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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測(cè)解決方案,專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測(cè)量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器(Thermocou...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測(cè)溫系統(tǒng) 147 0

電子衍射技術(shù)的原理與分類

電子衍射技術(shù)的原理與分類

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對(duì)于理解材料性能...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體衍射晶體 270 0

半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller應(yīng)用場(chǎng)景與選購指南

半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller應(yīng)用場(chǎng)景與選購指南

半導(dǎo)體制造對(duì)工藝溫度的穩(wěn)定性要求比較高,在此背景下,半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller作為關(guān)鍵配套設(shè)備,其性能直接影響芯片良率與生產(chǎn)效率。一、半導(dǎo)體直冷機(jī)Chi...

2025-06-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體 194 0

淺談半導(dǎo)體薄膜制備方法

淺談半導(dǎo)體薄膜制備方法

本文簡(jiǎn)單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識(shí),基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。

2025-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體薄膜 102 0

體硅FinFET和SOI FinFET的差異

體硅FinFET和SOI FinFET的差異

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì),直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí),傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...

2025-06-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管FinFET 497 0

吉時(shí)利2601B源表在半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

吉時(shí)利2601B源表在半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)測(cè)試設(shè)備的要求也越來越高。吉時(shí)利2601B源表作為一款高性能的數(shù)字源表,以其卓越的精度、多功能性和靈活性,成為半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體吉時(shí)利源表 83 0

原位透射電鏡在半導(dǎo)體中的應(yīng)用

傳統(tǒng)的透射電鏡(TEM)技術(shù)往往只能提供材料在靜態(tài)條件下的結(jié)構(gòu)信息,無法滿足科研人員對(duì)材料在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中動(dòng)態(tài)行為的研究需求。為了克服這一局限性,原位T...

2025-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體透射電鏡 173 0

分子束外延技術(shù)的原理及制備過程

分子束外延技術(shù)的原理及制備過程

高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?

2025-06-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料薄膜制備 215 0

精密傳感技術(shù)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體未來:明治傳感器在CMP/量測(cè)/減薄機(jī)的應(yīng)用

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在半導(dǎo)體制造向納米級(jí)精度持續(xù)突破的進(jìn)程中,精密傳感器已成為設(shè)備性能的“神經(jīng)末梢”。作為工業(yè)傳感領(lǐng)域的代表品牌,明治的傳感器憑借在極端工況下的穩(wěn)定性與測(cè)量...

2025-06-17 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體CMP 272 0

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...

2025-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 94 0

一文詳解外延生長(zhǎng)技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...

2025-06-16 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體晶體管 721 0

半導(dǎo)體廠房防微振梁板結(jié)構(gòu)形式及成本對(duì)比分析-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

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隨著近年我國半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展,新建半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目越來越多。半導(dǎo)體廠房投資大,回報(bào)周期長(zhǎng),初期的規(guī)劃與設(shè)計(jì)非常重要。防微振是半導(dǎo)體廠房的關(guān)鍵技術(shù)之一,...

2025-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體廠房 181 0

晶圓清洗設(shè)備概述

晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘...

2025-06-13 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶圓 204 0

【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測(cè)試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用

【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測(cè)試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用

在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天,半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件,其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此,半導(dǎo)體...

2025-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率放大器光電子器件 840 0

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...

2025-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅晶圓厚度 216 0

半導(dǎo)體防震基座隔振測(cè)試與剛性測(cè)試工藝流程介紹-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

半導(dǎo)體防震基座隔振測(cè)試與剛性測(cè)試工藝流程介紹-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,高精度的生產(chǎn)環(huán)境對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求極高。半導(dǎo)體防震基座作為關(guān)鍵部件,在諸多知名半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中發(fā)揮著不可或缺的作用。

2025-06-11 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體基座 335 0

氧化鎵射頻器件研究進(jìn)展

氧化鎵射頻器件研究進(jìn)展

氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN射頻器件 619 0

晶圓揀選測(cè)試類型

晶圓揀選測(cè)試類型

硅晶圓揀選測(cè)試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測(cè)篩選出功能異常的芯片。該測(cè)試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動(dòng)能力驗(yàn)證和功能...

2025-06-11 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體工藝 555 0

智能三顯氮?dú)夤駭?shù)據(jù)顯示是選擇數(shù)碼管還是屏幕?

智能三顯氮?dú)夤駭?shù)據(jù)顯示是選擇數(shù)碼管還是屏幕?

智能三顯氮?dú)夤袷且环N專門用于存儲(chǔ)半導(dǎo)體材料、精密電子元件等的設(shè)備,其主要目的是通過控制內(nèi)部環(huán)境,主要是濕度和氧氣含量,防止存儲(chǔ)物品受潮氧化。這里的“三顯...

2025-06-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)備 200 0

聚焦離子束(FIB)技術(shù):半導(dǎo)體量產(chǎn)中的高精度利器

聚焦離子束(FIB)技術(shù):半導(dǎo)體量產(chǎn)中的高精度利器

技術(shù)原理與背景聚焦離子束(FIB)技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工和分析工具。其基本原理是在電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用下,將離子束聚焦到亞微米甚至納米量級(jí),通過偏轉(zhuǎn)和加速系...

2025-06-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體fib離子束 72 0

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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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