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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
本文旨在描述處理和安裝裸片壓力傳感器的最佳方法。 Merit Sensor 在 4 英寸晶圓上制造所有壓力芯片,這些晶圓在 Mylar 薄膜(箔帶)上切...
晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理
本文介紹了晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)? 晶圓在制造過(guò)程中有數(shù)百道工藝步驟,標(biāo)記使得每片晶圓能夠在不同階段進(jìn)行身份識(shí)別,...
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
臺(tái)積電下調(diào)代工報(bào)價(jià) 28/22nm工藝降價(jià)幅度達(dá)10%
據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,據(jù)消息人士透露,臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開(kāi)始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少,8英寸平均生...
微型晶體管的制造過(guò)程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過(guò)程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 987 0
倒裝芯片封裝技術(shù)有哪些 倒裝芯片封裝的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)
底部填充膠被填充在芯片與基板之間的間隙,來(lái)降低芯片與基板熱膨脹系數(shù)不匹配產(chǎn)生的應(yīng)力,提高封裝的穩(wěn)定性。
除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外,還有另一種封裝方法,即使用球形凸點(diǎn)連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝,與引線鍵合相比,它具有更...
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)SiC功...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
交換機(jī)芯片的制作是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過(guò)程,涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟。
硅晶圓相對(duì)容易處理,并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而,砷化鎵晶圓并不是那么堅(jiān)韌,斷裂是主要的晶圓良率限制因素。在砷化鎵制造線上,電路...
*文末有禮 碳化硅(SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式,帶來(lái)一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過(guò)SiC實(shí)現(xiàn)性...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(四)
浮區(qū)晶體生長(zhǎng)是本文所解釋的幾個(gè)過(guò)程之一,這項(xiàng)關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來(lái)的技術(shù),至今仍用于特殊用途的需求。
集成芯片的制造運(yùn)用了多種技術(shù),這些技術(shù)相互關(guān)聯(lián)、相互支持,共同構(gòu)成了集成芯片制造的完整過(guò)程。
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