臺(tái)積電4月16日晚宣布，推出6納米（N6）制程技術(shù)，大幅強(qiáng)化7納米（N7）技術(shù)。據(jù)其日前宣布5納米已進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電無疑越接近摩爾定律的極限。每隔一納米，都要在7、6、5納米制程一路通吃。值得注意的是，其主要競爭對手三星也在日前宣布完成5納米EUV工藝研發(fā)，并已送樣給客戶，雙雄競爭不相上下。
2019-04-18 11:15:24
1001 采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī)，這是28納米核心芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步，開啟了先進(jìn)手機(jī)芯片制造落地中國的新紀(jì)元。
2015-08-11 07:54:463551 2016年除了蘋果（Apple）是臺(tái)積電16納米制程最重要客戶外，包括聯(lián)發(fā)科、海思及展訊均積極在臺(tái)積電導(dǎo)入16納米制程量產(chǎn)，大幅拉抬兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者在臺(tái)積電先進(jìn)制程投片比重，2016年臺(tái)積電16納米制程產(chǎn)能除了供應(yīng)蘋果產(chǎn)品需求，其他產(chǎn)能幾乎已被兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者全包。
2016-02-26 08:10:421110 旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:443664 
阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:089294 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:215259 
示日本工廠將以日本客戶為中心，預(yù)計(jì)將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息，該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片，月產(chǎn)能目標(biāo)為5.5萬片晶圓。臺(tái)積電在發(fā)布會(huì)上強(qiáng)調(diào)，2nm制程工藝（N2）研發(fā)順利，能夠按照此前目標(biāo)于2025年量產(chǎn)。此外，張曉強(qiáng)還表示，256M
2023-07-03 10:49:131108 離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進(jìn)入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進(jìn)內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個(gè)尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個(gè)有數(shù)百個(gè)間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
研發(fā)實(shí)力得到進(jìn)一步夯實(shí)，正伺機(jī)而動(dòng)等待崛起之機(jī)。GF退出后，高端芯片將出現(xiàn)一定的市場缺口，這將成為中國芯爭搶市場份額的好時(shí)機(jī)。日前，7納米的中國芯制造捷報(bào)頻頻。***才宣布 14 納米FinFET
2018-09-05 14:38:53
“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D
2017-09-22 11:08:53
TSMC，中芯國際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線，服務(wù):技術(shù)部門，生產(chǎn)管理部門，動(dòng)力站（雙路保障），廢水處理站(環(huán)保，循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐，薄膜設(shè)備，光刻機(jī)，蝕刻機(jī)，離子注入機(jī)，擴(kuò)散爐
2025-03-27 16:38:20
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
光刻機(jī)完成的。而臺(tái)積電沒有使用EUV光刻機(jī)的７納米工藝要到今年底才能量產(chǎn)，英特爾會(huì)更晚些。使用EUV光刻機(jī)未來可升級(jí)到更先進(jìn)的5納米制程。這樣看來，中國的ＩＣ制程技術(shù)比世界最先進(jìn)水平落后兩代以上，時(shí)間上
2018-06-13 14:40:57
離子束對材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。2.工作原理聚焦離子束(ed Ion
2020-02-05 15:13:29
請問各位大俠，離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí)，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】：《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時(shí),離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:02
12 臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551291 離子注入技術(shù)又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:576005 
本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:296829 
簡述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢及典型應(yīng)用，并簡要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。
2011-05-22 12:10:3114992 
詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1622013 
離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:085378 離子注入設(shè)備和方法:最簡單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:558645 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0086 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點(diǎn) 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47122 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實(shí)驗(yàn)中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)干運(yùn)轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗(yàn)機(jī)測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識(shí)、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
2012年4月18日，中國上海——ARM今日宣布針對臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（以下簡稱：臺(tái)積電）的40與28納米制程，大幅拓展用于一系列ARM Cortex處理器的全新處理器優(yōu)化包（POP）解決
2012-04-19 08:41:16997 
日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521458 本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 半導(dǎo)體行業(yè)觀察：日前，中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡稱電科裝備）傳來好消息，自主研發(fā)的國內(nèi)首臺(tái)中束流離子注入機(jī)在中芯國際大生產(chǎn)線上穩(wěn)定流片逾200萬
