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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.5k 0

微型晶體管怎么做出來的

微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...

2024-10-15 標(biāo)簽：晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 1.5k 0

從SiP到Si3P未來發(fā)展研究

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)和系統(tǒng)復(fù)雜度的不斷提高，電子裝備越來越小型化和高集成化，而半導(dǎo)體特征尺寸逐漸逼近物理極限，芯片的設(shè)計難度和制造成本明顯提升，傳統(tǒng)封裝技術(shù)...

2023-10-17 標(biāo)簽：芯片晶圓 SiP 1.5k 0

詳解晶圓級可靠性評價技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過...

2025-03-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 1.5k 0

EDA探索：MOSFET Scaling-3D Era

目前主流的實現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅（Silicon on Insulator）技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer，在硅下面...

2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓 eda 1.5k 0

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 1.5k 0

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻反應(yīng)器 1.4k 0

專用域架構(gòu)的特性有哪些

半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新長期以來的持續(xù)發(fā)展趨勢正在減緩。經(jīng)過幾十年對摩爾定律的顯著遵從性，即半導(dǎo)體晶圓上的晶體管密度大約每兩年翻一倍，但是在過去幾年中，晶體管...

2023-08-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 1.4k 0

先進封裝技術(shù)及其對電子產(chǎn)品革新的影響

有一種先進封裝技術(shù)被稱為“晶圓級封裝”（WLP），即直接在晶圓上完成集成電路的封裝程序。通過該工藝進行封裝，可以制成與原裸片大小近乎相同的晶圓。

2020-10-26 標(biāo)簽：英飛凌晶圓封裝技術(shù) 1.4k 0

邊緣芯片詳解

本文介紹了什么是邊緣芯片（edge die）。邊緣芯片（edge die）是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片，由于晶圓制造過程中的掩模對準誤差或晶圓切割等原因...

2024-12-24 標(biāo)簽：芯片晶圓 1.4k 0

晶圓制造良率限制因素簡述（2）

硅晶圓相對容易處理，并且良好的實踐和自動設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而，砷化鎵晶圓并不是那么堅韌，斷裂是主要的晶圓良率限制因素。在砷化鎵制造線上，電路...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 1.4k 0

離子注入技術(shù)發(fā)展趨勢

與高電壓或電流接觸會引起電擊、燒傷、肌肉和神經(jīng)損傷、心臟麻痹以及死亡。大約1mA的電流通過心臟就可能致命。統(tǒng)計資料顯示接觸到250V交流電壓的死亡率為3...

2023-07-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電機 1.4k 0

音頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADAU7112的產(chǎn)品特性及應(yīng)用范圍

ADAU7112 將立體聲脈沖密度調(diào)制（PDM）比特流轉(zhuǎn)換為一個脈沖編碼調(diào)制（PCM）輸出流。PDM 數(shù)據(jù)的源可以是兩個麥克風(fēng)或其他 PDM 源...

2020-12-02 標(biāo)簽：芯片晶圓模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1.4k 0

芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。

2025-07-09 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝 1.4k 0

TI在猶他州開始建設(shè)新的300毫米晶圓廠

在猶他州李海，德州儀器 (TI) 開始建設(shè)其 300 毫米半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)施(或“晶圓廠”)。TI 總裁兼首席執(zhí)行官 Haviv Ilan 在州和地方民...

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Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計中的應(yīng)用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標(biāo)簽：CMOS 晶圓大電流 1.4k 0

半導(dǎo)體濕法去膠原理

半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機制的詳細說明：化學(xué)...

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芯片封裝與制備方法

芯片封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)中至關(guān)重要的一環(huán)。

2023-12-18 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片封裝 1.4k 0

玻璃通孔技術(shù)的形成方法

3D IC的出現(xiàn)加速了對具有中介層功能的高密度I/O、低電損耗和低成本的需求。傳統(tǒng)的有機中介層由于尺寸穩(wěn)定性差、CTE不匹配和光刻限制而無法滿足此類需求...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片晶圓 3D封裝 1.4k 0

金剛石基GaN問世化合物半導(dǎo)體行業(yè)進入第三波材料技術(shù)浪潮

材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導(dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...

2023-07-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1.4k 0

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