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標(biāo)簽 > 工藝
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鉆頭通常有兩個(gè)主切削刃,加工時(shí),鉆頭在回轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行切削。鉆頭的前角由中心軸線至外緣越來(lái)越大,越接近外圓部分鉆頭的切削速度越高,向中心切削速度遞減,鉆頭...
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究,多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法,其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀,主要適用于太...
濕法蝕刻過(guò)程中影響光致抗蝕劑對(duì)GaAs粘附的因素
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
通過(guò)使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法,以及開(kāi)發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序;一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...
在各工藝段各種介質(zhì)到底選擇哪種流量?jī)x表來(lái)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化的測(cè)量就是今天所面臨的問(wèn)題。其主要問(wèn)題有以下四類,即“兩個(gè)復(fù)雜兩個(gè)問(wèn)題”。
介質(zhì)流體工藝狀況對(duì)質(zhì)量流量計(jì)的影響
通過(guò)對(duì)質(zhì)量流量計(jì)使用過(guò)程中出現(xiàn)的故障進(jìn)行處理、分析和總結(jié)后,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量流量計(jì)不能正常工作的原因大部分是受安裝不規(guī)范和介質(zhì)流體工藝狀況的影響,日常檢定拆卸回...
2022-04-20 標(biāo)簽:傳感器工藝質(zhì)量流量計(jì) 908 0
用拉伸工藝可以制成圓筒形、矩形、階梯形、球形、錐形、拋物線形及其他不規(guī)則形狀的薄壁零件,如果與其他沖壓成形工藝配合,還可制造形狀更為復(fù)雜的零件。
Inphi借助Cadence技術(shù)完成7nm全芯片扁平化設(shè)計(jì)流片
Inphi 是高速數(shù)據(jù)移動(dòng)互連領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,致力于在全球范圍內(nèi)、數(shù)據(jù)中心之間以及數(shù)據(jù)中心內(nèi)部快速傳輸大數(shù)據(jù)。
外輸交接計(jì)量系統(tǒng)中流量計(jì)的檢定方式有哪些
準(zhǔn)確性、一致性、法制性是對(duì)交接計(jì)量的基本要求,掌握準(zhǔn)確的原油外輸量才能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的經(jīng)濟(jì)核算和生產(chǎn)控制。為滿足計(jì)量準(zhǔn)確度要求,計(jì)量系統(tǒng)中流量計(jì)的周期性檢定...
GRAEFF為廣大行業(yè)客戶提供完整的壓力和溫度測(cè)量系統(tǒng)解決方案
為期3天的共混智造展會(huì)于9月15日完美收官!展會(huì)上討論了共混行業(yè)在多品種、小批量混合生產(chǎn)條件下,如何探索高質(zhì)量、高效率、低消耗的生產(chǎn)方式;共混企業(yè)制造升...
2023-09-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)工藝溫度測(cè)量系統(tǒng) 893 0
半導(dǎo)體制造行業(yè)晶圓干燥工藝的應(yīng)用研究
利用異丙醇(IPA)和氮載氣開(kāi)發(fā)了一種創(chuàng)新的晶片干燥系統(tǒng),取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究了IPA濃度是運(yùn)行該系統(tǒng)的最重要因素,為了防止IPA和熱量...
在半導(dǎo)體微器件的制造中,必須通過(guò)蝕刻各種材料,從表面移除整個(gè)層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝:濕法和干法蝕刻,同時(shí)進(jìn)一步分...
我國(guó)機(jī)器人企業(yè)傾向于采取“自研+收購(gòu)”的模式,一方面加大研發(fā)投入,另一方面收購(gòu)上下游企業(yè),以求加快追趕進(jìn)度。但是,工業(yè)機(jī)器人核心零部件對(duì)設(shè)備投入要求高、...
創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實(shí)現(xiàn)上架
近日,珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性,最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對(duì)于Ge或GeOI CMOS...
美國(guó)政府為了限制大陸獲得先進(jìn)工藝的能力,出臺(tái)了廣泛的限制措施。但中國(guó)花費(fèi)數(shù)十億美元的制造過(guò)程中成熟的投入,因此,了解內(nèi)幕的人士認(rèn)為,美國(guó)再次擔(dān)心中國(guó)的潛...
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...
大型燒結(jié)機(jī)單輥破碎機(jī)軸頭磨損如何輕松修復(fù)
因該企業(yè)之前采用過(guò)索雷碳納米聚合物材料進(jìn)行其他設(shè)備的修復(fù),效果明顯,所以這次機(jī)燒結(jié)機(jī)單輥破碎機(jī)軸頭磨損后還是采用的該技術(shù)。該技術(shù)是修復(fù)過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生高溫...
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