日前,科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會上強調(diào),應(yīng)加強第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略研究,打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊,請關(guān)注每天的電子芯聞早報。
2015-09-15 10:38:28
1685 由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用,歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略,投入巨資支持發(fā)展。本文將對第三代半導(dǎo)體材料的定義、特性以及各國研發(fā)情況進行詳細剖析。
2016-11-15 09:26:48
3210 3月15日,在深圳福田會展中心的論壇上,中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢和中國第三代半導(dǎo)體的最新市場規(guī)模和應(yīng)用進展。
2023-03-17 08:33:27
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隨著科技的不斷進步,新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿,第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看,第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:07
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5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導(dǎo)體,三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展,臺積電、世界等臺廠均已卡位,三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局,也
2021-05-10 16:00:57
3039 出來之后,材料質(zhì)量逐步完善,器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止,碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過程中展現(xiàn)的可靠性,已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機(1G)和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(2G)來說,第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
)第三代紅外攝像機技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點大、亮度高等特點大大提高了紅外燈的使用效率,并且采用獨特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5年內(nèi)的光衰減控制在10%以內(nèi),比陣列式的使用壽命延長5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù),在產(chǎn)品性能與應(yīng)用等方面上與激光紅外相比,有明顯的優(yōu)勢。廣州帕特羅(PATRO)的第三代紅外攝像機以單顆燈完全取代多顆燈模式,電光轉(zhuǎn)化效能最高可達85%以上,降低了功耗,使用壽命
2011-02-19 09:38:46
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入“十四五”規(guī)劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復(fù):第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000,是國際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系統(tǒng)(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術(shù)的興起,UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場深刻的革命,這對網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣,引起了公眾對這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù),根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術(shù),屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動通信系統(tǒng)標準的ALC控制方案的設(shè)計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發(fā)展,給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設(shè)計和測得的性能數(shù)據(jù),以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
12月16日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲在半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略研討會上表示,2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準備的關(guān)鍵期。到2025年,第三代半導(dǎo)體器件將在移動通信、高效電能管理中國產(chǎn)化率占
2017-12-18 15:02:52
5706 3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:00
4266 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢,最后分析了了我國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:33
36538 
本文首先分別對第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進行了概述,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17
152618 本文首先介紹了第3代半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展概況,其次介紹了第三代半導(dǎo)體電力電子器件和產(chǎn)業(yè)趨勢,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 14:38:31
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繼5G、新基建后,第三代半導(dǎo)體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外,更重要是有證券研報指出,第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒,有個人投資者
2020-09-21 11:57:55
4538 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施,我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:16
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我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正進入高速發(fā)展階段。從戰(zhàn)略上講,重視第三代半導(dǎo)體材料是整個國家的需要,也是我國發(fā)展的新機會。第三代半導(dǎo)體材料作為新材料產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。
2018-11-02 08:58:00
2615 日前,科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計劃重點支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)項目驗收會。通過項目的實施,中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02
893 眾所周知,我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件,自然也受到了重點關(guān)注。
2019-02-19 14:44:29
19752 3 月 26 日,美的集團宣布與三安光電全資子公司三安集成電路戰(zhàn)略合作,雙方將共同成立“第三代半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”,共同推動第三代半導(dǎo)體功率器件的創(chuàng)新發(fā)展,加快國產(chǎn)芯片導(dǎo)入白色家電行業(yè)。
2019-03-29 11:08:16
5113 近日, 江豐電子在互動平臺上表示,公司目前可以滿足大部分第三代半導(dǎo)體所需的靶材技術(shù)和供應(yīng),部分貴金屬及稀土靶材除外。
2019-06-03 17:40:09
5203 第三代半導(dǎo)體的技術(shù)進步,以應(yīng)用端的需求促進技術(shù)研發(fā),資金更多投向產(chǎn)品級開發(fā)和終端應(yīng)用,從而全面占領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體市場。
2019-08-01 17:44:21
4533 中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚,與國外相比水平較低,阻礙國內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。國內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所和相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)大都急功近利,難以容忍長期“只投入,不產(chǎn)出”的現(xiàn)狀。因此,以第三代半導(dǎo)體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱。
2019-08-30 16:34:15
9459 
第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”將于9月19日上午在深圳五洲賓館舉行。來自中國和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英將圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討和交流。
2019-09-11 14:23:18
5428 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:17
1426 近幾年,國內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線,種種跡象表明,第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響?國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題?需要采取什么措施?