2017-12-19 18:06:397905 近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將正式啟動(dòng)試流片。
2018-01-15 09:50:097504 ，2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動(dòng)5納米建廠計(jì)劃，正式投入5納米制程的研發(fā)。因此，三星為了能縮減與臺(tái)積電的差距，5日正式宣布攜手知識(shí)產(chǎn)權(quán)大廠安謀（ARM），雙方協(xié)議將進(jìn)一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。
2018-07-06 15:01:004225 
的集成電路核心裝備展上公布了離子注入機(jī)、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等一系列用于芯片制造的母機(jī)。只有將這些擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片制造設(shè)備掌握在自己手里，才能擺脫國外的各種制約。
2018-09-05 15:42:504475 在臺(tái)積電宣布明年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)的同時(shí)，國產(chǎn)設(shè)備亦傳來好消息。日前上觀新聞報(bào)道，中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。
2018-12-18 15:10:2911250 臺(tái)積電宣布，其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺(tái)積電成功的7納米制程之上，也為明年首季試產(chǎn)6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。
2019-10-08 16:11:373646 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162684 近日有消息顯示，萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進(jìn)行離子注入晶圓驗(yàn)證。
2019-12-31 10:04:086303 服務(wù)“新基建”，助力信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。6月9日，在線上線下共同關(guān)注下，中國電科云公司在“云端”正式發(fā)布首個(gè)全信創(chuàng)架構(gòu)云桌面產(chǎn)品。這是繼2個(gè)月前中國電科云公司發(fā)布信創(chuàng)云一體機(jī)后的又一力作，也是業(yè)內(nèi)首個(gè)面向黨政軍客戶的全信創(chuàng)架構(gòu)云桌面產(chǎn)品。
2020-06-15 15:33:083415 近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線，這臺(tái)由客戶直接采購的設(shè)備如期交付，標(biāo)志著公司國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284936 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中國知名電子企業(yè)中國電子科技集團(tuán)有限公司近日取得重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的高能離子注入機(jī)已成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，其性能達(dá)國際主流先進(jìn)水平。
2020-06-28 11:36:024529 創(chuàng)始人陳炯博士畢業(yè)于美國哥倫比亞大學(xué)應(yīng)用物理博士學(xué)位，曾是全球知名離子注入機(jī)企業(yè)AIBT的創(chuàng)始人之一，帶領(lǐng)美國團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)了兩代大束流離子注入機(jī)，打入先進(jìn)28nm關(guān)鍵制程集成電路制造廠商。
2020-09-28 13:53:342488 離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:454207 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候，該公司就開始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細(xì)的可以
2020-11-20 10:03:278298 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:306896 
目前，離子注入機(jī)行業(yè)主要由美國廠商壟斷，應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計(jì)占據(jù)全球 85%-90%的市場，存在較高競爭壁壘，也是解決芯片國產(chǎn)化設(shè)備卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2020-12-04 10:21:294347 據(jù)中國臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，為朝半導(dǎo)體制造的1納米甚至埃米（0.1納米）世代超前部署，據(jù)高雄市府知情官員透露，臺(tái)積電正為2納米之后的先進(jìn)制程持續(xù)覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺(tái)積電評(píng)估中長期投資設(shè)廠
2020-12-28 16:42:303121 ，加強(qiáng)與北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的產(chǎn)業(yè)融合，電科裝備在北京布局“一總部一院一中心一基地”，啟動(dòng)了中國電科（北京）集成電路核心裝備自主化及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，打造國家集成電路裝備創(chuàng)新平臺(tái)，加快離子注入機(jī)、CMP、先進(jìn)封裝等高端裝
2021-01-06 13:54:373082 很多人都知道，離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，而中國電子科技集團(tuán)有限公司旗下裝備子集團(tuán)就是在離子注入機(jī)方面取得了重大突破，其成功實(shí)現(xiàn)了離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化，包括中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)，工藝段覆蓋至28nm，累計(jì)形成了413項(xiàng)核心發(fā)明專利。
2021-04-17 08:14:194550 非常繁瑣，從原材料開始，要經(jīng)過很多道復(fù)雜的工序才能得到最終可使用的芯片。大致流程如下。 1.加法工藝 1.1摻雜（擴(kuò)散、離子注入） 對應(yīng)設(shè)備：擴(kuò)散爐、離子注入機(jī)、退火爐 1.2薄膜（氧化、化學(xué)氣相淀積、濺射、外延） 對應(yīng)設(shè)備：
2022-09-29 10:04:082159 與通過傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:0110388 通常，用射頻電源產(chǎn)生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 PLAD 摻雜氣體為 B2H6，用于硼摻雜。對于需要非常高劑量的圓片摻雜的產(chǎn)品，由于離子注入機(jī)需要“點(diǎn)”式掃描注入，即使在最高的離子束流下，工藝實(shí)施時(shí)間仍然較長，產(chǎn)出效率低。
