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      標(biāo)簽　>　工藝流程

      工藝流程

      +關(guān)注7人關(guān)注

      工藝流程亦稱“加工流程”或“生產(chǎn)流程”。指通過(guò)一定的生產(chǎn)設(shè)備或管道，從原材料投入到成品產(chǎn)出，按順序連續(xù)進(jìn)行加工的全過(guò)程。工藝流程是由工業(yè)企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)條件和產(chǎn)品的生產(chǎn)技術(shù)特點(diǎn)決定的。

      文章：102個(gè) 瀏覽：16562次 帖子：3個(gè)

      工藝流程技術(shù)

      DCS工藝流程圖中常見的圖形符號(hào)及代碼識(shí)別你了解嗎？

      每一個(gè)項(xiàng)目在投標(biāo)前都會(huì)經(jīng)設(shè)計(jì)院設(shè)計(jì)工藝流程圖，然后投標(biāo)者依據(jù)流程圖上標(biāo)識(shí)的DCS控制點(diǎn)及設(shè)備連接線路和連鎖來(lái)分析控制原理。但是對(duì)于剛剛接觸DCS行業(yè)的人...

      2018-10-03 標(biāo)簽：DCS代碼工藝流程 7.8萬(wàn) 0

      工藝流程圖包括哪些，重點(diǎn)介紹PID的制圖標(biāo)準(zhǔn)與常用圖例

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      工藝管道用管道組合號(hào)標(biāo)注，管道組合號(hào)由四部分組成，即管道號(hào)(或管段號(hào)，由三個(gè)單元組成)、管徑、管道等級(jí)和隔熱或隔聲。共分為三組，用一短橫線將組與組之間隔...

      2019-04-11 標(biāo)簽：PID管道工藝流程 4.4萬(wàn) 0

      涂布方法的選擇及極片涂布工藝流程

      擠壓嘴的設(shè)計(jì)對(duì)涂布精度有極為重要的影響。因此設(shè)計(jì)時(shí)需要有涂布漿料流變特性的詳細(xì)數(shù)據(jù)。而一旦按提供的流變數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)加工出的擠壓嘴，在涂布漿料流變性質(zhì)有較大改...

      2018-08-16 標(biāo)簽：鋰離子電池工藝流程 3.3萬(wàn) 0

      鋰電池結(jié)和制造,生產(chǎn)工藝流程全解析詳細(xì)資料概述

      鋰電池前端工藝的結(jié)果是將鋰電池正負(fù)極片制備完成，其第一道工序是攪拌，即將正、負(fù)極固態(tài)電池材料混合均勻后加入溶劑，通過(guò)真空攪拌機(jī)攪拌成漿狀。配料的攪拌是鋰...

      2018-07-05 標(biāo)簽：鋰電池制造工藝工藝流程 3.2萬(wàn) 0

      半導(dǎo)體加工和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的工藝流程、相關(guān)設(shè)備及其供應(yīng)商詳細(xì)概述

      本期將為大家介紹單晶硅制造、晶圓加工和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的工藝流程、相關(guān)設(shè)備及其供應(yīng)商。

      2018-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝流程 3.2萬(wàn) 0

      化工工藝流程圖的常用符號(hào)資料說(shuō)明

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      看到各種化工工藝流程圖的時(shí)候，總是一片茫然，滿臉懵逼！看到圖中各種奇形怪狀的符號(hào)不知所指。關(guān)于流程圖的設(shè)備、管件管道、閥門、儀表四大方面都有哪些符號(hào)呢？...

      2019-02-03 標(biāo)簽：儀表流程圖工藝流程 2.6萬(wàn) 0

      Micro OLED的結(jié)構(gòu)與工藝流程 Micro OLED與傳統(tǒng)AMOLED的區(qū)別

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      Micro OLED，又稱硅基OLED或OLEDoS，是將傳統(tǒng)OLED的玻璃基板替換為單晶硅基板，并采用有機(jī)發(fā)光技術(shù)。與傳統(tǒng)OLED外置驅(qū)動(dòng)不同，硅基O...

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      電鍍前處理不當(dāng)引起鍍層出現(xiàn)針孔常見問(wèn)題和解決方案

      在電鍍工藝中，經(jīng)常出現(xiàn)在鍍層上噴涂油漆出現(xiàn)不良的現(xiàn)象，這是由于電鍍之后表面有油污，導(dǎo)致附著力差。但是，在零件進(jìn)行電鍍時(shí)，常有鍍后出現(xiàn)針孔的情況發(fā)生，今天...

