全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。
2026-01-04 15:10:42
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威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測(cè)為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-31 17:30:401613 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-31 17:20:351311 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451192 探索40V耐壓新邊界：森利威爾原廠SL8533B PWM/模擬調(diào)光升壓LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片深度解析?
在高性能LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尋求一顆兼具寬壓輸入、高精度恒流以及靈活無(wú)頻閃調(diào)光能力的升壓型DC
2025-12-31 15:36:01
TPS929120AQPWPRQ112通道40V高側(cè)LED驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品型號(hào)：TPS929120AQPWPRQ1產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：HTSSOP24產(chǎn)品功能：12通道40V高側(cè)LED驅(qū)動(dòng)器TPS929120AQPWPRQ1特征●高電流精度：5–75mA時(shí)
2025-12-30 11:23:3472 
功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配40V中壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\
2025-12-26 12:01:16108 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:39:03236 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:18:11195 
（1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰
2025-12-23 08:37:26
? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06185 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-17 18:24:11158 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18205 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-12-17 18:13:5497 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-15 10:49:09204 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 11:52:34195 威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-09 10:26:37255 威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32236 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296 威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01253 威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域
2025-12-01 15:07:36169 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07189 電源電壓10V至40V，適配多種功率拓?fù)?輸入反向耐壓保護(hù)：30V反極性電壓處理能力，防止輸入級(jí)損壞
強(qiáng)化隔離：5kVRMS隔離耐壓（符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)），SOP6W封裝提供>8mm爬電
2025-12-01 08:25:19
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232 
。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o
2025-11-25 15:23:16209 ：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}
2025-11-25 15:14:47190 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(
2025-11-19 15:25:38249 仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00183 ：耐壓100V功率MOSFET管，VGS耐壓約為30V。在器件處于關(guān)斷時(shí)，VGD也會(huì)到100V，是因?yàn)闁艠O與源極之間的柵氧化層厚度比較厚，還是說(shuō)壓降主要在襯底與外延層上面？
回復(fù)：柵極與源極最大電壓
2025-11-19 06:35:56
ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19199 
：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}
2025-11-17 11:27:39241 PST5530是一款3A同步降壓?jiǎn)?雙節(jié)鋰電池充電管理芯片,40V熱插拔耐壓、支持5V與12V適配器充電管理芯片。■支持USB輸入和高壓適配器輸入：4.5V-13V輸入電壓范圍，40V熱插拔耐壓
2025-11-11 10:36:25345 
40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設(shè)備的核心功率器件選擇。
2025-11-07 17:27:47656 
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-06 14:35:45244 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性
2025-11-04 16:33:13496 在18V-36V主流電動(dòng)工具市場(chǎng)中，功率器件的性能平衡與成本控制同樣關(guān)鍵。中科微電推出的N溝道功率MOSFET——ZK40N100T，以40V耐壓、90A持續(xù)電流的精準(zhǔn)參數(shù)，融合成熟Trench溝槽
2025-10-27 13:58:56273 
將成為對(duì)方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商，未來(lái)客戶可在英飛凌與羅姆各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購(gòu)的靈活性。 具體而言，羅姆將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺(tái)；而英飛凌則將導(dǎo)入羅姆的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開發(fā)兼容封裝。 左：英飛凌
2025-09-29 18:24:361709 
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會(huì)上羅姆重點(diǎn)展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能
