Sip技術(shù)是什么？Sip封裝技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)

SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，SiP技術(shù)允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種SiP...

2024-02-19 標(biāo)簽：集成電路射頻SiP 4896 0

一文詳解半導(dǎo)體封裝材料

小型化、多引腳、高集成是封裝技術(shù)的演進(jìn)方向。針對(duì)下游電子產(chǎn)品小型化、輕量化、 高性能的需求，封裝朝著小型化、多引腳、高集成的方向不斷演進(jìn)。

2024-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 2.2萬(wàn) 0

IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)，汽車(chē)級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過(guò)程中...

2023-12-29 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)IGBT模塊 2138 0

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 2874 0

淺談BGA的封裝類(lèi)型

BGA（Ball grid array，球柵陣列或焊球陣列），它是一種高密度表面裝配封裝技術(shù)，在封裝底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類(lèi)似于格子的圖案，由此...

2023-12-18 標(biāo)簽：電子元器件封裝技術(shù)BGA 3000 0

倒裝芯片和晶片級(jí)封裝技術(shù)的區(qū)別

半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能, 這一集成規(guī)模在幾年前是無(wú)法想象的。因此, 如果沒(méi)有 IC 封裝技術(shù)快速的發(fā)展, 不可能實(shí)現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)...

2023-12-15 標(biāo)簽：封裝技術(shù)IC封裝倒裝芯片 931 0

OLED結(jié)構(gòu)及發(fā)光原理

OLED的基本結(jié)構(gòu)是在銦錫氧化物（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極，構(gòu)成如三明治的結(jié)構(gòu)。

2023-12-15 標(biāo)簽：顯示器OLED封裝技術(shù) 2625 0

光模塊COB封裝技術(shù)介紹

傳統(tǒng)TO同軸封裝的光模塊，組裝工藝長(zhǎng)、部件較多、成本較高等，同時(shí)使得光集成（光混合集成或硅光等）較困難，已不能滿足當(dāng)前數(shù)通市場(chǎng)迅速發(fā)展的需求。

2023-12-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)COB封裝光模塊 3265 0

先進(jìn)封裝形式及其在三維閃存封裝中的可能應(yīng)用

SiP 是將不同功能的芯片(例如存儲(chǔ)器、處理器無(wú)源器件等)封裝在同一個(gè)塑封體中,以此來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整功能的封裝形式4.具有高集成、低功耗、良好的抗機(jī)械和化...

2023-12-11 標(biāo)簽：處理器閃存封裝技術(shù) 2033 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來(lái)，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 1059 0

基于5納米技術(shù)的SoC設(shè)計(jì)功能挑戰(zhàn)

沿著從 SoC 到高級(jí)封裝技術(shù)（如 InFo/Feveros/X-Cube）的路徑，需要一種整體方法來(lái)同時(shí)解決項(xiàng)目的規(guī)劃、編輯和優(yōu)化環(huán)境問(wèn)題。以及向后考...

2023-12-05 標(biāo)簽：原理圖DDRsoc 671 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的不同等級(jí)、作用和發(fā)展趨勢(shì)

在郵寄易碎物品時(shí)，使用合適的包裝材料尤為重要，因?yàn)樗_保包裹能夠完好無(wú)損地到達(dá)目的地。泡沫塑料、氣泡膜和堅(jiān)固的盒子都可以有效地保護(hù)包裹內(nèi)的物品。同樣地，...

2023-11-30 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體封裝技術(shù) 1905 0

解析扇入型封裝和扇出型封裝的區(qū)別

扇出型封裝一般是指，晶圓級(jí)/面板級(jí)封裝情境下，封裝面積與die不一樣，且不需要基板的封裝，也就是我們常說(shuō)的FOWLP/FOPLP。扇出型封裝的核心要素就...

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 1.4萬(wàn) 0

互連在先進(jìn)封裝中的重要性

互連技術(shù)是封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過(guò)封裝互連，以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也...

2023-11-23 標(biāo)簽：晶圓圖像傳感器封裝技術(shù) 965 0

什么是混合鍵合？為什么要使用混合鍵合？

　要了解混合鍵合，需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí)，微凸塊通過(guò)使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式，在芯片之間提供...

2023-11-22 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝技術(shù) 5695 0

2023 LED顯示熱詞：關(guān)于MIP技術(shù)的新進(jìn)展

該器件是通過(guò)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)選擇性地排列好目標(biāo)芯片陣列，利用重布線工藝實(shí)現(xiàn)芯片電極引腳放大，最后切割出單像素的分立器件。依托半導(dǎo)體的封裝工藝技術(shù)，透明襯底M...

2023-11-20 標(biāo)簽：ledLED芯片封裝技術(shù) 3234 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)演進(jìn)路線圖

TSV 指 Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)，是通過(guò)硅通道垂直穿過(guò)組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV...

2023-11-19 標(biāo)簽：芯片摩爾定律晶圓 2438 0

芯片制程常見(jiàn)的金屬材料及其特性

銀 (Ag)： 導(dǎo)電漿料：用于某些先進(jìn)的封裝技術(shù)。 電鍍：電鍍錫銀合金 鎳 (Ni)： 硅化物形成：與硅反應(yīng)形成鎳硅化物，用于某些接觸應(yīng)用。 磁性金屬：...

2023-11-15 標(biāo)簽：芯片CMOS封裝技術(shù) 6240 0

淺談封裝原材料及輔助材料

封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分，直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分，它們僅在封裝過(guò)程中...

2023-11-10 標(biāo)簽：cpu晶圓gpu 2918 0