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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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在柔性混合電子(FHE)系統(tǒng)中,柔性實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板等組件的彈性模量差異巨大,硅的脆性與金屬的延展性形成...
切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)
摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...
晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制
摘要:本文針對(duì)超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題,研究晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的...
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸...
2025-07-22 標(biāo)簽:晶圓超聲波清洗機(jī)晶圓清洗 1.3k 0
基于多傳感器融合的切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償與晶圓 TTV 協(xié)同控制
一、引言 在晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵指標(biāo)。切割過程中,切割深度的精準(zhǔn)控制直接影響 TTV 。然而,受切削...
晶圓切割中深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對(duì) TTV 均勻性的影響及抑制
一、引言 在晶圓制造流程中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的核心指標(biāo),直接關(guān)系到芯片制造的良品率與性能表現(xiàn) 。切割深度補(bǔ)償技術(shù)能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整...
基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...
切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素...
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻...
2025-07-15 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造晶圓蝕刻 1.1k 0
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)研究
我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā),結(jié)合相關(guān)研究案例,闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)與應(yīng)用前景。 超薄晶圓(
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...
淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過程中的振動(dòng)會(huì)影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參數(shù)的設(shè)置對(duì)振動(dòng)產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)...
2025-07-10 標(biāo)簽:晶圓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)碳化 343 0
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每...
2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)集成電路光刻工藝 691 0
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
晶圓切割中振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中,振動(dòng)與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量,尤其對(duì)厚度均勻性干擾嚴(yán)重...
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