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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。
2020-03-30 標(biāo)簽:東芝開關(guān)電源數(shù)據(jù)中心 1225 0
自2018年開始,功率MOSFET的平均售價(jià)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度最顯著,已位居價(jià)格中的首位。
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x ...
Mouser開始供應(yīng)Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET
Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝,并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
Microchip推出電源轉(zhuǎn)換控制器及功率MOSFET器件系列
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。
Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
IR推出低導(dǎo)通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MO...
2012-08-15 標(biāo)簽:IR低導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1659 0
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ,最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...
Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。
美高森美擴(kuò)大RF功率MOSFET產(chǎn)品陣容
美高森美公司(Microsemi )宣布擴(kuò)大RF功率產(chǎn)品線,推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (indus...
典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算...
2012-05-31 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬 0
Vishay的PowerPAIR功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎(jiǎng)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR...
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologi...
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 標(biāo)簽:英飛凌飛兆半導(dǎo)體協(xié)議 1015 0
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
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