2019-12-16 11:35:32
10020 “萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城,為順利推進氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目,促進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:04
3494 、5G、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、半導(dǎo)體照明、消費類電子、航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。 據(jù)了解,三安光電是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體、集成電路龍頭企業(yè)。長沙三安第三代半導(dǎo)體項目總投資160億元,總占地面積1000畝,主要建設(shè)具有自
2020-09-12 09:28:09
3766 日前,有媒體報道稱,據(jù)權(quán)威人士透露,“十四五”規(guī)劃之中,我國計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。一時間
2020-09-15 14:03:29
3151 由于基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已接近物理極限,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體憑借其優(yōu)異的材料物理特性,在提升電力電子器件性能等方面展現(xiàn)出了巨大潛力。
2020-09-22 10:05:16
4932 9月4日,第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在北京召開,作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會員單位,湖南天玥科技有限公司(長沙新一代半導(dǎo)體研究院)參加會議。 公司副總裁袁堅出席會議。 本次會議
2020-09-26 10:55:02
3075 、基金,但多數(shù)人連半導(dǎo)體是什么都沒搞清楚,而第三代半導(dǎo)體又是何方神圣? 在我國發(fā)力新基建的背景下,第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月,國家發(fā)改委首次官宣新基建的范圍,正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:02
4596 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:20
4127 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出,在第一代半導(dǎo)體面前,第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因為生意有多么的大,是因為國防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時,這是一個增量市場,也是企業(yè)可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:00
6634 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會專家紛紛表示,近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程較快,基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時,我國在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:51
4885 日前,有媒體報道稱,據(jù)權(quán)威人士透露,十四五規(guī)劃之中,我國計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。一時間,資本市場
2020-10-13 15:47:50
4003 2020年,新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃之中,計劃2021年至2025年
2020-10-27 10:36:30
3538 目前,國家2030計劃和十四五國家研發(fā)計劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日,國星光電舉辦了2020第一屆國星之光論壇,而論壇的主角之一,就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體呢
2020-10-29 18:26:40
6025 
。 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:37
5552 些新興材料中,碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對較為成熟,,因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:05
4782 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:12
92797 招商引資名單中。 問題來了:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進入春天還是虛火上升?又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢?相對于IGBT、MOSFET和超級結(jié)MOSFET,GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革? 為了回答這些問題,小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:03
14626 最近,“我國將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體?發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:44
4278 ,什么材料會再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪了專家。? 禁帶寬度,是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:48
4256 近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場。未來5年,基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。
2021-01-13 10:16:08
3183 ADSP-21262高性能第三代SHARC DSP產(chǎn)品亮點
2021-05-16 09:25:02
9 ADSP-21262高性能第三代SHARC DSP
2021-05-17 18:25:15
0 在政策導(dǎo)向方面,多項新政策的出臺,大大助力了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。近年來,國務(wù)院及工信部、科技部等多部門出臺了一系列扶持第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的利好政策。
2021-06-09 09:20:51
5390 
來源:天風(fēng)證券,如需下載,進入“華秋商城”公眾號發(fā)送“2021第三代半導(dǎo)體”即可下載。 責(zé)任編輯:haq
2021-11-03 10:33:40
9142 
由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會”在深圳召開。
2021-12-29 14:04:04
2111 
第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應(yīng)用在消費電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別??梢钥吹剑瑐鹘y(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:06
1577 
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、
技術(shù)最成熟的
半導(dǎo)體材料,但硅材料
技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢,
第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2022-08-02 08:56:19
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半導(dǎo)體列入國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項;與此同時,在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。
2022-08-02 08:57:38
2533 、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:29
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近年來,「第三代半導(dǎo)體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長,使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:50
2561 第三代化合物半導(dǎo)體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大,它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢。
2022-11-01 09:29:13
2633 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:16
6767 第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設(shè)備的性能。
2023-02-16 15:29:25
12325 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體,它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:29
12 第三代半導(dǎo)體列入國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項;與此同時,在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。毋庸置疑,隨著國家
2023-02-27 15:21:45
4 日前,在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露:國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向,現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:00
5 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:56
1 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導(dǎo)率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:36
2109 展區(qū),國星光電首次展出了應(yīng)用于LED電源領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用方案,這是公司立足自身優(yōu)勢,推進第三代半導(dǎo)體應(yīng)用邁向LED下游應(yīng)用關(guān)鍵的一步。 于LED封裝領(lǐng)域,國星光電經(jīng)過多年的發(fā)展和沉淀,已具備領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢和良好的市場
2023-06-14 10:02:14
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伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展,對半導(dǎo)體器件的需求日益增長,對相關(guān)器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛,于是第三代半導(dǎo)體市場應(yīng)運而生。近年國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43
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第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用,已成為戰(zhàn)略物資,被美國列入301管制清單。檢測是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障,廣電計量作為國有檢測機構(gòu),在我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展過程中,秉承國企擔(dān)當,為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:03
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文:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、馬云飛圖:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟2022年8月6日,由保定市人民政府、河北省科學(xué)技術(shù)協(xié)會、河北省發(fā)展和改革委員會、河北省工業(yè)和信息化廳、河北省
2022-08-11 15:57:02
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第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:44
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第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54
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材料領(lǐng)域中,第一
代、第二
代、
第三代沒有“一
代更比一
代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體,或?qū)⒌墶⑸榛?、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:27
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與成本?未來有何發(fā)展目標?...... 前言: 憑借功率密度高、開關(guān)速度快、抗輻照性強等優(yōu)點,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無線通信等領(lǐng)域,以提高設(shè)備性能和效率,并成為當前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02
1218 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28
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隨著科技的不斷進步,電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中,第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)技術(shù)成為了焦點,其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中,電力電子
2023-10-11 16:30:48
874 2021年第三代半導(dǎo)體系列報告之二
2023-01-13 09:05:55
4 5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:00
3 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:41
17 。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機構(gòu)代表參與大會。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用,深入探討交流最新技術(shù)進展與發(fā)展趨勢,分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03
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芯聯(lián)集成已全力挺進第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍,器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩,并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38
1821 第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃,在技術(shù)、市場與政策的三力驅(qū)動下,近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36
2184 半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變。 一、材料特性的區(qū)別 1.
2024-10-17 15:26:30
4072 隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
2024-10-30 11:24:27
3022 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:10
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當前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:55
1390 隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家第三代半導(dǎo)體
2024-12-27 16:15:06
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一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:05
1954 第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46
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基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認知
2025-10-08 13:12:22
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