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標(biāo)簽 > 晶圓制造
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芯片設(shè)計(jì)難度大嗎 芯片設(shè)計(jì)難在哪里
芯片設(shè)計(jì),環(huán)節(jié)眾多,每個(gè)環(huán)節(jié)都面臨很多挑戰(zhàn)。以相對(duì)較為簡(jiǎn)單的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)為例設(shè)計(jì)多采用自頂向下設(shè)計(jì)方式,層層分解后包括: 需求定義:結(jié)合外部環(huán)境...
2023-09-06 標(biāo)簽:fpga集成電路芯片設(shè)計(jì) 2k 0
引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
AIX G5反應(yīng)器平臺(tái)5x200 mm硅基氮化鎵技術(shù)
愛思強(qiáng)股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+,為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺(tái)提供5x200 mm硅基氮化鎵生長(zhǎng)專用設(shè)備?;谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計(jì)劃,愛...
2012-07-25 標(biāo)簽:晶圓制造硅基氮化鎵技術(shù)愛思強(qiáng) 1.9k 0
中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國(guó)汽車品牌或與中國(guó)合資的汽車品牌...
華大九天Vision平臺(tái)重塑晶圓制造良率優(yōu)化新標(biāo)桿
摩爾定律驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正步入復(fù)雜度空前的新紀(jì)元。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的持續(xù)突破疊加國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈的深度整合,不僅推動(dòng)芯片性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,更使良率管理面臨前...
SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來...
下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列,累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過將fab外的晶圓...
Metalenz聯(lián)合UMC將其開創(chuàng)性的超構(gòu)表面光學(xué)器件推向市場(chǎng)
Metalenz表示,與UMC的新合作伙伴關(guān)系將有助于其超構(gòu)表面光學(xué)器件首次直接推向公開市場(chǎng)。Metalenz成立于2016年,早在2021年就公布了其...
晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...
半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...
傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于: 襯底的厚度會(huì)影響片上的寄生電容, 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開, 以達(dá)到(部...
有許多單獨(dú)的模式處理步驟,這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu),器件中堆疊層的組合方式,并且可以在物理尺寸的層面上繼續(xù)縮小。
中國(guó)電科宣布已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測(cè)試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域,通過抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到,因此晶...
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在...
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