潘明東 朱悅 楊陽 徐一飛 陳益新 （長電科技宿遷股份公司） 摘要： 鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展，鍵合焊點(diǎn)根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣，該文簡述了鋁帶鍵合工藝過程，分析了導(dǎo)致鋁帶鍵合點(diǎn)
2024-11-01 11:08:07
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多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:044575 
晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:433882 作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:3717003 在微電子封裝中，引線鍵合是實(shí)現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號輸入輸出的重要方式，鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針對電路實(shí)際生產(chǎn)中遇到的測試短路、內(nèi)部鍵合絲脫落
2023-11-02 09:34:052182 
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398 
金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來
2025-03-12 15:28:383675 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:242032 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）在芯片制造的過程中，拆鍵合是非常重要的一步。拆鍵合工藝是通過施加熱量或激光照射將重構(gòu)的晶圓與載板分離。在此過程中，熱敏或紫外線敏感膠帶層會軟化并失去附著力，從而有助于將
2024-03-26 00:23:004380 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:001039 
客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一，混合鍵合在近期受到很多關(guān)注，相關(guān)設(shè)備廠商尤其是國產(chǎn)設(shè)備廠商的市場前景巨大。那么混合鍵合是什么？ ? 混合鍵合是一種結(jié)合介電層鍵合和金
2025-06-03 09:02:182704 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 半導(dǎo)體封裝技術(shù)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)平面架構(gòu)向三維立體集成的革命性躍遷，其中銅 - 銅混合鍵合技術(shù)以其在互連密度、能效優(yōu)化與異構(gòu)集成方面的突破，成為推動 3D 封裝發(fā)展的核心
2025-06-29 22:05:131519 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 編輯
connex金線鍵合機(jī)編程
2012-05-19 09:03:56
目前在做砷化鎵和磷化銦，在研究bongder和debonder工藝， 主要是超薄片很難處理，so暫定臨時鍵合解鍵合和薄片清洗流程，因?yàn)檎嬗斜Ｗo(hù)可以做背面工藝，這里有前輩做過這個嗎？
2018-12-17 13:55:06
請教：最近在書上講解電感時提到一個名詞——鍵合線，望大家能給出通俗詳細(xì)解釋
2014-06-22 13:21:45
找了一圈，發(fā)現(xiàn)做線鍵合機(jī)的比較多，想知道做晶圓鍵合wafer bonding的中國廠家。
2021-04-28 14:34:57
任務(wù)要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理，開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果，分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
急求關(guān)于面鍵合技術(shù)的相關(guān)資料，面鍵合??！
2012-12-11 22:25:48
求解鋁絲鍵合機(jī)工作原理！?。?！謝謝 盡可能詳細(xì)點(diǎn)求大神指點(diǎn)
2017-08-06 09:59:05
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
銅線以其良好的電器機(jī)械性能和低成本特點(diǎn)已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在鍵合過程中容易帶來新的失效問題,文中對這種
2009-03-07 10:30:57
16 分析了陽極鍵合技術(shù)的原理和當(dāng)前陽極鍵合技術(shù)的研究進(jìn)展,綜述了微傳感器對陽極鍵合的新需求,展望了陽極鍵合技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽極鍵合; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4927 摘要：本文簡述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理，分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素，重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式：鍵合強(qiáng)度下降、鍵合點(diǎn)脫落等，并提
2010-05-31 09:38:0430 原子間的鍵合
1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成鍵合稱為金屬鍵。金屬鍵的基本特點(diǎn)是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:315913 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無線鍵合 LED ，亮度號稱比市場上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED， Lumex 的 TitanBrite 無線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格，確保Lumex的無線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17868 美國北卡羅來納州研究三角園消息—2015年3月28日—三維集成電路低溫直接鍵合專利技術(shù)開發(fā)商和供應(yīng)商Ziptronix公司今天宣布與索尼公司簽署了一份用于高級圖像傳感器應(yīng)用的專利許可協(xié)議。
2015-04-01 11:55:382814 已有研究表明，鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）可靠性的主要因素之一。以此為研究背景，首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性，分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145 提高功率調(diào)節(jié)器件的電流容量和性能，導(dǎo)熱性能好金31.kW/m2k 銅39.5kW/m2K? ? 6.傳熱效率更高，機(jī)械性質(zhì)高? ? 7.IMC生長較為溫和，從而提高鍵合強(qiáng)度降低金屬間生長速度，提高
