原子級(jí)潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過多維度技術(shù)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)材料去除精度控制在埃米（?）量級(jí)，同時(shí)確保表面無殘留、無損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析：一、原子層級(jí)精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體（如CF?、C?F?）與硅基材料的特異性反應(yīng)，通過調(diào)節(jié)等離子體密度（>1012/cm3）和偏壓功率（
2026-01-04 11:39:38
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晶圓刻蝕清洗過濾是半導(dǎo)體制造中保障良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其核心在于通過多步驟協(xié)同實(shí)現(xiàn)原子級(jí)潔凈。以下從工藝整合、設(shè)備創(chuàng)新及挑戰(zhàn)突破三方面解析： 一、工藝鏈深度整合 濕法刻蝕與清洗一體化設(shè)計(jì) 化學(xué)體系匹配
2026-01-04 11:22:0353 在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。以下是關(guān)于晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備的介紹：分類單片清洗機(jī)：采用兆聲波、高壓噴淋或旋轉(zhuǎn)刷洗技術(shù)，針對(duì)納米級(jí)顆粒物進(jìn)行去除。批量式清洗
2025-12-29 13:27:19204 本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13448 
Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù)，由Robert Bosch于1993年提出，屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）的一種。該
2025-12-26 14:59:47218 
提供可靠的圖形化保障。以下深度解析其工藝優(yōu)勢(shì)與技術(shù)創(chuàng)新。 一、設(shè)備核心工藝流程 華林科納四步閉環(huán)工藝，實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)圖形保真 （1）預(yù)處理（Pre-wetting） 去離子水浸潤：均勻潤濕晶圓表面，消除靜電吸附效應(yīng)。 邊緣曝光消除（Edge
2025-12-24 15:03:51145 
。 極致耐磨：作為CMP拋光墊核心層，金剛石納米顆粒實(shí)現(xiàn)晶圓全局納米級(jí)平整度，助力3nm以下先進(jìn)制程良率突破。 光學(xué)王者：深紫外（DUV）光刻機(jī)透光窗口的首選材料，保障193nm激光高透過率與長壽命。 華林科納金剛石清洗工藝流程 目標(biāo)：去除有機(jī)物、金屬污
2025-12-24 13:29:06161 
流程、核心化學(xué)品、常見問題及創(chuàng)新解決方案等維度，解析RCA濕法設(shè)備如何為晶圓表面凈化提供全周期保障。 一、RCA濕法設(shè)備核心工藝流程 華林科納RCA清洗技術(shù)通過多步驟化學(xué)反應(yīng)的協(xié)同作用，系統(tǒng)清除晶圓表面的顆粒、有機(jī)物及金屬污染物
2025-12-24 10:39:08135 一、核心化學(xué)品與工藝參數(shù) 二、常見問題點(diǎn)與專業(yè)處理措施 ? ? ? ? ? 三、華林科納設(shè)備選型建議 槽式設(shè)備：適合批量處理（25-50片/批次），成本低但需關(guān)注交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，建議搭配高精度過濾系統(tǒng)
2025-12-23 16:21:5946 
襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見的襯底清洗方法及適用場(chǎng)景：一
2025-12-10 13:45:30323 
日前，衢州市科學(xué)技術(shù)局發(fā)布《衢州市科學(xué)技術(shù)局關(guān)于下達(dá)2025年度市競(jìng)爭性科技攻關(guān)項(xiàng)目的通知》（衢市科發(fā)規(guī)〔2025〕18號(hào)），浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“公司”）憑借“高性能硅基復(fù)合襯底
2025-12-09 15:35:48507 BVceo ≥80V。薩科微半導(dǎo)體總部設(shè)在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)公司的發(fā)展，薩科微技術(shù)團(tuán)隊(duì)主要來自韓國延世大學(xué)和清華大學(xué)，掌握國際領(lǐng)先的碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝，及第五代超快恢復(fù)功率
2025-12-04 11:36:34
格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)美國
2025-11-27 14:30:202043 自我正式擔(dān)任納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）首席執(zhí)行官至今，已有 60 天時(shí)間。今天，我們迎來了關(guān)鍵時(shí)刻：納微正加速轉(zhuǎn)型，成為一家以高功率為核心、聚焦“從電網(wǎng)到GPU”全鏈路解決方案的功率半導(dǎo)體公司。
2025-11-21 17:05:121217 近日，納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命，多名高管的加入將為納微注入全新動(dòng)力。
2025-11-14 14:11:102167 濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時(shí)間管理及材料特性等因素，具體如下： 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5
2025-11-11 10:28:48269 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 內(nèi)外行的朋友都知道：半導(dǎo)體制造過程復(fù)雜，工藝流程頗多，特別是前道的“流片”，更是繁瑣中的繁瑣。本章節(jié)要跟大家分享的就是關(guān)
2025-11-11 08:06:224296 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-11-07 16:46:052452 晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高效去除，同時(shí)極大限度地減少對(duì)非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
在半導(dǎo)體濕法腐蝕工藝中，選擇合適的掩模圖形以控制腐蝕區(qū)域是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是一些重要的考慮因素和方法： 明確設(shè)計(jì)目標(biāo)與精度要求 根據(jù)器件的功能需求確定所需形成的微觀結(jié)構(gòu)形狀、尺寸及位置精度。例如
