離子注入工藝中的常見問題及解決方案

在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結(jié)果進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計(jì)要求。當(dāng)前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩...

2025-11-17 標(biāo)簽：集成電路晶圓離子注入 573 0

聚氨酯墊性能優(yōu)化在超薄晶圓研磨中對 TTV 的保障技術(shù)

我將從超薄晶圓研磨面臨的挑戰(zhàn)出發(fā)，點(diǎn)明聚氨酯墊性能對晶圓 TTV 的關(guān)鍵影響，引出研究意義。接著分析聚氨酯墊性能與 TTV 的關(guān)聯(lián)，闡述性能優(yōu)化方向及 ...

2025-08-06 標(biāo)簽：晶圓碳化 571 0

基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴(yán)重...

2025-07-07 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 561 0

晶圓切割中振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對厚度均勻性的影響及抑制方法

一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里，晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中，振動與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量，尤其對厚度均勻性干擾嚴(yán)重...

2025-07-08 標(biāo)簽：晶圓新啟航碳化 545 0

晶圓隱裂檢測系統(tǒng)助力半導(dǎo)體視覺檢測

面向未來更高分辨率、更快速的光學(xué)成像系統(tǒng)是半導(dǎo)體檢測的核心競爭力。51camera通過持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和模塊化產(chǎn)品策略，提供高可靠性的定制化解決方案；

2025-08-21 標(biāo)簽：晶圓視覺檢測半導(dǎo)體檢測 542 0

系統(tǒng)開發(fā)者在芯粒設(shè)計(jì)與集成過程中的考量因素

最新人工智能（AI）驅(qū)動系統(tǒng)對算力和輸入輸出（IO）的需求，已遠(yuǎn)超工藝節(jié)點(diǎn)升級所能承載的范疇。若一味追求更大尺寸的芯片（逼近掩模版尺寸極限），會導(dǎo)致良率...

2025-09-05 標(biāo)簽：芯片晶圓開發(fā)者 535 0

有哪些常見的晶圓清洗故障排除方法？

以下是常見的晶圓清洗故障排除方法，涵蓋從設(shè)備檢查到工藝優(yōu)化的全流程解決方案：一、清洗效果不佳（殘留污染物或顆粒超標(biāo)）1.確認(rèn)污染物類型與來源視覺初判：使...

2025-09-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓清洗 532 0

晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)

在超高純度晶圓制造過程中，盡管晶圓本身需達(dá)到11個9（99.999999999%）以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性，但為實(shí)現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建，必須...

2025-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 529 0

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造...

2025-08-20 標(biāo)簽：晶圓測量儀碳化硅 528 0

如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)，針對傳統(tǒng)方法的局限性，探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用，為提升數(shù)據(jù)處理...

2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 524 0

硅襯底的清洗步驟一覽

預(yù)處理與初步去污將硅片浸入盛有丙酮或異丙醇溶液的容器中超聲清洗10–15分鐘，利用有機(jī)溶劑溶解并去除表面附著的光刻膠、油脂及其他疏水性污染物。此過程通過...

2025-09-03 標(biāo)簽：晶圓硅片清洗設(shè)備 522 0

晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響

摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測...

2025-06-14 標(biāo)簽：晶圓測量TTV 520 0

晶圓和芯片哪個更難制造一些

關(guān)于晶圓和芯片哪個更難制造的問題，實(shí)際上兩者都涉及極高的技術(shù)門檻和復(fù)雜的工藝流程，但它們的難點(diǎn)側(cè)重不同。以下是具體分析：晶圓制造的難度核心材料提純與單晶...

2025-10-15 標(biāo)簽：芯片晶圓 518 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 512 0

面向5G通信應(yīng)用：高阻硅晶圓電阻率熱處理穩(wěn)定化與四探針技術(shù)精準(zhǔn)測量

隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測器等領(lǐng)域的應(yīng)用需求激增。然而，高阻硅片電阻率的快速準(zhǔn)確測量仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。四點(diǎn)探針法（...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻晶圓測量 490 0

超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽：晶圓切割碳化硅 486 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制，探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 476 0

優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低...

2025-05-22 標(biāo)簽：晶圓TTV晶圓厚度 473 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 467 0

Exensio 應(yīng)用篇：晶圓廠的智能大腦，為生產(chǎn)運(yùn)營保駕護(hù)航

Exensio作為全球領(lǐng)先的端到端數(shù)據(jù)分析平臺，通過自動化、智能化的數(shù)據(jù)整合與分析，幫助IDM、Foundry、Fabless、OSAT等半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)...

2025-08-19 標(biāo)簽：晶圓數(shù)據(jù)分析芯片制程 456 0