2018-04-24 14:52:552145 由一下成分組成：Ag＞99.99%,Cu＜1%,Au＜1%,Fe≤1.1ppm，Pb≤1.0ppm，Ni≤1.0ppm，Mg≤2.0ppm，Zn≤2.0ppm。鍵合銀絲是在高純銀材料的基礎(chǔ)上，采取
2018-04-26 17:28:362713 代工廠、設(shè)備供應(yīng)商、研發(fā)機(jī)構(gòu)等都在研發(fā)一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）工藝，這項(xiàng)技術(shù)正在推動下一代2.5D和3D封裝技術(shù)。
2020-10-10 15:24:327955 
銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離LED死燈的案子時常發(fā)生，大家通常爭論是鍍銀層結(jié)合力差的問題，還是鍵合線工藝問題，而本案例，金鑒從百格實(shí)驗(yàn)和FIB截面觀察的角度來判定為鍵合工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:123593 
Shao博士；Erik Yakobson博士, Brian Gokey; MACDERMID ALPHA ELECTRONIC SOLUTIONS 倒裝芯片鍵合對于混合集成（hybridization
2022-11-11 17:11:012050 為解決銅絲硬度大帶來的鍵合難度，半導(dǎo)體封裝企業(yè)通常選擇應(yīng)用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果，這也導(dǎo)致焊接期間需要耗費(fèi)更多的時間完成鍵合工作。
2022-12-15 15:44:464438 本試驗(yàn)提供了確定芯片鍵合面上的金絲球鍵合點(diǎn)的鍵合強(qiáng)度測定方法，可在元器件封裝前或封裝后進(jìn)行測定。
2022-12-20 10:17:044477 通過控制單一變量的試驗(yàn)方法，研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時間和鍵合壓力等參數(shù)對自動鍵合一致性和可靠性的影響，分析了每個參數(shù)對自動鍵合的影響規(guī)律，給出了自動鍵合參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:312972 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:256593 金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力，因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力，希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來代替金線鍵合。
2023-02-13 09:21:414688 兩片晶圓面對面鍵合時是銅金屬對銅金屬、介電值對介電質(zhì)，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進(jìn)封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、線路設(shè)計(jì)時就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:302600 金絲鍵合推拉力測試機(jī)應(yīng)用
2023-05-16 14:32:551494 晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:273533 
小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機(jī)遇，但當(dāng)前的鍵合技術(shù)帶來了許多挑戰(zhàn)。
2023-06-20 16:45:131136 
在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:083164 
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:153526 的傳輸路徑）的方法被稱為引線鍵合（Wire Bonding）。其實(shí)，使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了，現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來，加裝芯片鍵合（Flip Chip Bonding）和硅穿孔
2023-08-09 09:49:476419 
隨著產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)升級，電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展，對電子設(shè)備提出了更高的要求?？煽康姆庋b技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽極鍵合技術(shù)是晶圓封裝的有效手段，已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點(diǎn)是鍵合時間短、鍵合成本低。溫度更高，鍵合效率更高，鍵合連接更可靠。
2023-09-13 10:37:361239 
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展，以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項(xiàng)突出進(jìn)步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù)，它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:292585 引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法，其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤（即引線）。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:133691 
晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:242895 
自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip Connect，C4）技術(shù)，或稱倒裝芯片技術(shù)，凸點(diǎn)鍵合在微電子封裝領(lǐng)域特別是芯片與封裝基板的鍵合
2023-12-05 09:40:003259 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，晶圓鍵合設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓鍵合技術(shù)是一種將兩個或多個晶圓通過特定的工藝方法緊密地結(jié)合在一起的技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高性能、更小型化的電子元器件。本文將詳細(xì)介紹晶圓鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及晶圓鍵合工藝的流程、特點(diǎn)和應(yīng)用。
2023-12-27 10:56:383181 
共讀好書 姚友誼 吳琪 陽微 胡蓉 姚遠(yuǎn)建 （成都西科微波通訊有限公司） 摘要： 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過鍵合的故障現(xiàn)象著手，就鋁焊盤上幾種常見鍵合方式進(jìn)行了探討，得出鍵合的優(yōu)先級為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:482915 