      2018-07-21 標(biāo)簽：電鍍工藝流程 1.7萬(wàn) 0

      22nm平面工藝流程介紹

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      2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片22nm 1.5萬(wàn) 0

      顧杰斌團(tuán)隊(duì)研發(fā)的MEMS-Casting?技術(shù)實(shí)現(xiàn)了MEMS和鑄造的完美結(jié)合

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      MEMS技術(shù)與鑄造的結(jié)合，緣自它們之間的一個(gè)共通點(diǎn)：兩者都是機(jī)械部件制造技術(shù)，區(qū)別在于尺度上存在幾個(gè)數(shù)量級(jí)差異。相對(duì)于其他機(jī)械加工方法，例如車，銑，拋等...

      2019-03-26 標(biāo)簽：mems模擬器件工藝流程 8231 0

      用cadence導(dǎo)出一個(gè)藍(lán)色的圖紙!怎么做？

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      那這怎么跟cadence扯上關(guān)系了，打印出藍(lán)色的圖紙和真正的硫酸紙并不是一個(gè)效果的啊，額……，其實(shí)是這個(gè)樣子的，甲方要這種藍(lán)圖存檔用，但是呢大家都知道這...

      2018-05-09 標(biāo)簽：cadence工藝流程 7659 0

      22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFET制造工藝流程

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      半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成，這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu)，并且從一個(gè)器件到下一個(gè)器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟，以確保實(shí)現(xiàn)所...

      2023-12-06 標(biāo)簽：制造工藝22nm工藝流程 7434 0

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      襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。

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      無(wú)可替代的封裝技術(shù)LTCC——工藝及設(shè)備篇

      LTCC工藝流程大致步驟為：粉料制備—漿料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—疊層—層壓—排膠—燒結(jié)—檢測(cè)。其詳細(xì)工藝流程圖如下

      2023-02-01 標(biāo)簽：封裝技術(shù)LTCC工藝流程 5843 0

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      多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過(guò)不同工藝的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。 其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過(guò)超過(guò)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)...

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      光掩膜版基本上是 IC 設(shè)計(jì)的“主模板”。掩模版有不同的尺寸。常見尺寸為 6 x 6 英寸一般的掩膜版由石英或玻璃基板組成。光掩膜版涂有不透明薄膜。更復(fù)...

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      硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?；?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。

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      2023-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片工藝流程 4465 0

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      GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...

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        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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        +關(guān)注
        面包板是由于板子上有很多小插孔，專為電子電路的無(wú)焊接實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)制造的。由于各種電子元器件可根據(jù)需要隨意插入或拔出，免去了焊接，節(jié)省了電路的組裝時(shí)間，而且元件可以重復(fù)使用，所以非常適合電子電路的組裝、調(diào)試和訓(xùn)練。
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        AXI是一種總線協(xié)議，該協(xié)議是ARM公司提出的AMBA3.0協(xié)議中最重要的部分，是一種面向高性能、高帶寬、低延遲的片內(nèi)總線。它的地址/控制和數(shù)據(jù)相位是分離的，支持不對(duì)齊的數(shù)據(jù)傳輸，同時(shí)在突發(fā)傳輸中，只需要首地址，同時(shí)分離的讀寫數(shù)據(jù)通道、并支持Outstanding傳輸訪問(wèn)和亂序訪問(wèn)，并更加容易進(jìn)行時(shí)序收斂。AXI是AMBA中一個(gè)新的高性能協(xié)議。
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        特性阻抗又稱特征阻抗，它不是直流電阻，屬于長(zhǎng)線傳輸中的概念。特性阻抗是射頻傳輸線影響無(wú)線電波電壓、電流的幅值和相位變化的固有特性，等于各處的電壓與電流的比值，用V/I表示。在射頻電路中，電阻、電容、電感都會(huì)阻礙交變電流的流動(dòng)，合稱阻抗。電阻是吸收電磁能量的，理想電容和電感不消耗電磁能量。
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        時(shí)鐘源
        +關(guān)注
        時(shí)鐘源用來(lái)為環(huán)形脈沖發(fā)生器提供頻率穩(wěn)定且電平匹配的方波時(shí)鐘脈沖信號(hào)。它通常由石英 晶體振蕩器和與非門組成的正反饋振蕩電路組成，其輸出送至環(huán)形脈沖發(fā)生器。
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        　　Kintex-7系列：Kintex-7 系列是一種新型 FPGA，能以不到 Virtex-6 系列一半的價(jià)格實(shí)現(xiàn)與其相當(dāng)性能，性價(jià)比提高了一倍，功耗降低了一半。
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