2025-10-27 11:03:53312 半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學(xué)溶液對(duì)材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應(yīng)用于硅襯底減薄、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例如，MEMS
2025-09-26 16:48:41934 
近日，納微半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)人事任命：Matthew Sant將擔(dān)任高級(jí)副總裁、秘書兼總法律顧問。
2025-09-26 10:12:50663 半導(dǎo)體腐蝕清洗機(jī)是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個(gè)核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：一、精準(zhǔn)去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會(huì)留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
濕法去膠工藝中出現(xiàn)化學(xué)殘留的原因復(fù)雜多樣，涉及化學(xué)反應(yīng)、工藝參數(shù)、設(shè)備性能及材料特性等多方面因素。以下是具體分析：化學(xué)反應(yīng)不完全或副產(chǎn)物生成溶劑選擇不當(dāng)：若使用的化學(xué)試劑與光刻膠成分不匹配（如堿性
2025-09-23 11:10:12497 
硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具體如下：顆粒殘留與再沉積風(fēng)險(xiǎn)來源復(fù)雜多樣：清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染；過濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截
2025-09-22 11:09:21508 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù)，主要包括以下幾個(gè)方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時(shí)間內(nèi)材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764 
濕法腐蝕工藝處理硅片的核心原理是基于化學(xué)溶液與硅材料之間的可控反應(yīng)，通過選擇性溶解實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)的精密加工。以下是該過程的技術(shù)要點(diǎn)解析：化學(xué)反應(yīng)機(jī)制離子交換驅(qū)動(dòng)溶解：以氫氟酸（HF）為例，其電離產(chǎn)生
2025-09-02 11:45:32831 
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起正式履職。同時(shí)，Chris
2025-08-29 15:22:423924 半導(dǎo)體封裝過程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
在半導(dǎo)體濕法工藝中，高精度溫控器是必需的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用貫穿多個(gè)核心環(huán)節(jié)以確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。以下是具體分析：一、為何需要高精度溫控？化學(xué)反應(yīng)速率控制濕法蝕刻、清洗等過程依賴化學(xué)液與材料
2025-08-12 11:23:14660 
半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明：化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系：針對(duì)
2025-08-12 11:02:511506 制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測(cè)系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257 
濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學(xué)溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會(huì)表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機(jī)制分析：晶體結(jié)構(gòu)的原子級(jí)差異晶面原子排列密度與鍵能差異：以石英為例
2025-08-06 11:13:571422 晶圓切割，作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán)，不僅決定了芯片的物理形態(tài)，更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求，而新興的激光切割技術(shù)以其卓越的精度和效率，為
2025-08-05 17:53:44765 
濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281458 
在半導(dǎo)體制造中，“濕法flush”（WetFlush）是一種關(guān)鍵的清洗工藝步驟，具體含義如下：定義與核心目的字面解析：“Flush”意為“沖洗”，而“濕法”指使用液體化學(xué)品進(jìn)行操作。該過程通過噴淋或
2025-08-04 14:53:231078 
在半導(dǎo)體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度直接影響器件性能。臺(tái)階儀作為接觸式表面形貌測(cè)量核心設(shè)備，通過精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)溝槽刻蝕形成的臺(tái)階參數(shù)（如臺(tái)階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845 
一、核心功能與應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)是利用高頻超聲波（20kHz-1MHz）的空化效應(yīng)，通過液體中微射流和沖擊波的作用，高效剝離晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及微小結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘留物。廣泛應(yīng)用
2025-07-23 15:06:54
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011491 與協(xié)同水平，不僅奠定了芯片制造的精密基礎(chǔ)，更從根本上左右著整個(gè)制程精度的發(fā)展方向與上限。 一、刻蝕機(jī)：芯片制造的“雕刻師” 芯片制造過程中，刻蝕技術(shù)是不可或缺的一環(huán)。刻蝕機(jī)在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕工藝，其核心
2025-07-17 10:00:29605 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19580 
