SC2溶液可以重復(fù)使用嗎

SC2溶液通常不建議重復(fù)使用，主要原因如下：污染物累積導(dǎo)致效率下降SC2溶液（典型配方為HCl:H?O?:H?O）在清洗過程中會(huì)逐漸溶解金屬離子、顆粒物...

2025-10-20 標(biāo)簽：晶圓溶液 334 0

從晶圓到芯片：全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)的精密制造賦能

全自動(dòng)硅片腐蝕清洗機(jī)的核心功能與工藝特點(diǎn)圍繞高效、精準(zhǔn)和穩(wěn)定的半導(dǎo)體制造需求展開，具體如下：核心功能均勻可控的化學(xué)腐蝕動(dòng)態(tài)浸泡與旋轉(zhuǎn)同步機(jī)制：通過晶圓槽...

2025-10-30 標(biāo)簽：芯片晶圓清洗機(jī) 327 0

大尺寸玻璃晶圓（12 英寸 +）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、...

2025-10-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 308 0

破局晶圓污染難題：硅片清洗對(duì)良率提升的關(guān)鍵作用

去除表面污染物，保障工藝精度顆粒物清除：在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓表面極易附著微小的顆粒雜質(zhì)。這些顆粒若未被及時(shí)清除，可能會(huì)在后續(xù)的光刻、刻蝕等工序中引發(fā)...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶圓硅片半導(dǎo)體制造 305 0

超薄晶圓切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)探究

我將圍繞超薄晶圓切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)展開，從切割液對(duì) TTV 影響、現(xiàn)有問題及優(yōu)化技術(shù)等方面撰寫論文。 超薄晶圓（

2025-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 304 0

清洗晶圓去除金屬薄膜用什么

清洗晶圓以去除金屬薄膜需要根據(jù)金屬類型、薄膜厚度和工藝要求選擇合適的方法與化學(xué)品組合。以下是詳細(xì)的技術(shù)方案及實(shí)施要點(diǎn)：一、化學(xué)濕法蝕刻（主流方案）酸性溶...

2025-10-28 標(biāo)簽：晶圓晶圓清洗清洗晶圓 298 0

【海翔科技】玻璃晶圓 TTV 厚度對(duì) 3D 集成封裝可靠性的影響評(píng)估

一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶...

2025-10-14 標(biāo)簽：芯片晶圓碳化 293 0

濕法清洗尾片效應(yīng)是什么原理

濕法清洗中的“尾片效應(yīng)”是指在批量處理晶圓時(shí)，最后一片（即尾片）因工藝條件變化導(dǎo)致清洗效果與前面片子出現(xiàn)差異的現(xiàn)象。其原理主要涉及以下幾個(gè)方面：化學(xué)試劑...

2025-09-01 標(biāo)簽：晶圓濕法 282 0

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

摘要：本文針對(duì)晶圓切割過程，研究切割液性能與切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響機(jī)制，并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過分析切割液性能在熱、力、流等...

2025-07-29 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 274 0

晶圓接受測(cè)試的具體內(nèi)容與重要作用

在智能手機(jī)、電腦和自動(dòng)駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后，隱藏著一項(xiàng)至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測(cè)試（Wafer Acceptance Test, WA...

2025-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶體管 266 0

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確分析對(duì)半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要 。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅深度學(xué)習(xí) 261 0

Moritex 5X高精度大靶面遠(yuǎn)心鏡頭助力晶圓缺陷檢測(cè)

Moritex 5X高精度大靶面遠(yuǎn)心鏡頭助力晶圓缺陷檢測(cè)

2025-10-17 標(biāo)簽：顯示器晶圓缺陷檢測(cè) 252 0

晶圓清洗過濾的清洗效果如何評(píng)估

晶圓清洗過濾的清洗效果評(píng)估是一個(gè)多維度、系統(tǒng)性的過程，涉及微觀分析、量化檢測(cè)和功能性驗(yàn)證等多個(gè)層面。以下是具體的評(píng)估方法和關(guān)鍵指標(biāo)：1.表面顆粒物檢測(cè)激...

2025-10-14 標(biāo)簽：晶圓過濾光刻膠 234 0

晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)

晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高...

2025-10-27 標(biāo)簽：晶圓濕法刻蝕 229 0

兆聲波清洗對(duì)晶圓有什么潛在損傷

兆聲波清洗通過高頻振動(dòng)（通常0.8–1MHz）在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應(yīng)，對(duì)晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而，其潛在損傷風(fēng)險(xiǎn)需結(jié)合工藝參數(shù)與材料特性綜...

2025-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 204 0

基于微四探針(M4PP)?測(cè)量的石墨烯電導(dǎo)性能評(píng)估

石墨烯作為原子級(jí)薄二維材料，具備優(yōu)異電學(xué)與機(jī)械性能，在防腐、OLED、傳感器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著大面積石墨烯生長與轉(zhuǎn)移技術(shù)的成熟，如何實(shí)現(xiàn)其電學(xué)性能的快...

2025-10-16 標(biāo)簽：晶圓石墨烯測(cè)量 195 0

晶圓清洗后保存技術(shù)指南：干燥、包裝與環(huán)境控制要點(diǎn)

晶圓清洗后的保存需嚴(yán)格遵循環(huán)境控制、包裝防護(hù)及管理規(guī)范，以確保晶圓表面潔凈度與性能穩(wěn)定性。結(jié)合行業(yè)實(shí)踐與技術(shù)要求，具體建議如下：一、干燥處理與環(huán)境控制高...

2025-12-09 標(biāo)簽：晶圓清洗 194 0

晶圓清洗甩干后有水斑怎么回事

圓清洗甩干后出現(xiàn)水斑，可能由以下原因?qū)е拢核|(zhì)問題：若使用的水中含有較多礦物質(zhì)（如鈣、鎂離子），甩干時(shí)水分蒸發(fā)后，礦物質(zhì)會(huì)殘留形成白色或灰白色的水斑。表...

2025-11-11 標(biāo)簽：晶圓晶圓清洗 173 0

晶圓蝕刻用得到硝酸鈉溶液

晶圓蝕刻過程中確實(shí)可能用到硝酸鈉溶液，但其應(yīng)用場(chǎng)景較為特定且需嚴(yán)格控制條件。以下是具體分析：潛在作用機(jī)制氧化性輔助清潔：在酸性環(huán)境中（如與氫氟酸或硫酸混...

2025-10-14 標(biāo)簽：晶圓晶圓蝕刻 170 0

芯片裝甲的前世今生

一前言眾所周知，晶圓的特性如同玻璃一樣容易破碎，但為什么做成成品的IC又能通過高震動(dòng)與跌落可靠性測(cè)試，并且能在高溫環(huán)境下非常穩(wěn)定運(yùn)行？這其實(shí)是一個(gè)關(guān)鍵的...

2025-11-25 標(biāo)簽：芯片IC晶圓 163 0