共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要： 鍵合對設(shè)備性能和人員技能的要求極高，屬于關(guān)鍵控制工序，鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對鍵合的影響因素進(jìn)行整體把控，有針對性地控制
2024-02-02 17:07:181762 
共讀好書 周巖 劉勁松 王松偉 彭庶瑤 彭曉飛 (沈陽理工大學(xué) 中國科學(xué)院金屬研究所師昌緒先進(jìn)材料創(chuàng)新中心江西藍(lán)微電子科技有限公司) 摘要： 目前，鍵合銅絲因其價(jià)格低廉、具有優(yōu)良的材料性能等特點(diǎn)
2024-02-22 10:41:432354 
領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Adeia戰(zhàn)略副總裁Seung Kang博士表示，對計(jì)算能力的需求正在加速增長，需求將超過當(dāng)前支撐當(dāng)今高性能基礎(chǔ)設(shè)施、平臺和設(shè)備的芯片組技術(shù)的能力。 全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的各個垂直領(lǐng)域幾乎都對人工智能的興趣日益濃厚，預(yù)計(jì)將推動整個半導(dǎo)體行業(yè)對混合鍵合技術(shù)的需求激增。 Ga
2024-02-01 14:42:50747 據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:231266 混合鍵合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進(jìn)制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同鍵合方法的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了更高的封裝密度、更強(qiáng)的機(jī)械性能和更好的熱穩(wěn)定性，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:194673 
共讀好書 鄭嘉瑞 肖君軍 胡金 哈爾濱工業(yè)大學(xué)( 深圳) 電子與信息工程學(xué)院 深圳市聯(lián)得自動化裝備股份有限公司 摘要: 當(dāng)前，半導(dǎo)體設(shè)備受到國家政策大力支持，半導(dǎo)體封裝測試領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片鍵合裝備
2024-06-27 18:31:143142 
推動了這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展，這項(xiàng)技術(shù)對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要。這項(xiàng)技術(shù)被稱為混合鍵合，它將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管
2024-06-18 16:57:512677 金絲鍵合強(qiáng)度測試儀是測量引線鍵合強(qiáng)度，評估鍵合強(qiáng)度分布或測定鍵合強(qiáng)度是否符合有關(guān)的訂購文件的要求。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:592227 
最近比較多客戶咨詢鍵合剪切力試驗(yàn)儀器以及如何測試剪切力？抽空整理了一份鍵合點(diǎn)剪切力試驗(yàn)步驟和已剪切的鍵合點(diǎn)如何檢查。鍵合點(diǎn)剪切試驗(yàn)：在開始進(jìn)行試驗(yàn)前，鍵合剪切設(shè)備應(yīng)通過所有的自診斷測試。鍵合剪切設(shè)備
2024-07-12 15:11:041636 
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 在微電子封裝領(lǐng)域，金絲鍵合（Wire Bonding）工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細(xì)金屬線（主要是金絲）將芯片上的焊點(diǎn)與封裝基板或另一芯片上的對應(yīng)焊點(diǎn)連接起來
2024-08-16 10:50:144903 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，技術(shù)的每一次革新都標(biāo)志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來，隨著芯片性能需求的不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid
2024-08-26 10:41:542476 
共賞好劇引線鍵合之DOE試驗(yàn)歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領(lǐng)取公眾號資料
原文標(biāo)題：引線鍵合之
2024-11-01 11:08:071406 DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細(xì)介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即
2024-09-20 08:04:292714 
要求，傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔（TSV）鍵合等，正逐步顯露其局限。在這種背景下，混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力，正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:541776 
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢，以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:514308 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片的性能需求不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:323341 
晶圓鍵合是十分重要的一步工藝，本文對其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓鍵合膠？ 晶圓鍵合膠（wafer bonding adhesive）是一種用于
2024-11-14 17:04:443586 
一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù)： 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中，有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對比了大量鍵合方法，認(rèn)為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:001070 
線鍵合與倒裝芯片作為封裝技術(shù)中兩大重要的連接技術(shù)，各自承載著不同的使命與優(yōu)勢。那么，芯片倒裝（Flip Chip）相對于傳統(tǒng)線鍵合（Wire Bonding）究竟有哪些優(yōu)勢呢？倒裝芯片在封裝技術(shù)演進(jìn)
2024-11-21 10:05:152312 
摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合鍵合( HB) 技術(shù)是一種先進(jìn)的3D 堆疊封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:464487 