2022-11-01 10:14:007986 。擴(kuò)散過程之前，必須先生長一層厚的氧化層作為擴(kuò)散遮蔽層，然后再通過圖形化及刻蝕定義岀需要擴(kuò)散的區(qū)域。離子注入是一個(gè)室溫過程,厚的光刻膠層就可以阻擋高能量摻雜物離子。離子注入可以使用光刻膠作為圖形化遮蔽層,而不需要生長及刻蝕二氧化硅形成如擴(kuò)散摻雜所需的硬遮蔽層。當(dāng)然，離子注入機(jī)的晶圓夾具必須
2023-05-08 11:19:334484 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:0811842 
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:135826 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:174058 
集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:123372 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:271468 
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:251152 
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:131483 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2021-12-31 14:13:051240 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:191202 來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡稱“中國電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:461740 摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測中最常使用的測量工具，可以測量硅
2023-07-07 09:51:177804 
在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?！该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:561555 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:004232 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:467464 
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:192387 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，凱世通長期專注于該行業(yè)，產(chǎn)品已應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、功率等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。他們所生產(chǎn)的低能大束流離子注入機(jī)和高能離子注入機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化突破，無論是工藝覆蓋面，還是良品率，甚至產(chǎn)能，都處于業(yè)界領(lǐng)先位置
2023-12-25 10:40:311091 離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
2024-02-21 10:23:317498 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:132042 
據(jù)了解，到2024年第一季度為止，該公司已陸續(xù)向多個(gè)特定客戶發(fā)出了多個(gè)離子注入機(jī)訂單，單季度就完成了八臺(tái)離子注入機(jī)的客戶端上線工作，呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢，取得了良好開局。
2024-03-30 09:34:231463 本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。
離子注入機(jī)的原理是什么？
2024-04-18 11:31:514790 
盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設(shè)備支持，包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中，能否擁有高溫離子注入機(jī)被視為衡量SiC生產(chǎn)線水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
2024-05-17 09:47:582033 住友重工離子技術(shù)公司，作為住友重工的子公司，計(jì)劃在2025年向市場推出專為碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之處，但由于其高硬度等獨(dú)特性質(zhì)，對生產(chǎn)設(shè)備提出了特殊要求。
2024-05-20 14:31:312377 該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機(jī)，屬于半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該設(shè)備主要由支撐框架、離子注入機(jī)構(gòu)、照射箱組件和擾流機(jī)構(gòu)組成，同時(shí)配備吸塵除塵組件。
2024-05-28 10:06:201013 
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接觸的有源區(qū)，或者n型和p型有源區(qū)電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921 
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-09 11:09:571904 本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù)：暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子注入 在半導(dǎo)體制造工藝中指的是離子注入（Ion
2024-12-31 11:49:173571 
產(chǎn)生的晶格損傷，并激活摻雜劑離子，從而實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電學(xué)特性。 1. 離子注入的目的 離子注入是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中不可或缺的工藝之一。通過這一步驟，可以精確控制摻雜劑的種類、濃度和分布，以創(chuàng)建半導(dǎo)體器件所需的P型和N型區(qū)
2025-01-02 10:22:232459 本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝的主要參數(shù)緊密相連。 離子注入技術(shù)的主要參數(shù)
2025-01-21 10:52:253250 
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
2025-04-23 10:54:051666 
離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當(dāng)離子入射方向與靶材主晶軸平行時(shí)，部分離子會(huì)直接
2025-09-12 17:16:011978 
在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結(jié)果進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計(jì)要求。當(dāng)前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針法與熱波法，兩種方法各有特點(diǎn)，適用于不同的檢測場景。
2025-11-17 15:33:10732 
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