2025-09-29 10:46:22303 的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì)，分享其最新的電力電子解決方案。 羅姆憑借其業(yè)界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù)，以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)。在提供電源解決方案的同時(shí)，為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出
2025-09-17 15:59:47360 
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，TL431作為經(jīng)典的基準(zhǔn)電壓源和誤差放大器被廣泛應(yīng)用。但許多工程師可能不太理解為什么TL431的耐壓規(guī)格通常需要達(dá)到36V甚至40V以上。今天我們就來(lái)深入探討這個(gè)問(wèn)題，揭示反激變
2025-09-17 13:44:39393 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布將于9月24日～26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia Shanghai）。屆時(shí)，羅姆將展示其在工業(yè)
2025-09-10 14:34:45811 。TLV18xx/TLV18xx-Q1具有理想的速度功率組合，具有420ns傳播延遲、2.4V至40V全范圍電源電源，以及每通道5μA靜態(tài)供電電流。
2025-09-03 15:19:14759 
產(chǎn)品概述XBL4005是芯伯樂推出的40V/5APWM同步降壓轉(zhuǎn)換器，采用300kHz固定頻率控制，集成高效功率MOSFET與多重保護(hù)機(jī)制。其0.8V~37V輸出及最大100%占空比特性，可應(yīng)對(duì)工業(yè)
2025-07-31 18:04:18352 
7.0mm，CTI > 600V。SMP8這小封裝，安規(guī)方面一點(diǎn)不含糊，過(guò)工業(yè)認(rèn)證底氣足。
供電范圍寬： 驅(qū)動(dòng)側(cè)電源 14V到40V，適應(yīng)性強(qiáng)。輸入還能扛 -30V反壓。
溫度范圍廣： 結(jié)溫
2025-07-23 09:05:49
各位工程師朋友，今天想跟大家詳細(xì)聊聊一款在功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼的器件——SLM34x系列單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，特別是其中的SLM345CK-DG（40V, 1.0A）。這款產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上巧妙地兼容了
2025-07-21 08:56:31
輸入電壓范圍的同步降壓轉(zhuǎn)換器，相比LMR14030(40V/3.5A)展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：
輸入電壓范圍?：SL3075(4.5-65V) vs LMR14030(40V)
輸出電流能力?：SL3075
2025-07-17 11:52:25
開關(guān)穩(wěn)壓器是深圳市森利威爾電子有限公司推出的一款高性能產(chǎn)品。它能夠在6V至40V的寬輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，提供最大2.5A的輸出電流，并保持著高效率。這一特性使其能夠輕松應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜的電源環(huán)境，確保
2025-07-09 17:14:01
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計(jì)“REF68003”。該參考設(shè)計(jì)主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9SP”產(chǎn)品，其中配備了羅姆的PMIC*2產(chǎn)品，并在2025年上海車展芯馳科技展臺(tái)進(jìn)行了展示。
2025-06-30 10:48:591525 
及GaN功率器件。
智能關(guān)斷 ：DIS引腳拉高時(shí)雙輸出同步關(guān)閉，避免功率管直通風(fēng)險(xiǎn)。
寬壓適應(yīng) ：輸入側(cè)3–18V（VDDI）適配數(shù)字/模擬控制器，輸出側(cè)驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)40V（VDDA/B），全引腳集成欠壓
2025-06-28 08:45:31
FS7203 耐壓40V
2025-06-27 15:02:03
0 隨著人工智能持續(xù)重新定義計(jì)算的邊界，為這些進(jìn)步提供動(dòng)力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者，羅姆很榮幸成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。這
2025-06-25 19:45:431211 Analog Devices Inc. LTC4451
40V 7A理想二極管使用集成N溝道
功率MOSFET替代高性能肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結(jié)合在一起，以提高系統(tǒng)可靠性并防止反向?qū)ā?/div>
2025-06-24 11:46:08679 
LMR14030 是一款 40V、3.5A 降壓型穩(wěn)壓器，集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在
2025-06-23 16:43:30812 
LMR14020 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在休眠模式
2025-06-23 15:30:37673 
LMR14050 是一款 40V、5A 降壓型穩(wěn)壓器，集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在休眠
2025-06-23 15:24:48855 
LV14340 是一款 40V、3.5A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)
2025-06-23 13:55:06587 
LV14240 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)開關(guān)頻率范圍
2025-06-23 13:43:27566 
LV14540 是一款 40V、5A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)開關(guān)頻率范圍
2025-06-23 11:01:11580 
● 6V至40V寬工作電壓范圍
● 內(nèi)置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)
● 過(guò)溫保護(hù)
● 逐周期過(guò)流保護(hù)
● ＞90%的效率
● 低功耗
● 輸出電壓可調(diào)
● 采用SOP8封裝
2025-06-20 17:26:07
LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展系列
2025-06-20 13:53:54666 
LMR14050-Q1 是一款 40V、5A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展系列
2025-06-20 11:43:48644 
LMR14030-Q1 是一款 40V、3.5A 降壓穩(wěn)壓器，集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍，專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)，用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展
2025-06-20 11:25:32824 