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，后道工藝（封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)）對(duì)溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求高。冠亞恒溫半導(dǎo)體冷水機(jī)憑借其高精度溫控、多通道同步控制及定制化設(shè)計(jì)能力，成為保障后道工藝可靠性的核心設(shè)備。本文從技術(shù)
2025-07-08 14:41:51624 
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，哈默納科（HarmonicDrive）憑借其創(chuàng)新的精密傳動(dòng)技術(shù)，成為高端制造的核心驅(qū)動(dòng)力。無論是工業(yè)機(jī)器人、半導(dǎo)體設(shè)備，還是醫(yī)療機(jī)械，Harmonic執(zhí)行器都以緊湊設(shè)計(jì)、超高精度和卓越性能脫穎而出，為復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-07-03 11:15:051042 濕法清洗臺(tái)是一種專門用于半導(dǎo)體、電子、光學(xué)等高科技領(lǐng)域的精密清洗設(shè)備。它主要通過物理和化學(xué)相結(jié)合的方式，對(duì)芯片、晶圓、光學(xué)元件等精密物體表面進(jìn)行高效清洗和干燥處理。從工作原理來看，物理清洗方面，它
2025-06-30 13:52:37
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序，更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來趨勢(shì)，全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37
半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過程中的關(guān)鍵工序，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等），確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）發(fā)展，濕法清洗設(shè)備
2025-06-25 10:21:37
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
穩(wěn)定的工藝控制，廣泛應(yīng)用于集成電路、MEMS器件、分立元件等領(lǐng)域的制造環(huán)節(jié)。二、核心功能與技術(shù)原理刻蝕原理利用高溫下磷酸溶液的強(qiáng)氧化性，對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行化學(xué)腐蝕。例
2025-06-06 14:38:13
蘇州芯矽電子科技有限公司（以下簡稱“芯矽科技”）是一家專注于半導(dǎo)體濕法設(shè)備研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，成立于2018年，憑借在濕法清洗領(lǐng)域的核心技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，已發(fā)展成為國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域
2025-06-06 14:25:28
的核心奧秘。不追逐華而不實(shí)的噱頭，而是實(shí)實(shí)在在地依據(jù)市場(chǎng)需求和行業(yè)走向，精心打磨每一個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)。
其半導(dǎo)體清洗機(jī)，堪稱匠心之作。在清洗技術(shù)方面，融合了超聲波清洗、噴淋清洗與化學(xué)濕法清洗等多元手段，針對(duì)
2025-06-05 15:31:42
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
在半導(dǎo)體制造中，wafer清洗和濕法腐蝕是兩個(gè)看似相似但本質(zhì)不同的工藝步驟。為了能讓大家更好了解，下面我們就用具體來為大家描述一下其中的區(qū)別： Wafer清洗和濕法腐蝕是半導(dǎo)體制造中的兩個(gè)關(guān)鍵工藝
2025-06-03 09:44:32712 干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183197 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，濕法刻蝕仍在特定場(chǎng)景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011418 
近日，納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將于5月21日晚（臺(tái)北國際電腦展Computex同期）在臺(tái)北舉辦“AI科技之夜”，數(shù)據(jù)中心上下游行業(yè)專家、供應(yīng)鏈合作伙伴以及技術(shù)開發(fā)者將齊聚一堂，通過主題演講、技術(shù)演示和互動(dòng)討論等形式展開對(duì)最新AI數(shù)據(jù)中心能源基建技術(shù)發(fā)展的交流。
2025-05-20 10:18:05870 日前，2025中國浙江（海寧）半導(dǎo)體裝備及材料博覽會(huì)在海寧會(huì)展中心拉開帷幕。本次展會(huì)匯聚了全球多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，聚焦芯片制造、封裝測(cè)試、材料研發(fā)等核心領(lǐng)域。浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱
2025-05-13 16:07:201596 PanelChiller？半導(dǎo)體行業(yè)用的面板系列PanelChiller應(yīng)?于刻蝕、蒸鍍、鍍膜工藝等，支持大流量高負(fù)載，確保嚴(yán)苛工況下持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行；支持冷卻水動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)系統(tǒng)，可根據(jù)環(huán)境
2025-05-13 15:24:35782 
一、什么是電鍍：揭秘電鍍機(jī)理 電鍍（Electroplating，又稱電沉積 Electrodeposition）是半導(dǎo)體制造中的核心工藝之一。該技術(shù)基于電化學(xué)原理，通過電解過程將電鍍液中的金屬離子
2025-05-13 13:29:562529 
麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】
蘇州舉辦的2025CIAS動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上，深圳麥科信科技有限公司憑借在測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的技術(shù)積累，入選半導(dǎo)體
2025-05-09 16:10:01
