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標簽 > 柵極
柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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當MOS管的源極與柵極意外短接時，可能導致電路失控，產生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此，必須嚴格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電...
導語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術的核心驅動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術跨越。本文將聚焦于薄膜晶...
在現(xiàn)代電子電路設計和應用中，寄生參數是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產生的非預期電氣參數。...
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結構，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側 MOSFET 輸入開關選擇
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應用不間斷運行方面發(fā)揮著關鍵作用，尤其是那些部署在偏遠地區(qū)并由電池...
既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設計驅動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚
三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...
HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動通道設計，可穩(wěn)定驅動高壓側的功率器件。HPD2606X能耐受負向瞬態(tài)電壓，抗dV/dt干擾。HPD2606X支...
背面供電搭配全環(huán)繞柵極，英特爾打造芯片制造“新星組合”
在全球數字化浪潮洶涌推進的今天，半導體作為現(xiàn)代科技產業(yè)的基石，其重要性不言而喻。市場研究公司國際數據公司（IDC）發(fā)布的《全球半導體技術供應鏈情報報告》...
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。...
本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片（Fin）的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結構的關鍵組成部分，它...
? High-k柵極堆疊技術，作為半導體領域內一項廣泛采納的前沿科技，對于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 在過去，半導體晶體管普遍采用二氧化硅（...
??? 隨著半導體器件的精細化，晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結構越來越復雜。蝕刻過程中，蝕刻損傷會在加工表面產生，因此需要進行“損傷修復”。?? 隨著...
近日，瞻芯電子傳來喜訊，其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅動芯片IVCR2404MP已成功通過可靠性認證，并正式投入量產。這兩款高性能產品，標志著瞻芯電...
功率器件在近幾年的市場方面發(fā)展的非?；鸨绕涫?MOS 管，他主要應用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機控制系統(tǒng)中。 而隨著計算器主板，AI ...
隨著現(xiàn)代低壓應用的發(fā)展，Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs...
SA2601是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅動芯片，專為高壓、高速驅動N型功率MOSFET和IGBT設計，可在高達600V電壓下工作。內置VCC和VB...
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