的更好的縮放性。但是，盡管一些芯片制造商確實(shí)在大批量制造 （HVM） 中采用了混合鍵合，但目前該工藝的成本太高，無法大規(guī)模采用。而且由于混合鍵合將前端和后端生產(chǎn)線連接在一起，因此芯片放置等組裝工藝現(xiàn)在必須滿足前端規(guī)
2024-11-27 09:55:131616 
微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級別的鍵
2024-12-24 11:32:042832 
微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一，特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料：通常通過熱鍵合
2024-12-30 13:56:311247 引線鍵合 引線鍵合，又稱壓焊，是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測試良率具有決定性影響。 以下是對引線鍵合的分述： 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:012679 
線鍵合（WireBonding）線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發(fā)
2025-01-06 12:24:101966 
混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸，芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里，一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”，可以
2025-02-09 09:21:431230 
本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:111575 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411922 
鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522636 
為邦定。 目前主要有四種鍵合技術(shù)：傳統(tǒng)而可靠的引線鍵合（Wire Bonding）、性能優(yōu)異的倒裝芯片（Flip Chip）、自動化程度高的載帶自動鍵合（TAB, Tape Automated Bonding），以及代表未來趨勢的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)。本文將簡要介紹這四種鍵合
2025-03-22 09:45:315450 
自動鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù)，它們在工藝流程、技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場景上各具優(yōu)勢。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢，為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。
2025-04-11 14:02:252628 
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過程中諸多因素會導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36854 
引線鍵合的定義--什么是引線鍵合？引線鍵合（WireBonding）是微電子封裝中的關(guān)鍵工藝，通過金屬細(xì)絲（如金線、鋁線或銅線）將芯片焊盤與外部基板、引線框架或其他芯片的焊區(qū)連接，實(shí)現(xiàn)電氣互連。其
2025-06-06 10:11:411011 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172722 
近日，LG 電子宣布正式啟動混合鍵合設(shè)備的開發(fā)項(xiàng)目，目標(biāo)在 2028 年實(shí)現(xiàn)該設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn)，這一舉措標(biāo)志著 LG 電子在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域邁出了重要一步。混合鍵合技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的前沿工藝
2025-07-15 17:48:02530 鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù)，通過超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得鍵合點(diǎn)兩端同樣呈楔形，因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超聲焊工藝較為復(fù)雜，鍵合劈刀的運(yùn)動、線夾動作
2025-07-16 16:58:241461 當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限，芯片巨頭們正在另一條賽道加速沖刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報(bào)告指出，混合鍵合（Hybrid Bonding） 技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)“單顆芯片
2025-07-28 16:32:54384 鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展，涵蓋直接鍵合（如SiO
2025-08-01 09:25:591765 
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小，三維（3D）封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質(zhì)混合鍵合（HybridBonding）通過直接連接銅互連與介電層，實(shí)現(xiàn)了高密度、低功耗的異質(zhì)集成。然而
2025-08-05 17:48:53865 
一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中，鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn)，芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平整度不佳時，鍵合線與芯片連接部位易出現(xiàn)應(yīng)力集中
2025-09-02 10:37:351788 
在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺（如臺積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361471 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162062 
電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中，金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡單和成本低廉等優(yōu)勢，成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是
2025-10-24 12:20:57444 
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