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 15:52:262028 隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063901 半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008 納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980 On Wafer WLS-WET無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新成果。該系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)，將溫度傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)現(xiàn)了晶圓本體與傳感單元的無縫融合。傳感器采用IC傳感器，具備±0.1℃的測(cè)量精度和10ms級(jí)快速響應(yīng)特性，可實(shí)時(shí)捕捉濕法工藝中瞬態(tài)溫度場(chǎng)分布。
2025-04-22 11:34:40670 
、Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用解析1、溫度控制的核心作用設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行保障：半導(dǎo)體制造設(shè)備如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，其內(nèi)部光源、光學(xué)系統(tǒng)及機(jī)械部件在運(yùn)行過程中產(chǎn)生大量熱量。Ch
2025-04-21 16:23:481232 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443886 
晶圓濕法清洗工作臺(tái)是一個(gè)復(fù)雜的工藝，那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是，既然是復(fù)雜的工藝每個(gè)流程都很重要，為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎，這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。 晶圓濕法清洗
2025-04-01 11:16:271009 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度不斷提高，功能日益復(fù)雜，這對(duì)半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性和成本。本文將深入分析半導(dǎo)體貼裝工藝及其相關(guān)設(shè)備，探討其發(fā)展趨勢(shì)和挑戰(zhàn)。
2025-03-13 13:45:001587 
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809 在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11983 特性，使其在特殊工業(yè)場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。以下是華林科納半導(dǎo)體對(duì)其的詳細(xì)解析： 一、PTFE隔膜泵的結(jié)構(gòu)與工作原理 結(jié)構(gòu) ：主要由PTFE隔膜、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（氣動(dòng)、電動(dòng)或液壓）、泵腔、進(jìn)出口閥門（通常為PTFE球閥或蝶閥）組成。部分型號(hào)的泵體內(nèi)壁也會(huì)覆蓋PTFE涂層
2025-03-06 17:24:09643 
（Yamatake Semiconductor）
領(lǐng)域 ：半導(dǎo)體設(shè)備
亮點(diǎn) ：全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等，2024年科創(chuàng)板IPO已提交注冊(cè)，擬募資30億元用于研發(fā)中心建設(shè)，技術(shù)
2025-03-05 19:37:43
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042119 
近日，威睿電動(dòng)汽車技術(shù)（寧波）有限公司（簡稱“威睿公司”）2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果，喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”。
2025-03-04 09:38:23969 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-02-26 17:05:131247 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 在半導(dǎo)體制造的精密世界里，濕法清洗是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在這一過程中，有機(jī)溶劑的選擇至關(guān)重要。那么，半導(dǎo)體濕法清洗中常用的有機(jī)溶劑究竟有哪些呢？讓我們一同來了解。 半導(dǎo)體濕法清洗中常
2025-02-24 17:19:571828 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412566 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
近日，半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵性零部件企業(yè)納斯凱宣布獲得新一輪融資，由毅達(dá)資本領(lǐng)投。這一消息標(biāo)志著納斯凱在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新得到了資本市場(chǎng)的認(rèn)可。
2025-02-10 17:26:19996 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-10 11:35:451464 
electronics as pathways to carbon neutrality"的文章，深入探討了寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體和電力電子技術(shù)在能源領(lǐng)域的重要作用，肯定了納微半導(dǎo)體在節(jié)能減排方面帶來的突出影響，為實(shí)現(xiàn)碳中和提供了新的思路和方向。
2025-02-07 11:54:032190 
，固晶工藝及其配套設(shè)備構(gòu)成了不可或缺的一環(huán)，對(duì)最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性以及使用壽命均產(chǎn)生著直接且關(guān)鍵的影響。本文旨在深入剖析半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、未來的發(fā)展趨勢(shì)，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占據(jù)的重要地位。
2025-01-15 16:23:502496 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，從智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)到各類智能設(shè)備，半導(dǎo)體芯片作為其核心部件，其性能和可靠性至關(guān)重要。而在半導(dǎo)體芯片的制造過程中，固晶工藝及設(shè)備作為關(guān)鍵
2025-01-14 10:59:133015 
半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468
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