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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

全自動(dòng)變倍對(duì)焦顯微鏡：晶圓盤(pán)檢測(cè)的得力助手

全自動(dòng)變倍對(duì)焦顯微鏡，以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，正成為晶圓盤(pán)檢測(cè)領(lǐng)域的一顆璀璨明星。

2024-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓顯微鏡 943 0

倒裝晶片裝配對(duì)供料器的要求

要滿足批量高速高良率的生產(chǎn)，供料技術(shù)也相當(dāng)關(guān)鍵。倒裝晶片的包裝方式主要有2×2和4×4 in JEDEC盤(pán)， 20O mm或300 mm晶圓盤(pán)（Wafe...

2023-09-21 標(biāo)簽：晶圓晶片供料器 941 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（五）

在晶體生長(zhǎng)的過(guò)程中，由于某些條件的引入將會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。

2024-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電阻率 933 0

碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...

2025-08-27 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 932 0

六氟化硫等離子體的熱反應(yīng)離子蝕刻

眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在...

2023-09-01 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 924 0

晶圓級(jí)磁光克爾測(cè)量?jī)x性能介紹

利用極向/縱向磁光克爾效應(yīng)（MOKE），快速全局檢測(cè)晶圓膜堆的磁性。非接觸式測(cè)量，避免了傳統(tǒng)磁性表征對(duì)晶圓的破壞，可應(yīng)用于圖形化前后的樣品檢測(cè)?？商峁└?..

2023-05-17 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量?jī)x 922 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 915 0

晶焊片粘裝機(jī)高速高精度解決方案

設(shè)備主體機(jī)構(gòu)為龍門(mén)雙驅(qū)，龍門(mén)長(zhǎng)度2m、跨度1m，一共配備12個(gè)軸的運(yùn)動(dòng)控制，其中7個(gè)軸為點(diǎn)到點(diǎn)移動(dòng)，另外5個(gè)軸為脈沖控制，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分為兩端，每端各有2軸...

2023-11-01 標(biāo)簽：控制器晶圓運(yùn)動(dòng)控制 912 0

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開(kāi)始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會(huì)產(chǎn)生許多電容值，必須...

2023-05-25 標(biāo)簽：電容晶圓 FinFET 903 0

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對(duì)CMP后清洗的影響

全接觸洗滌被認(rèn)為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動(dòng)力阻力，在晶片上安裝了壓電傳感器（圓片型）。為了研...

2022-05-06 標(biāo)簽：晶圓 CMP 清洗 901 0

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以...

2025-09-17 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶圓 896 0

單芯片處理器已達(dá)極限了嗎

多芯片設(shè)計(jì)并不新鮮，但最近5年，其受歡迎程度明顯上升，超微半導(dǎo)體公司（AMD）、蘋(píng)果、英特爾和英偉達(dá)都有不同程度的涉足。

2022-09-30 標(biāo)簽：晶圓晶體管單芯片處理器 893 0

從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

在先進(jìn)封裝技術(shù)向超大型、晶圓級(jí)系統(tǒng)集成深化演進(jìn)的過(guò)程中，InFO 系列（InFO-MS、InFO-3DMS）與 CoWoS-L、InFO_SoW 等技術(shù)...

2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓存儲(chǔ)芯片 info 889 0

基于CameraCube技術(shù)在圖像傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用研究

隨著消費(fèi)者對(duì)于體積更小、功能更豐富的可攜式裝置需求日益殷切，數(shù)碼圖像市場(chǎng)也持續(xù)展現(xiàn)微型化的趨勢(shì)。這個(gè)趨勢(shì)也為更為輕薄短小的高品質(zhì)低成本行動(dòng)相機(jī)帶來(lái)了更大...

2020-05-03 標(biāo)簽：晶圓圖像傳感器 882 0

TPS22914 5.5V、2A、37mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22914/15 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ，具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 1.05 V 至 ...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器晶圓 880 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量方法的優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比評(píng)測(cè)

摘要本文對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的多種方法進(jìn)行系統(tǒng)性研究，深入對(duì)比分析原子力顯微鏡測(cè)量法、光學(xué)測(cè)量法、X 射線衍射測(cè)量法等在測(cè)量精度、效率、成本...

2025-08-09 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 850 0

異構(gòu)集成推動(dòng)面板制程設(shè)備（驅(qū)動(dòng)器）的改變

2023-07-10 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶圓異構(gòu)集成 847 0

晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高？

01為什么要測(cè)高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備，目前市場(chǎng)上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī)，劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過(guò)程中會(huì)...

2025-06-11 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體封裝劃片機(jī) 841 0

晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

1：制造先進(jìn)的啟動(dòng)晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法，以創(chuàng)造設(shè)備功能。(分庭，通道，噴嘴.) 3：作為一種創(chuàng)建...

2024-03-06 標(biāo)簽：晶圓諧振器 841 0

適用于基于晶圓鍵合的3D集成應(yīng)用的高效單晶圓清洗

不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中，晶圓直接鍵合對(duì)顆粒清潔度的要求非常嚴(yán)格。直接晶圓鍵合包括通過(guò)簡(jiǎn)單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接...

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻技術(shù) 828 0

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。

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