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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

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在封裝史上,最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起,更先進(jìn)的封裝形式(例如晶圓級(jí)扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。

2024-02-27 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 6k 0

晶圓制造業(yè)到底有什么特點(diǎn)

晶圓的重要性不言而喻,因此我們需要對(duì)晶圓具備一定的認(rèn)識(shí)。前兩篇文章中,小編對(duì)晶圓到CPU的轉(zhuǎn)換過(guò)程、晶圓和硅片的區(qū)別有所探討。為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解程度...

2020-12-26 標(biāo)簽:芯片CPU晶圓 6k 0

中科大與中芯國(guó)際在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展

模型從缺陷的受力角度出發(fā),當(dāng)對(duì)顯影后殘留在旋轉(zhuǎn)晶圓表面上的缺陷進(jìn)行去離子水(Deionized Water, DIW)沖洗時(shí),其主要受到三個(gè)力的作用,即...

2018-06-08 標(biāo)簽:集成電路中芯國(guó)際晶圓 6k 0

濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?

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光刻技術(shù)通過(guò)光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?

2023-09-06 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)光刻技術(shù) 5.9k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程(中篇)

揭秘半導(dǎo)體制造全流程(中篇)

本期,我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩大關(guān)鍵步驟:刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 5.9k 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn),并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)。基于HF二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻...

2021-12-31 標(biāo)簽:晶圓鍍膜刻蝕 5.9k 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...

2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.9k 0

淺析扇出封裝和SiP的RDL改進(jìn)與工藝流程

淺析扇出封裝和SiP的RDL改進(jìn)與工藝流程

如今,再分布層(RDL)在高級(jí)封裝方案中得到了廣泛應(yīng)用,包括扇出封裝、扇出芯片對(duì)基板方法、扇出封裝對(duì)封裝、硅光子學(xué)和2.5D/3D集成方法。

2024-04-08 標(biāo)簽:晶圓SoC芯片sip封裝 5.9k 0

基于PVD 薄膜沉積工藝

PVD篇 PVD是通過(guò)濺射或蒸發(fā)靶材材料來(lái)產(chǎn)生金屬蒸汽,然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過(guò)程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開(kāi)發(fā)方面擁有 25 年以上的豐...

2023-05-26 標(biāo)簽:晶圓邏輯器件PVD 5.9k 0

半導(dǎo)體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

半導(dǎo)體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的...

2022-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓CMP 5.9k 0

晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)

芯片制造主要分為5個(gè)階段:材料制備;晶體生長(zhǎng)或晶圓制備;晶圓制造和分揀;封裝;終測(cè)。

2022-12-12 標(biāo)簽:晶圓芯片制造晶圓制造 5.9k 0

WLCSP封裝的流程介紹

半導(dǎo)體封裝方法,大致可以分為兩種:傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶圓級(jí)封裝則是先在...

2023-11-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓芯片封裝 5.8k 0

用于芯片制造的襯底類型有哪些,分別用在哪些產(chǎn)品中?

襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

2024-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器晶圓 5.8k 0

半導(dǎo)體制造工藝最強(qiáng)科普

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒(méi)有明確的答案,但與其說(shuō)加工尺寸微?。壳笆莕m制程),不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。

2023-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓制造工藝 5.8k 0

晶圓鍵合類型介紹

這是一種晶圓鍵合方法,其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。

2023-04-20 標(biāo)簽:CMOS晶圓TLP 5.8k 0

什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

在半導(dǎo)體加工工藝中,常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系,這一...

2024-01-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓電磁耦合 5.8k 0

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有:氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。

2024-02-25 標(biāo)簽:晶圓冷卻器刻蝕機(jī) 5.8k 0

芯片的制作流程及原理

芯片的制作流程及原理

芯片的制作流程通常包括以下幾個(gè)主要步驟。

2023-09-27 標(biāo)簽:芯片電路圖晶圓 5.7k 0

晶圓術(shù)語(yǔ) 芯片ECO流程

晶圓術(shù)語(yǔ) 芯片ECO流程

晶圓術(shù)語(yǔ) 1.芯片(chip、die)、器件(device)、電路(circuit)、微芯片(microchip)或條碼(bar):所有這些名詞指的是在...

2023-11-01 標(biāo)簽:芯片晶圓ECO 5.7k 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小,摩爾定律逼近極限,先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中,利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn),采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓SiP封裝 5.7k 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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