研究

尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標(biāo)志物是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰獫M足嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):生物標(biāo)志物應(yīng)該(I)無(wú)毒和生物惰性，(ii)光穩(wěn)定，即不發(fā)光，iii)不顯示發(fā)光的...

2022-06-09 標(biāo)簽：碳化硅量子點(diǎn)刻蝕 670 0

TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...

2022-05-20 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕機(jī) 2846 0

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過(guò)調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過(guò)程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標(biāo)簽：石墨烯刻蝕 2794 0

采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標(biāo)簽：射頻薄膜刻蝕 2139 0

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與...

2022-05-07 標(biāo)簽：測(cè)量硅薄膜刻蝕 1742 0

中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長(zhǎng)57.31%

? ? ? 中微公司2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，摘要如下：...

2022-04-28 標(biāo)簽：MOCVD 刻蝕中微公司 5477 0

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化...

2022-03-25 標(biāo)簽：晶片模型刻蝕 4470 0

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來(lái)自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界...

2022-03-22 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3251 0

泛林集團(tuán)推開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實(shí)現(xiàn)3D

通過(guò)與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。

2022-03-22 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2386 0

硅在氫氧化鉀水溶液中的刻蝕機(jī)理

本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證這些能帶圖...

2022-03-17 標(biāo)簽：硅材料刻蝕 1774 0

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。

2022-03-17 標(biāo)簽：工藝氮化鎵刻蝕 1574 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報(bào)告

刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示，刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。為了高的產(chǎn)量，希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝...

2022-03-15 標(biāo)簽：材料硅片刻蝕 3854 0

單片濕法刻蝕—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 ? 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過(guò)使用兩個(gè)硅晶片的晶片鍵合技術(shù)制備的。該生產(chǎn)過(guò)程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈...

2022-03-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1202 0

改善刻蝕均勻性的技術(shù)

摘要一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有第二多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2158 0

氧化硅刻蝕速率的提高方法

摘要等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時(shí)。主要的含氟...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 3466 0

碳化硅和二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來(lái)蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同...

2022-02-15 標(biāo)簽：裝置碳化硅刻蝕 3610 0

ZnO薄膜的濕法刻蝕研究報(bào)告—華林科納

摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描...

2022-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 744 0

各向異性金剛石刻蝕的研究報(bào)告

摘要金剛石具有優(yōu)良的物理和電子性能，因此使用金剛石的各種應(yīng)用正在開(kāi)發(fā)中。此外，通過(guò)蝕刻技術(shù)控制金剛石幾何形狀對(duì)于這類應(yīng)用至關(guān)重要。然而，用于蝕刻其他材...

2022-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1497 0

關(guān)于AlN和GaN的刻蝕對(duì)比研究—江蘇華林科納半導(dǎo)體

引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域，例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，...

2022-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 3842 0

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說(shuō)，它們...

2022-01-11 標(biāo)簽：刻蝕 GBDT 2793 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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