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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>IR推出低導(dǎo)通電阻的車(chē)用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

IR推出低導(dǎo)通電阻的車(chē)用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

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2025-11-20 15:31:06159

選型手冊(cè):MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、導(dǎo)通電阻柵極電荷特性,適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38249

選型手冊(cè):MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:21:04220

選型手冊(cè):MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:15:00183

功率MOSFET管的應(yīng)用問(wèn)題分析

:絕大多數(shù)功率MOSFET管的安全工作區(qū)SOA曲線(xiàn)都是計(jì)算值,SOA曲線(xiàn)主要有4部分組成:左上區(qū)域的導(dǎo)通電阻限制斜線(xiàn)、最上部水平的最大電流直線(xiàn)、最右邊垂直的最大電壓直線(xiàn)以及中間區(qū)域幾條由功率限制的斜線(xiàn)
2025-11-19 06:35:56

選型手冊(cè):MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè):MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性,適用于
2025-11-18 16:08:14326

選型手冊(cè):MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì),適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-18 16:04:11277

選型手冊(cè):MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-18 15:58:04228

選型手冊(cè):MOT65R180HF N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204

選型手冊(cè):MOT65R380F N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14195

選型手冊(cè):MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-17 11:27:39241

選型手冊(cè):MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-20V耐壓、導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-14 16:04:15309

選型手冊(cè):MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-11-14 15:51:42201

選型手冊(cè):MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-14 12:03:12167

?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的典型導(dǎo)通電阻(10V時(shí))和至42nC的超低柵極電荷,從而降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,因此可在電源系統(tǒng) >2kW
2025-11-14 10:32:18365

MDD MOS導(dǎo)通電阻對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開(kāi)關(guān)與保護(hù)核心元件,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE,在支持客戶(hù)調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339

選型手冊(cè):MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)(電動(dòng)工具
2025-11-11 09:34:34187

選型手冊(cè):MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 16:01:46413

選型手冊(cè):MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 15:50:16247

選型手冊(cè):MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借700V耐壓、導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正(PFC)、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277

選型手冊(cè):MOT70R280D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164

選型手冊(cè):MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08221

圣邦微電子推出導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)SGM25642

圣邦微電子推出 SGM25642,一款 5.5V,15A 峰值電流能力,具備可編程軟啟動(dòng)、電流監(jiān)測(cè)和輸出放電功能的導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤(pán)和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153

選型手冊(cè):MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205

選型手冊(cè):MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝,廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245

選型手冊(cè):MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性,廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開(kāi)關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238

?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)優(yōu)化體漏極二極管特性。該MOSFET節(jié)能,確保電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制電路中的噪聲。
2025-10-29 15:48:51507

STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非常導(dǎo)通電阻。該器件還降低內(nèi)部電容和柵極電荷,實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開(kāi)關(guān)。
2025-10-29 15:34:56474

?STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù),利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。
2025-10-23 15:08:58415

圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、導(dǎo)通電阻、輸入電容、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開(kāi)關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209

揚(yáng)杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品

N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624

TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)支持可配置上升時(shí)間,以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET,并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì),在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導(dǎo)通電阻(RON,SP)與提升短路耐受時(shí)間(tSC)之間的權(quán)衡。
2025-08-04 16:31:123053

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

MDDG03R01G導(dǎo)通MOS 跨越新領(lǐng)域,提升同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換效率

= 50A 的條件下,其最大導(dǎo)通電阻 RDS (on) 僅為 1.0mΩ。如此導(dǎo)通電阻,能夠有效降低器件在工作過(guò)程中的功率損耗,提高系統(tǒng)的整體
2025-07-28 15:20:11466

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術(shù) 導(dǎo)通電阻柵極電荷性能 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
2025-07-15 16:22:02

中低壓MOS管MDD80N03D數(shù)據(jù)手冊(cè)

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計(jì)?● 導(dǎo)通電阻的高密度單元結(jié)構(gòu)?● 無(wú)鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:20:220

中低壓MOS管MDD50N03D數(shù)據(jù)手冊(cè)

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計(jì)?● 高密度單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻?● 無(wú)鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:04:330

中低壓MOS管BSS84數(shù)據(jù)手冊(cè)

● 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù)● 導(dǎo)通電阻?● 柵極電荷
2025-07-09 15:02:230

永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

描述: APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術(shù),導(dǎo)通電阻柵極電荷性能。 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率 一般
2025-07-09 13:35:13

揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過(guò)程中,工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域,MOSFET導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線(xiàn)性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿(mǎn)足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

TPS22995 具有可調(diào)上升時(shí)間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22995是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時(shí)間,用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。該開(kāi)關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38663

新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核心設(shè)計(jì)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 超低柵極電荷(Q_g 和 Q_gd) ?:有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 導(dǎo)通電阻(R_DS(on)) ?:在V_GS = 10V時(shí),導(dǎo)通電阻為8.1 mΩ,有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?:結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊(cè)

電荷 ?:Qg(總柵極電荷)在VGS=10V時(shí)為118nC,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 導(dǎo)通電阻 ?:RDS(on)(漏源導(dǎo)通電阻)在VGS=10V時(shí)為1.4mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗。 ? 低熱阻 ?:結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 導(dǎo)通電阻(R_DS(on)) ?:在V_GS = 10V時(shí),導(dǎo)通電阻僅為0.79 mΩ,有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?:結(jié)到殼熱阻(R_θJC)僅為0.8°C/W,有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝,具有柵極電荷(Qg)和導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控
2025-04-15 16:23:11772

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

損耗對(duì)溫度關(guān)系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖,其安全區(qū)主要由四個(gè)條件所決定:導(dǎo)通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓 VBR
2025-03-24 15:03:44

ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

一文帶你讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算!?。夥e分)

最大功率損耗對(duì)溫度關(guān)系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖,其安全區(qū)主要由四個(gè)條件所決定:導(dǎo)通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓
2025-03-06 15:59:14

導(dǎo)通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

,Wolfspeed第4代技術(shù)專(zhuān)為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì),并為 Wolfspeed 的各類(lèi)產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線(xiàn)圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降,開(kāi)關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分,首
2025-02-13 00:21:001523

SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類(lèi)似壓縮的梯形電場(chǎng),可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度,降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890

廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

碳化硅MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力和導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),在電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢(shì),但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率器件。
2025-01-15 17:40:551101

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%,從而顯著減少了功率損耗,為
2025-01-13 11:41:38957

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