國(guó)產(chǎn)同步降壓芯片 SL3065：重新定義 40V 耐壓 20A 大電流電源方案
一、傳統(tǒng)方案痛點(diǎn)：RT2949 的局限性在工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等場(chǎng)景中，40V 耐壓、20A 大電流輸出的電源
2025-06-13 17:21:01
近日，羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計(jì)。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長(zhǎng)的人工智能計(jì)算需求。根據(jù)羅姆的介紹
2025-06-11 10:35:57903 
，構(gòu)建全場(chǎng)景解決方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列憑借革命性的性能升級(jí)，為消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)以及車規(guī)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域樹立新標(biāo)桿。
2025-06-11 08:59:592500 
~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻，被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711 
，為您的產(chǎn)品注入可靠的 “聲” 動(dòng)力量！
SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大
2025-05-28 17:16:59
歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且高效的轉(zhuǎn)換器電路而設(shè)計(jì)的。該產(chǎn)品以高
2025-05-15 17:34:42464 ，符合工業(yè)級(jí)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
特點(diǎn)
● 最大2.5A輸出電流
● 6V至40V寬工作電壓范圍
● 內(nèi)置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)
● 過(guò)溫保護(hù)
● 逐周期過(guò)流保護(hù)
● ＞90%的效率
● 低功耗
● 輸出電壓可調(diào)
● 采用SOP8封裝
2025-04-30 16:27:51
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過(guò)改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755 
產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33784 
這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663 
CSD88584Q5DC 40V 電源塊是針對(duì)大電流電機(jī)控制應(yīng)用（如手持式、無(wú)繩花園和電動(dòng)工具）的優(yōu)化設(shè)計(jì)。該器件采用 TI 的專利堆疊芯片技術(shù)，以最大限度地減少寄生電感，同時(shí)在節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型
2025-04-16 09:49:50694 
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772 
TLV935x 系列（TLV9351、TLV9352 和 TLV9354）是 40V 成本優(yōu)化型運(yùn)算放大器系列。
2025-04-11 10:20:03843 
TLV935x 系列（TLV9351、TLV9352 和 TLV9354）是 40V 成本優(yōu)化型運(yùn)算放大器系列。
2025-04-09 15:31:25902 
ROHM（羅姆）傳感器_MEMS選型指南
2025-04-01 15:58:373 高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求，羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能，為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。
2025-03-27 14:15:261187 
TLV1812-EP 和 TLV1822-EP 是具有多個(gè)輸出選項(xiàng)的 40V 雙通道比較器。該系列提供軌到軌輸入以及推挽或開漏輸出選項(xiàng)。這些器件具有出色的速度功率組合，傳播延遲為 420ns，整個(gè)電源電壓范圍為 2.4V 至 40V，每個(gè)通道的靜態(tài)電源電流僅為 5μA。
2025-03-19 10:27:09956 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:58:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:34:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:32:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-Z 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:30:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SR-4L-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:36:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:35:350 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:25999 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090 NX7550是采用 CMOS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)的三端低功耗高耐壓穩(wěn)壓器，輸出電流為 150mA ，且允許的輸入電壓可高達(dá) 40V，具有 3.3V 和 5V 固定的輸出電壓。
2025-02-05 17:27:131453 
近日，日本羅姆半導(dǎo)體宣布了一項(xiàng)重要人事變動(dòng)，計(jì)劃在2025財(cái)年伊始(即2025年4月1日)進(jìn)行高層調(diào)整?，F(xiàn)任董事會(huì)成員東克己將接替松本功，擔(dān)任羅姆半導(dǎo)體的總裁兼CEO，而松本功則將轉(zhuǎn)任執(zhí)行顧問(wèn)一職
2025-01-22 14:01:481111 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022 感應(yīng)的高亮度LED驅(qū)動(dòng)控制器，設(shè)計(jì)用于高效驅(qū)動(dòng)由高于LED正向?qū)妷旱碾娫垂╇姷膯蝹€(gè)或多個(gè)串聯(lián)LED。它的特點(diǎn)如下：電壓范圍：輸入電壓通常為5V到40V，這意味著它并不直接支持80V的耐壓。輸出電流
2025-01-15 17:41:53
）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題。因此，為了實(shí)現(xiàn)零碳社會(huì)，努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。 在這種背景下，羅姆致力于通過(guò)電子技術(shù)解決社會(huì)問(wèn)題，專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方
2025-01-15 17:26:42914 
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